一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法，工艺步骤为石英坩埚的处理、装炉、加热、镀膜、膜层退火。石英坩埚的处理包括清洗与烘干，装炉是将清洗并烘干后的石英坩埚与组成镀膜装置的部件进行组装，加热是将装有石英坩埚的沉淀室加热至１０００℃～１０６０℃，...

一种磷锗锌多晶体的合成方法，工艺采用两温区实时温度监控、磷气相输运和机械振荡、温度振荡相结合的新方法，原料采用高纯度的Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐ，配料的摩尔比为锌∶锗∶磷＝１∶１∶２，磷的加入量在按上述摩尔比计算出的重量基础上增加０．０５～０．１％...

本发明公开了一种利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法，主要包括以下步骤：（１）反应前驱体镓酸锂和氮化硼混合后预压制成体块，或者将其分别预压制成块片后交替叠放成体块；（２）将混合后预压制成的体块或交替叠放成的体块反应物放置到高压合成块中；...

一种制备单晶体的提纯、生长安瓿，该安瓿主要由封闭端呈圆锥形的管状体、与管状体圆锥端连接的导热棒及与导热棒连接的挂环组成。管状体通过管颈分隔成提纯段和生长段，提纯段的自由端端部开有装料口，生长段端部的圆锥形部段设置有管颈，该管颈使圆锥形部...

本实用新型是一种制备碘化汞单晶体的装置，由安瓿、加热器和温度控制器组成，并用钟罩将安瓿和加热器罩在平台上构成一个立式炉。安瓿支承在一个转轴上，转轴由电动机带动，利用源与晶体之间一定的温差自发成核，并进行晶体生长，从而获得性能优良的室温核...

一种两区域气相输运合成容器，由本体和进料管构成，本体为两端封闭的石英玻璃管，其一端为Ａ，另一端为Ｂ，在距本体Ｂ端端部的长度为ｘ处设置有凹槽，该凹槽的深度ｈ为本体内径ｄ的１／２～２／３，进料管相贯在距本体Ｂ端端部长度为ｘ的部段内，其进料口...

一种多元化合物半导体单晶的生长装置，包括炉体、各自独立加热控温的上炉加热器、辅助加热器和下炉加热器；上炉加热器和辅助加热器的发热体沿炉体的轴向自上而下依次安装在炉体上，下炉加热器的发热组装体安装在下部升降机构上，其主体伸入炉体并位于辅助...

本发明给出了一种碘酸钾单晶的单畴化和去孪晶的方法。将碘酸钾晶体放入极化炉的硅油中，给晶体加热、加电场，或给晶体加热、加电场和加压力，在相变７２℃或２１２℃附近采用“温度振荡法”来消除晶体的孪晶和多畴结构（温度振荡范围为６５℃－８５℃或２...

本发明提出了一种碘化汞单晶体制备方法，它将高纯碘化汞原料封入真空度为１０＋［－５］Ｔｏｒｒ的玻璃生长安瓿，把安瓶瓿于立式炉中，使安瓿慢速转动，加热使原料在安瓿１／２高度处稳定配置，缓慢调节安瓿底部温度，逐渐达到晶体生长温度，使其自然成核...

高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法，其特点是将聚合物先在常压或高压３００～４００ＭＰａ下结晶，获得一定厚度的聚合物晶体，用化学方法处理去除样品中的无定形部分，然后将去除无定形部分的小晶体用于高压烧结，压力为１００～８００ＭＰａ，温度２０...

一种垂直气相提拉生长硒化镉单晶体的方法，以硒化镉粉末为原料，原料的提纯和单晶体的生长在同一安瓿中完成，依次包括清洁安瓿、装料并除气封瓿、多级提纯、切割分离安瓿、热清洗生长段和晶体生长与冷却六个工艺步骤。与该方法配套的安瓿由管状体、导热棒...

一种制备硫镓银多晶体的方法，工艺采用两温区气相输送、温度振荡和机械振荡相结合，原料采用高纯度的银、镓、硫，配料的摩尔比为银∶镓∶硫＝１∶１∶２，硫的加入量在按上述摩尔比计算出的重量基础上增加０．３～３％，以弥补装料和合成过程中硫的损失。...

一种抗Ｘ射线辐照的掺铈镁铝尖晶石晶体及其制备方法，该晶体的制备以ＡｌＮＨ＃－［４］（ＳＯ＃－［４］）＃－［２］.１２Ｈ＃－［２］Ｏ和ＭｇＳＯ＃－［４］.７Ｈ＃－［２］Ｏ为基质原料，掺入１５０～３００ｐｐｍ浓度的掺杂原料Ｃｅ（ＳＯ＃－［４...

用ＴｉＯ↓［２］超细粉焰熔法人工合成金红石单晶体的方法和设备，属于单晶生长及粉体制备技术领域。本发明采用共沉淀法制备了锐钛矿相ＴｉＯ↓［２］超细粉体。提出了前驱体合成、焙烧等过程中提高粉体纯度、分散性及流动性的技术方案；采用的焰熔法生长...

本发明涉及一种六钛酸钾晶须及其用水热法制备的方法，属于材料领域。该六钛酸钾晶须（Ｋ↓［２］Ｔｉ↓［６］Ｏ↓［１３］）直径约在２００～５００ｎｍ之间，长约２００００～３００００ｎｍ；该方法以钛化合物和钾化合物为原料，原料折合成Ｋ↓［２］Ｏ...

一种多元化合物半导体单晶的制备方法，工艺步骤为：①清洁坩埚，②装料并除气封结，③晶体生长，④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉，它可以灵活根据多元化合物的结晶习性，实现对结晶温度梯...

本发明是一种低压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括两次电化学侵蚀，两次电化学蚀使用的电流均为５０Ｈｚ的工频交流电流。第一次电化学侵蚀是在盐酸溶液中进行，第二次电化学侵蚀是在含有盐酸和硫酸根离子混和溶液中进行，其中硫酸根离子浓度（重量百分比）不能...

本发明是一种中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括电化学扩面侵蚀和化学扩面蚀，电化学侵蚀是在含有硫酸和氯离子的混和溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流。化学侵蚀是在含有铜离子的盐酸溶液中进行，溶液中铜离子的含量为１０～２００ｐｐｍ。本发明...

本发明涉及一种抑菌性生物活性钛及钛合金植入材料及其制备方法和应用。该方法以生物医用级钛或钛合金为基底材料，将分析纯含氯离子的物质加入去离子水配制成电解质溶液，用阳极氧化表面改性处理技术，在材料阳极和阴极间施加直流电压１－１００Ｖ，处理时...

本发明公开的医用金属材料的表面活化方法，其特征在于该方法采用三电极系统，金属材料作为阴极，惰性材料作为阳极，并与参比电极一起固定置于含有支持电解质、可溶性钙盐和可溶性磷酸盐，ｐＨ值为２．５～６．５的电解质溶液中，以恒电位方式保持阴极电位...