提供能够使外部连接端子保持垂直的半导体装置以及半导体装置的制造方法。在外部连接端子(19)的侧面的与插通孔(22a)重叠的交叉区域，具备相对于外部连接端子(19)对于插通孔(22a)的插穿方向，向外部连接端子(19)侧倾斜的倾斜面(19d1)。在接触部件(17)相对于陶瓷电路基板(14)的主面倾斜安装的情况下，与之相伴，外部连接端子(19)也倾斜。这样的外部连接端子(19)若插穿上盖板(22)的插通孔(22a)，则通过引导部(19d)的倾斜面(19d1)而被引导为相对于陶瓷电路基板(14)的主面垂直来使上盖板(22)安装。因而，能够将从外装壳(20)的上盖板(22)突出的外部连接端子(19)安装于印刷电路基板的适合的位置，能够实现组装性的提高。能够实现组装性的提高。能够实现组装性的提高。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]半导体装置包含例如IGBT(Insulted Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体芯片。这样的半导体装置例如用作电力变换装置。这样的半导体装置具备基板，该基板具有绝缘板和形成于绝缘板的正面的多个导电板。此外，在导电板上配置有半导体芯片以及外部连接端子，从外部连接端子施加的信号经由导电板输入于半导体芯片。此外，从外部连接端子还输入输出主电流，主电流经由导电板而由半导体芯片进行开关。在将外部连接端子安装于导电板时，使用通过焊锡接合于导电板的筒状的接触部件。将外部连接端子嵌合于接触部件，外部连接端子经由接触部件电连接于导电板。并且，将外部连接端子插穿于外装壳的上盖板的插通孔，将外装壳安装于基板(例如，参照专利文献1)。
[0003]对于这样从外装壳的上盖板的插通孔突出的外部连接端子，进一步安装印刷电路基板。外部连接端子与印刷电路基板电连接。因此，外部连接端子需要相对于基板垂直。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2014-187179号公报
技术实现思路
[0007]技术问题
[0008]但是，若接触部件因某种原因稍微倾斜，则嵌合于接触部件的外部连接端子也相对于基板倾斜安装。即使这样倾斜的外部连接端子插穿于外装壳的上盖板的插通孔而突出，外部连接端子也由于倾斜，所以无法安装于印刷电路基板的适合的位置。
[0009]本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，目的在于提供能够将外部连接端子保持为垂直的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
[0010]技术方案
[0011]根据本专利技术的一观点，提供一种半导体装置，其具备：半导体芯片；基板，其具有导电板和绝缘板，所述导电板在正面设置有所述半导体芯片，所述绝缘板在正面形成有所述导电板；筒状的接触部件，其介由接合构件设置于所述导电板上；棒状的外部连接端子，其下端部嵌合于所述接触部件；以及平板状的上盖板，其具有贯穿入口和出口的插通孔，所述入口处于所述上盖板的与所述基板的主面对置的背面，所述出口处于所述上盖板的所述背面的相反侧的正面且与所述入口对置，所述外部连接端子插穿到了所述插通孔，在所述外部连接端子的侧面的与所述插通孔重叠的交叉区域或所述插通孔的内壁面的至少任一方，具备从所述入口朝向所述出口向所述外部连接端子的中心侧倾斜的倾斜面。
[0012]此外，提供制造这样的半导体装置的半导体装置的制造方法。
[0013]技术效果
[0014]根据公开的技术，能够保持外部连接端子的垂直，能够抑制组装性的下降。
附图说明
[0015]图1是第一实施方式的半导体装置的剖面图。
[0016]图2是用于说明第一实施方式的陶瓷电路基板的图。
[0017]图3是用于说明第一实施方式的接触部件的图。
[0018]图4是用于说明第一实施方式的外部连接端子的图。
[0019]图5是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的流程图。
[0020]图6是用于说明第一实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其1)。
[0021]图7是用于说明第一实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其2)。
[0022]图8是用于说明第一实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其3)。
[0023]图9是用于说明第一实施方式的另外的外部连接端子的图(其1)。
[0024]图10是用于说明第一实施方式的另外的外部连接端子的图(其2)。
[0025]图11是第二实施方式的半导体装置的剖面图。
[0026]图12是用于说明第二实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其1)。
[0027]图13是用于说明第二实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其2)。
[0028]图14是第三实施方式的半导体装置的剖面图。
[0029]图15是用于说明第三实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其1)。
[0030]图16是用于说明第三实施方式的壳体对于陶瓷电路基板的安装工序的图(其2)。
[0031]符号说明
[0032]10、10a、10b半导体装置，11绝缘板，12散热板，13导电板，14陶瓷电路基板，15半导体芯片，16焊锡，17接触部件，17a、19a体部，17b贯通孔，17b1、17b2开口端部，17c1、17c2凸缘，18接合线，19、29外部连接端子，19a1侧面，19b、19c前端部，19d、29d、39d引导部，19d1、29d1、32d1、39d1、42d1倾斜面，19d2外表面，20、30、40外装壳，21侧壁，22、32、42上盖板，22a、32a、42a插通孔，22b、32b、42b入口，22c、32c、42c出口，22d、32d、42d内壁面，50印刷电路基板，51嵌合孔
具体实施方式
[0033]以下，参照附图说明实施方式。应予说明，在以下的说明中，“正面”以及“上表面”在图1的半导体装置10中表示朝向上侧的面。同样，“上”在图1的半导体装置10中表示上侧的方向。“背面”以及“下表面”在图1的半导体装置10中表示朝向下侧的面。同样，“下”在图1的半导体装置10中表示下侧的方向。根据需要，在其他的附图中也指同样的方向性。“正面”、“上表面”、“上”、“背面”、“下表面”、“下”、“侧面”仅是便于确定相对的位置关系的表达，并不限定本专利技术的技术思想。例如，“上”以及“下”并不一定指相对于地面的铅垂方向。也就是说，“上”以及”下”的方向并不限定于重力方向。
[0034][第一实施方式][0035]使用图1～图4说明第一实施方式的半导体装置。图1是第一实施方式的半导体装
置的剖面图。此外，图2是用于说明第一实施方式的陶瓷电路基板的图，图3是用于说明第一实施方式的接触部件的图，图4是用于说明第一实施方式的外部连接端子的图。应予说明，图2的(A)表示陶瓷电路基板14的俯视图，图2的(B)表示图2的(A)中的单点划线X－X处的剖面图。图3的(A)表示接触部件17的俯视图，图3的(B)表示图3的(A)中的单点划线X－X处的剖面图。图4的(A)表示外部连接端子19的正面图，图4的(B)表示图4的(A)中的单点划线X－X处的剖面图。
[0036]如图1所示，半导体装置10具有陶瓷电路基板14、在陶瓷电路基板14上配置的半导体芯片15以及接触部件17。此外，半导体装置10具有收置这些部件的外装壳20。此外，半导体装置10具有外部连接端子19。外部连接端子19其下端部被压入接触部件17，且上端部侧的一部分从外装壳20延伸本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片；基板，其具有导电板和绝缘板，所述导电板在正面设置有所述半导体芯片，所述绝缘板在正面形成有所述导电板；筒状的接触部件，其介由接合构件设置于所述导电板上；棒状的外部连接端子，其下端部嵌合于所述接触部件；以及平板状的上盖板，其具有贯穿入口和出口的插通孔，所述入口处于所述上盖板的与所述基板的主面对置的背面，所述出口处于所述上盖板的所述背面的相反侧的正面且与所述入口对置，所述外部连接端子插穿到所述插通孔，在所述外部连接端子的侧面的与所述插通孔重叠的交叉区域和所述插通孔的内壁面中的至少任一方，具备从所述入口朝向所述出口向所述外部连接端子的中心侧倾斜的倾斜面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述交叉区域设置有具备所述倾斜面的引导部，插穿到所述上盖板的所述插通孔的所述外部连接端子与所述插通孔的摩擦力小于所述接触部件对于所述外部连接端子的嵌合力。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引导部是具备所述倾斜面的楔形，且沿着所述外部连接端子的所述交叉区域的周围设置有多个。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引导部包围所述外部连接端子的所述交叉区域的周围，由侧视时呈圆形或椭圆形的树脂构成，且在外表面的一部分具备所述倾斜面。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引导部由侧视时呈半环状的弹性构件构成，且在外表面的一部分具备所述倾斜面。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述倾斜面分别设置于所述交叉区域以及所述插通孔的所述内壁面，所述交叉区域的所述倾斜面与所述内壁面的所述倾斜面重叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：矶崎诚，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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