半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本文公开半导体装置及半导体装置的制造方法，且特别是包括具有栅极全环(GAA)晶体管结构的晶体管及其制造方法。采用外延生长方案中的不同厚度以在相同装置的通道区域内创建不同的片厚度，以用于制造垂直堆叠的纳米结构(例如：纳米片、纳米线等)GAA装置。所形成的垂直堆叠的纳米结构GAA装置，可具有薄于最底部通道区域的最顶部通道区域。此外，所形成的GAA装置的最顶部通道区域所具有的轻度掺杂漏极区域与最底部通道区域相比，可具有最高的浓度及/或较大程度的布植掺杂物的横向扩散。及/或较大程度的布植掺杂物的横向扩散。及/或较大程度的布植掺杂物的横向扩散。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置及其制造方法，且特别涉及包括具有栅极全环(GAA)晶体管结构的晶体管的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置被用于各式各样的电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置通常是通过在半导体基板上沉积一系列的绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，以及使用微影(lithography)图案化各种材料层以在其上形成电路组件与元件来形成的。
[0003]半导体工业通过持续地降低最小特征的尺寸来不停地改善各种电子组件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定的面积中整合更多的组件。然而，随着最小特征尺寸的降低，随之而来的是需要克服的额外问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上沉积第一半导体材料的第一薄层；在第一半导体材料的第一薄层上，沉积第二半导体材料的第二薄层至第一厚度，第二半导体材料不同于第一半导体材料；在第二半导体材料的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体基板上沉积一第一半导体材料的一第一薄层；在上述第一半导体材料的上述第一薄层上，沉积一第二半导体材料的一第二薄层至一第一厚度，上述第二半导体材料不同于上述第一半导体材料；在上述第二半导体材料的上述第二薄层上，沉积上述第一半导体材料的一第三薄层；在上述第一半导体材料的上述第三薄层上，沉积上述第二半导体材料的一第四薄层至一第二厚度，上述第二厚度小于上述第一厚度；将上述第一半导体材料的上述第一薄层、上述第二半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：