【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]半导体装置包含例如IGBT(Insulted Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体芯片。这样的半导体装置例如用作电力变换装置。这样的半导体装置具备基板，该基板具有绝缘板和形成于绝缘板的正面的多个导电板。此外，在导电板上配置有半导体芯片以及外部连接端子，从外部连接端子施加的信号经由导电板输入于半导体芯片。此外，从外部连接端子还输入输出主电流，主电流经由导电板而由半导体芯片进行开关。在将外部连接端子安装于导电板时，使用通过焊锡接合于导电板的筒状的接触部件。将外部连接端子嵌合于接触部件，外部连接端子经由接触部件电连接于导电板。并且，将外部连接端子插穿于外装壳的上盖板的插通孔，将外装壳安装于基板(例如，参照专利文献1)。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片；基板，其具有导电板和绝缘板，所述导电板在正面设置有所述半导体芯片，所述绝缘板在正面形成有所述导电板；筒状的接触部件，其介由接合构件设置于所述导电板上；棒状的外部连接端子，其下端部嵌合于所述接触部件；以及平板状的上盖板，其具有贯穿入口和出口的插通孔，所述入口处于所述上盖板的与所述基板的主面对置的背面，所述出口处于所述上盖板的所述背面的相反侧的正面且与所述入口对置，所述外部连接端子插穿到所述插通孔，在所述外部连接端子的侧面的与所述插通孔重叠的交叉区域和所述插通孔的内壁面中的至少任一方，具备从所述入口朝向所述出口向所述外部连接端子的中心侧倾斜的倾斜面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述交叉区域设置有具备所述倾斜面的引导部，插穿到所述上盖板的所述插通孔的所述外部连接端子与所述插通孔的摩擦力小于所述接触部件对于所述外部连接端子的嵌合力。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引导部是具备所述倾斜面的楔形，且沿着所述外部连接端子的所述交叉区域的周围设置有多个。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引导部包围所述外部连接端子的所述交叉区域的周围，由侧视时呈圆形或椭圆形的树脂构成，且在外表面的一部分具备所述倾斜面。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引导部由侧视时呈半环状的弹性构件构成，且在外表面的一部分具备所述倾斜面。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述倾斜面分别设置于所述交叉区域以及所述插通孔的所述内壁面，所述交叉区域的所述倾斜面与所述内壁面的所述倾斜面重叠...
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