集成电路及其形成的方法技术

技术编号:27571901 阅读:32 留言:0更新日期:2021-03-09 22:19
本公开的各种实施例涉及一种形成集成电路(IC)的方法。所述方法包括:在衬底之上形成堆叠的栅极电极及栅极电介质。在衬底及栅极电极之上沉积侧壁间隔件层,其中侧壁间隔件层对栅极电极的侧壁进行衬垫。对侧壁间隔件层实行回蚀以在栅极电极的侧壁上形成侧壁间隔件。回蚀是使用包含氟化氢的刻蚀剂以小于约8埃每分钟的刻蚀速率实行。此外,在侧壁间隔件及栅极电极就位的情况下对衬底进行掺杂,以分别在栅极电极的相对侧上形成一对源极/漏极区。极电极的相对侧上形成一对源极/漏极区。极电极的相对侧上形成一对源极/漏极区。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其形成的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种集成电路及其形成的方法。

技术介绍

[0002]当今的集成电路(integrated circuit,IC)包括形成在半导体衬底(例如硅)上的数以百万计或数以十亿计的半导体器件。IC可根据应用使用许多不同类型的晶体管器件。近年来,蜂窝(cellular)及射频(radio frequency,RF)器件市场的增长已导致对RF切换器件(RF switch device)需求的显著增加,智能手机可例如在其接收链中包含10个或更多个RF切换器件,以将接收到的信号切换到适当的频带。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种形成集成电路的方法,包括:在衬底之上形成堆叠的栅极电极及栅极电介质;沉积覆盖所述衬底及所述栅极电极并进一步对所述栅极电极的侧壁进行衬垫的侧壁间隔件层;对所述侧壁间隔件层进行回蚀以在所述栅极电极的所述侧壁上形成侧壁间隔件,其中所述回蚀是使用包含氟化氢的刻蚀剂以小于约8埃每分钟的刻蚀速率实行;以及在所述侧壁间隔件及所述栅极电极就位的情况下对所述衬底进行掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路的方法,包括:在衬底之上形成堆叠的栅极电极及栅极电介质;沉积覆盖所述衬底及所述栅极电极并进一步对所述栅极电极的侧壁进行衬垫的侧壁间隔件层;对所述侧壁间隔件层进行回蚀以在所述栅极电极的所述侧壁上形成侧壁间隔件,其中所述回蚀是使用包含氟化氢的刻蚀剂以小于约8埃每分钟的刻蚀速率实行;以及在所述侧壁间隔件及所述栅极电极就位的情况下对所述衬底进行掺杂,以分别在所述栅极电极的相对侧上形成一对源极/漏极区。2.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法,其中所述侧壁间隔件层是通过原子层沉积工艺进行沉积。3.根据权利要求2所述的形成集成电路的方法,其中所述原子层沉积工艺包括在所述衬底及所述栅极电极之上流动六氯乙硅烷、丙烯、双原子氧及氨。4.根据权利要求2所述的形成集成电路的方法,其中所述原子层沉积工艺包括在所述衬底及所述栅极电极之上流动六氯乙硅烷及双原子氧,其中所述原子层沉积工艺还包括在于所述衬底及所述栅极电极之上流动所述六氯乙硅烷之后且在流动所述双原子氧之前实行抛光工艺。5.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法,还包括:在所述栅极电极及所述衬底之上沉积侧壁衬垫层,其中所述侧壁衬垫层设置在所述侧壁间隔件层与所述衬底之间,其中所述侧壁衬垫层的介电常数小于所述侧壁间隔件层的介电常数。6.根据权利要求5所述的形成集成电路的方法,其中所述回蚀移除所述侧壁衬垫层的部分以形成侧壁衬垫,其中在所述回蚀期间,所述侧壁衬垫层比所述侧壁间隔件层被刻蚀得快。7.一种形成集成电路的方法,包括:沉积覆盖衬底的第一垫层;沉积覆盖所述第一垫层的第二垫层;使用隔离结构的图案对所述第一垫层及所述第二垫层进行图案化;在所述第一垫层及所述第二垫层就位的情况下向所述衬底中实行刻蚀,...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴政达
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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