本发明涉及边缘检测技术领域，具体涉及一种视觉辅助的三极管封装质量检测方法，该方法首先筛选出待分析整体区域，根据各个待分析分块区域的不同预设方向的梯度权重和各边缘区域像素点的像素梯度，获取初始抑制像素梯度；进而获取各个边缘区域的各边缘区域...

本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种封装IC表面缺陷视觉检测方法，包括：获取封装IC灰度图像，得到封装IC灰度图像的梯度直方图和封装IC灰度图像的灰度直方图，根据灰度直方图得到连续的灰度级区间中所有灰度级的导数，得到第一影响因素和得...

本说明书实施例公开了一种碳化硅材质半导体表面镀膜质量检测方法，涉及图像处理技术领域

本实用新型公开了一种半导体晶圆检测装置，包括底座以及用于对工件进行检测的限位部件，所述限位部件包括设于底座顶部的支撑块、开设于支撑块内侧的安装槽、设于安装槽内侧的支撑架、设于支撑架顶部的滑动板、设于滑动板顶部的滑动块、设于滑动块顶部的安...

本实用新型公开了一种半导体晶圆检测装置，包括底座以及用于对工件进行检测的限位部件，所述限位部件包括设于底座顶部的支撑块、开设于支撑块内侧的安装槽、设于安装槽内侧的支撑架、设于支撑架顶部的滑动板、设于滑动板顶部的滑动块、设于滑动块顶部的安...

本发明公开了一种碳化硅材质的半导体缺陷检测方法，属于图像处理技术领域；包括以下步骤：获取待检测半导体晶圆表面灰度图；将灰度图划分成多个区域；获取每个区域中异常像素点的灰度范围；筛选出含有冗余物缺陷的多个子区域；获取每个子区域中异常像素点...

本实用新型公开了一种FRD模块封装结构，包括FRD封装盒，所述FRD封装盒的外部设有抗震底座，所述抗震底座的外表面底部固定安装有安装片，所述抗震底座的内侧壁上安装有若干个抗震缓冲器，所述抗震缓冲器的内部开设有第一油液腔和第二油液腔，所述...

本实用新型公开了一种IGBT评估装置，包括安装箱，所述安装箱的内腔底壁固定安装有检测仪器和固定组件，所述检测仪器的上端固定安装有显示屏，所述安装箱的内腔右侧壁固定安装有检测组件，所述安装箱的上端通过合页转动安装有箱盖，所述检测组件包括支...

本发明公开了一种GaN单晶生长方法，包括以下步骤：S1：采用GaN同质采用制成衬底，通过机械加工，将GaN同质材料加工成直径为5厘米的衬底，将GaN同质材料加工成的衬底固定于基座上，S2：将S1中得到的基座与GaN同质材料制成的衬底固定...

本发明公开了一种MOS管的SGT制造工艺，包括半导体衬底，所述半导体衬底内置源级、阱区和阱隔离区，阱区位于半导体衬底的正中处，阱区的数量为两组依次位于阱区的两侧，半导体衬底上位于阱区的两侧依次设置有源级与漏级，半导体衬底氧化层顶部通过化...

本发明公开了一种检测MOS管的方法和系统，包括计算机，所述计算机连接有上位机，所述上位机连接有高温房，所述高温房内设有下位机，且上位机与下位机相连接，所述下位机连接有测试台，所述计算机包括数据库、打印设备和声光报警器，所述上位机包括第一...

本发明公开了一种IGBT器件的评估方法，包括以下步骤：S1：将待检测的IGBT器件置于预先构建的仿真模型，再对仿真模型接入电源，开启开关，对置入的IGBT器件的电流和电容参数进行测算和评估，即对IGBT器件的可靠性进行评估；S2：通过将...

本发明属于晶体管领域，尤其是一种IGBT器件及其制备方法，针对现有的IGBT器件使用时稳定效果不好，安全性不高且不便于连接使用的问题，其包括基板，所述基板的上端固定安装有框架板，所述框架板的上端固定安装有盖板，所述基板的上端焊接有系统焊...

本发明公开了一种碳化硅MOSFET制造方法，包括以下步骤：S1：将碱土金属氧化物配置，形成覆面层料；S2：将覆面层料设置于金属

本发明公开了一种新型晶元体及其制备方法，包括衬底，所述衬底镜片包含有一定浓度的间隙氧原子，所述衬底内设置有至少两种薄膜，该薄膜形成于所述衬底的不同预设水平区域内，所述衬底相反的两个侧面为一基准面和一抛光面，所述基准面上设置有一覆盖层，所...

本发明公开了一种MOS晶体管及其制造工艺，包括n型沟道，所述n型沟道顶面固定连接有V型槽，所述n型沟道左右两侧均设有N+扩散源区，所述N+扩散源区底部连接有p沟道体区，所述p沟道体区底部连接有N

本实用新型提供了一种高频IGBT模块，包括底座、固定于所述底座上的壳体以及安装于底座上且位于所述底座与所述壳体之间的空腔的IGBT芯片，还包括导热管、导热片和散热装置，所述导热管可拆卸在所述壳体的外侧，所述导热片穿设于所述壳体，所述导热...

本发明公开了一种稳压型肖特基二极管组件，包括壳体，所述壳体内腔底部的两侧均开设有第一凹槽，所述壳体内腔的顶部活动连接有限位条，所述限位条的顶部固定连接有二极管本体，所述限位条底部的两侧均开设有第二凹槽，所述第二凹槽内腔的顶部固定连接有第...

本实用新型公开了一种新型大功率IGBT模块，包括功率端子、外壳、顶部安装板和DBC板，所述外壳顶部通过螺丝钉固定安装有顶部安装板，所述顶部安装板上表面固定设置有固定块，所述固定块中部固定卡接有安装螺母，所述固定块位于安装螺母一侧固定插接...

本实用新型公开了一种变频单管电力电子元器件，包括单管IGBT、外壳、PCB板和三相整流桥，所述外壳底部内壁通过螺丝钉固定安装有PCB板，所述PCB板上表面中部通过螺丝钉固定安装有温度传感器，所述温度传感器通过导线与PCB板电性连接，所述...