一种IGBT器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于晶体管领域，尤其是一种IGBT器件及其制备方法，针对现有的IGBT器件使用时稳定效果不好，安全性不高且不便于连接使用的问题，其包括基板，所述基板的上端固定安装有框架板，所述框架板的上端固定安装有盖板，所述基板的上端焊接有系统焊层，所述系统焊层的上端焊接有衬底，所述衬底的上端外表面焊接有芯片焊层，所述芯片焊层的上端外表面焊接有半导体，所述框架板的内部固定安装有接线端子，所述接线端子的上端外表面套设有限位环，所述接线端子的外表面位于限位环的上方的位置开设有接线孔。本发明专利技术能够提高IGBT器件使用时的稳定性，并能提高IGBT器件的安全性，同时能够便于IGBT器件的连接使用。于IGBT器件的连接使用。于IGBT器件的连接使用。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及晶体管
，尤其涉及一种IGBT器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]IGBT意为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]现有的IGBT器件使用时存在一定的缺陷，IGBT器件使用时稳定效果不好，而且IGBT器件的安全性不高，使用时容易误碰导致IGBT器件损坏，而且IGBT器件使用时不便于连接，给使用过程带来了一定的影响，因此，现在提出一种IGBT器件及其制备方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出的一种IGBT器件及其制备方法，解决了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件，包括基板(1)，其特征在于，所述基板(1)的上端固定安装有框架板(2)，所述框架板(2)的上端固定安装有盖板(3)，所述基板(1)的上端焊接有系统焊层(4)，所述系统焊层(4)的上端焊接有衬底(5)，所述衬底(5)的上端外表面焊接有芯片焊层(6)，所述芯片焊层(6)的上端外表面焊接有半导体(7)，所述框架板(2)的内部固定安装有接线端子(8)，所述接线端子(8)的下端固定连接有键合线(9)，所述接线端子(8)的上端外表面套设有限位环(12)，所述接线端子(8)的外表面位于限位环(12)的上方的位置开设有接线孔(13)，所述接线端子(8)的外表面位于接线孔(13)的上方的位置固定安装有固定板(14)，所述固定板(14)的下端外表面固定连接有复位弹簧(15)，所述复位弹簧(15)的下端固定连接有套环(16)，所述套环(16)的上端固定安装有固定帽(17)，所述基板(1)由底板(18)与连接板(19)组成，所述连接板(19)套接在底板(18)的上端，所述底板(18)与连接板(19)之间位于连接板(19)的内部的位置填充有阻尼垫(20)，所述盖板(3)由第一壳体(21)与第二壳体(22)组成，所述第一壳体(21)与第二壳体(22)之间填充有缓冲层(23)。2.根据权利要求1所述的一种IGBT器件，其特征在于，所述框架板(2)呈矩形框结构，所述框架板(2)的材质为塑料，所述衬底(5)、半导体(7)和键合线(9)均位于框架板(2)的内部的位置，所述键合线(9)的一端与接线端子(8)固定连接，所述键合线(9)的另一端与半导体(7)固定连接。3.根据权利要求1所述的一种IGBT器件，其特征在于，所述复位弹簧(15)套设在接线端子(8)的外表面，所述套环(16)套设在接线端子(8)的外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亚军，黎忠瑾，
申请(专利权)人：深圳宝铭微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：