多等离子体束溅射共沉积装置，主要用于等离子体沉积多成分薄膜。本发明在靶室中设有２－４个溅射沉积微波等离子体源和一个辅助沉积微波等离子体源。每一个微波等离子体源安装在靶室的通道上。溅射沉积通道中装有圆筒式靶片，靶片通以直流或高频溅射电压，...

高真空多靶磁控溅射方法和装置，涉及到等离子体薄膜沉积技术。本发明由增加的微波等离子体源产生等离子体，并输运到１－４个磁控溅射阴极表面，由加到靶片上的直流或高频溅射电压，吸引等离子体中的正离子轰击靶片起溅射作用。本发明在本底真空１０↑［－...

微波等离子体源离子注入装置，是一种用于离子注入材料表面改性的设备。它由靶室［１］、真空系统［２］、供气系统［３］和一组或多组工作源［４，５，６，７］组成。每组工作源包括一个或多个微波等离子体源［４］和（或）一个或多个材料溅射源［５，６，...

表面层贫钴的梯度硬质合金上进行金刚石涂层的方法，其特点是采用表面层贫钴的梯度硬质合金基体，这种硬质合金在０．１－１ｍｍ表面层中钴含量比内部低一倍以上，一般小于３．５ｗｔ％，表面层从表面到内部呈现钴由少增多的梯度结构，表面层以内是富钴层；...

制备耐高温磨损涂层的方法，属于一种改善金属材料表面耐高温磨损性能的方法。本方法通过原子束沉积进行涂层的制备；通过电子束或激光束处理控制涂层体部份的微观结构；通过离子束等技术强化涂层与基体之间，不同涂层之间的结合。采用荷能束技术进行耐高温...

一种制备透明导电膜的设备，其特点是一套具有高压射频电源的真空系统，以实施等离子体增强化学气相沉积技术，一次能制备多片大面积样品。

一个使用低温等离子技术制备透明低阻／高阻复合膜的方法。其特征是，在透明低电阻膜的基础上，用氧等离子进行轰击，对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿，从而形成低阻／高阻复合膜。

用超声喷雾热解方法制备透明低阻、高阻复合薄膜的装置，其特征是系统具有气体进入、反应和排出管道。首先将反应物溶于液体中，然后由超声振荡器将液体雾化成微小雾滴，气体携运超声雾化微滴经系统的进气通道，并从一直线侠缝处喷到作均速直线运动、被加热...

本发明提供的等离子喷涂制备纳米涂层的方法，是借助输送气体将涂层材料直接注入等离子火焰，并利用等离子火焰的高温将涂层材料加热融化，高速撞击粘附于金属基底材料表面，经冷却即成，其特征在于涂层材料为配置的纳米级浆料，该浆料中其涂层材料的粒径≤...

本发明涉及一种铅基铁电薄膜的制备方法。该方法在基片与薄膜之间制备一层氧化铅作为过渡层，采用射频磁控溅射装置，通过低温沉积及后续退火，或在位生长及保压制备铅基铁电薄膜。所述低温沉积及后续退火，是指基片温度为室温，将溅射完毕的样品在４５０－...

本发明涉及一种多孔钛涂层大气等离子体喷涂气体保护装置及其喷涂方法。该装置由中心开孔的底座、与底座连接的空心筒体、空心筒体上设计的保护气进气接口管、保护气体分布室、保护气喷气口和输粉接口管等构件组成，其结构简单，使用方便；该装置与常规大气...

本发明公开了一种在恒温水浴的条件下采取加入过渡金属盐制备磁性ＺｎＯ纳米棒阵列薄膜的方法，其步骤依次如下：（１）基底用丙酮和乙醇室温超声洗涤，在１００℃左右干燥１０～８０ｍｉｎ，取出备用；（２）将水合锌盐、过渡金属盐和有机胺溶解在去离子水...

本发明公开了一种碳包覆的纳米级ＴｉＯ↓［２］核壳复合粉体（可表示为ＴｉＯ↓［２］＠Ｃ）的制备方法。它是以廉价的无定形的水合二氧化钛为氧化钛源，长链的液态烷烃混合物（Ｃ↓［１１］－Ｃ↓［１２］）作为碳源，通过回流原位包覆有机碳链，再经真空...

本发明公开了一种采用溶胶－凝胶方法在位化学改性制备ＺｎＯ纳米棒阵列薄膜的方法，其依次步骤如下：（１）将Ｚｎ（ＮＯ↓［３］）↓［２］６Ｈ↓［２］Ｏ与六次甲基四胺溶解在去离子水中并搅拌均匀；（２）将经过清洗干净的基底材料进入到溶液中，并加热...

本发明涉及一种悬浮液等离子喷涂制备羟基磷灰石生物活性涂层的方法。采用羟基磷灰石悬浮液作等离子喷涂原料；采用压力罐或电子蠕动泵作传送动力装置来传送羟基磷灰石悬浮液；采用小角度雾化喷嘴将羟基磷灰石悬浮液直接径向注入等离子火焰中心区域，或采用...

本发明涉及一种制备羟基磷灰石生物活性涂层的悬浮液注入式等离子喷涂装置，包括等离子喷枪；还包括喷涂原料悬浮液贮存容器，悬浮液传送系统，悬浮液注入系统；其中悬浮液贮存容器为压力罐或为带高能超声波振荡功能的容器；传送系统包括传送动力装置和与其...

本发明涉及一种用于钢材切削加工的刀片及制备方法。该刀片包括包含以Ｆｅ和Ｎｉ为粘结相的硬质合金基体和耐磨涂层。基体硬质合金中粘结相占６－１０％，其中Ｆｅ∶Ｎｉ＝３∶１且均为羰基粉末；涂层采用化学气相沉积技术制备，从与基体相邻到最外层依次为...

一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方２０ｃｍ～３０ｃｍ处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于６．０×１０↑［－３］Ｐａ...

本发明公开了一种Ｃ－ＳｉＣ阻氢（氚）保护涂层制备方法。该方法采用物理气相沉积技术即磁控溅射结合离子束轰击混合的技术，在Ｆｅ基体上制备具有多层结构的Ｃ－ＳｉＣ涂层，涂层均匀致密，且与基体具有优良的结合强度，能使基体的阻氢（氚）性能提高３个...

本发明公开了一种Ｎｉ粘结ＷＣ基硬质合金的制备方法，其特征是先将ＷＣ和Ｎｉ的混合粉末在无水乙醇中进行湿磨、干燥、压制后在１４４０～１４８０℃进行真空烧结；烧结完成的同时往炉中通入氮气进行真空淬火，氮气压力为０．１～０．４ＭＰａ，淬火时间为...