本技术公开了一种压接式功率模块，包括外壳、底板子模块、中间子模块、金属盖板及压块结构，中间子模块设置有一个或多个，每一第一芯片单元均通过一个压块结构连接于相邻的中间子模块的金属中间板，与金属盖板相邻的中间子模块中的每一第二芯片单元均通过...

本申请实施例提供了一种具有交错式P柱结构的超结MOSFET器件及制备方法，该超结MOSFET器件包括：源极、栅极和漏极；绝缘介质层，位于所述源极与所述栅极之间，所述绝缘介质层内部设置有所述栅极；漂移区，位于所述源极和所述漏极之间，所述漂...

本技术公开了一种芯片封装结构，包括：壳体，具有储存腔；芯片，设置于所述储存腔中；散热组件，包括液冷板和管道，所述液冷板设置于所述储存腔中并和所述芯片导热连接，所述管道的第一端设置于所述储存腔中并和所述液冷板连通，所述管道的第二端凸出于所...

本发明公开了一种功率模块。功率模块包括第一连接件、第二连接件和芯片单元，第二连接件与第一连接件间隔设置。芯片单元包括芯片和导电层，芯片与第一连接件连接，导电层与芯片连接为一体结构，导电层位于芯片背离第一连接件的一侧，导电层与第二连接件连...

本发明公开了一种芯片封装结构，包括：壳体，具有储存腔；芯片，设置于所述储存腔中；散热组件，包括液冷板和管道，所述液冷板设置于所述储存腔中并和所述芯片导热连接，所述管道的第一端设置于所述储存腔中并和所述液冷板连通，所述管道的第二端凸出于所...

本发明公开了一种压接式功率模块及其封装方法，其中压接式功率模块包括外壳、底板子模块、中间子模块、金属盖板及压块结构，中间子模块设置有一个或多个，每一第一芯片单元均通过一个压块结构连接于相邻的中间子模块的金属中间板，与金属盖板相邻的中间子...