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本公开的各种实施例涉及一种形成集成电路(IC)的方法。所述方法包括：在衬底之上形成堆叠的栅极电极及栅极电介质。在衬底及栅极电极之上沉积侧壁间隔件层，其中侧壁间隔件层对栅极电极的侧壁进行衬垫。对侧壁间隔件层实行回蚀以在栅极电极的侧壁上形成侧壁...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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