一种具有交错式P柱结构的超结MOSFET器件及制备方法技术

本申请实施例提供了一种具有交错式P柱结构的超结MOSFET器件及制备方法，该超结MOSFET器件包括：源极、栅极和漏极；绝缘介质层，位于所述源极与所述栅极之间，所述绝缘介质层内部设置有所述栅极；漂移区，位于所述源极和所述漏极之间，所述漂移区内部设置有交错式P柱和连接层，所述交错式P柱通过所述连接层与所述源极接触。由于本申请实施例的超结MOSFET器件的漂移区内部设置有交错式P柱，因此，本申请实施例的超结MOSFET器件有利于抑制反向恢复电荷对漂移区的注入和减缓载流子的扫除速度，从而使得超结MOSFET器件的反向恢复特性得到改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种具有交错式p柱结构的超结mosfet器件及制备方法。

技术介绍

1、在相关技术中，超结mosfet器件在新能源汽车、直流充电桩等领域得到广泛应用。当超结mosfet体二极管在电路中被用作续流二极管时，其状态会从正向导通转变为反向截止，在体二极管正向导通时，空穴载流子注入效率增强，n型漂移区存储的空穴载流子远高于传统的mosfet，少数载流子存储效应更加明显。同时，在超结mosfet体二极管反向恢复电荷和反向恢复峰值电流会随之增加，而峰值电流的增加容易造成器件热烧毁。此外，在漂移区非平衡载流子的扫出阶段，存储的非平衡载流子的扫出速度越快，越容易引起高的反向电流恢复速率，使得体二极管软度因子变小，反向恢复趋近于硬性恢复。由于电力系统杂散电感的存在，硬恢复容易引起体二极管电压过冲或电路振荡，并可能诱发超结mosfet寄生三极管的开启，最终导致器件失效。为了改善超结mosfet的反向恢复性能，提高电路的工作效率并降低器件时效的风险，通常采用载流子寿命控制技术。

2、载流子寿命控制技术主要有两种方法，一种方法是在漂移区中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有交错式P柱结构的超结MOSFET器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述交错式P柱包括交错P型区，所述交错P型区包括多个依次层叠的P型层，相邻的两个所述P型层之间存在部分重叠。

3.根据权利要求2所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述交错P型区所占的空间小于或等于所述交错式P柱所占的空间的一半。

4.根据权利要求2所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述交错P型区通过所述连接层与所述源极接触。

5.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述连接层包括：...

【技术特征摘要】

1.一种具有交错式p柱结构的超结mosfet器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超结mosfet器件，其特征在于，所述交错式p柱包括交错p型区，所述交错p型区包括多个依次层叠的p型层，相邻的两个所述p型层之间存在部分重叠。

3.根据权利要求2所述的超结mosfet器件，其特征在于，所述交错p型区所占的空间小于或等于所述交错式p柱所占的空间的一半。

4.根据权利要求2所述的超结mosfet器件，其特征在于，所述交错p型区通过所述连接层与所述源极接触。

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：檀春健，王少刚，叶怀宇，付嵩琦，鲁纲，
申请(专利权)人：深圳市国微三代半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：