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本发明公开了一种MOS晶体管及其制造工艺，包括n型沟道，所述n型沟道顶面固定连接有V型槽，所述n型沟道左右两侧均设有N+扩散源区，所述N+扩散源区底部连接有p沟道体区，所述p沟道体区底部连接有N
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