一种MOS晶体管及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种MOS晶体管及其制造工艺，包括n型沟道，所述n型沟道顶面固定连接有V型槽，所述n型沟道左右两侧均设有N+扩散源区，所述N+扩散源区底部连接有p沟道体区，所述p沟道体区底部连接有N

【技术实现步骤摘要】
一种MOS晶体管及其制造工艺


[0001]本专利技术涉及MOS晶体管
，尤其涉及一种MOS晶体管及其制造工艺。

技术介绍

[0002]MOS晶体管全称金属氧化物半导体场效应晶体管，可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。
[0003]MOS晶体管大多为P型MOS管，电流沿表面水平方向移动，制造完成的器件耐电压能力较差，难以降低栅电容，并且现有的MOS晶体管制造工艺环节较少，难以对晶体管进行细化处理，难以对制造环节质量进行严格把控，成品晶体管的电学特性较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种MOS晶体管及其制造工艺。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种MOS晶体管及其制造工艺，包括n型沟道，所述n型沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS晶体管及其制造工艺，包括n型沟道(1)，其特征在于，所述n型沟道(1)顶面固定连接有V型槽(6)，所述n型沟道(1)左右两侧均设有N+扩散源区(2)，所述N+扩散源区(2)底部连接有p沟道体区(3)，所述p沟道体区(3)底部连接有N-漂移区(4)，所述N-漂移区(4)底部连接有N+衬底(5)。2.根据权利要求1所述的一种MOS晶体管及其制造工艺，其特征在于，所述V型槽(6)槽壁与硅片平面呈54.7度。3.根据权利要求1所述的一种MOS晶体管及其制造工艺，其特征在于，所述n型沟道(1)的长度在一至二微米。4.根据权利要求1所述的一种MOS晶体管及其制造工艺，其特征在于，漏极D从芯片背面引出。5.根据权利要求1所述的一种MOS晶体管及其制造工艺，其特征在于，所述N+衬底(5)为掺娣晶片，所述V型槽(6)的材质为多晶硅。6.一种MOS晶体管及其制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：将准备好的衬底硅片切割为圆形片状结构，并进行表面抛光处理；S2：对切割抛光后的衬底进行冲洗清理，再对其进行氧化处理，得到二氧化硅层；S3：通过光刻技术清除部分二氧化硅，刻出漏极D、源极S扩散区；S4：使用高浓度棚进行表面扩散处理；S5：清除之前形成的二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亚军，黎忠瑾，
申请(专利权)人：深圳宝铭微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：