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本文公开半导体装置及半导体装置的制造方法，且特别是包括具有栅极全环(GAA)晶体管结构的晶体管及其制造方法。采用外延生长方案中的不同厚度以在相同装置的通道区域内创建不同的片厚度，以用于制造垂直堆叠的纳米结构(例如：纳米片、纳米线等)GAA装...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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