本技术涉及半导体功率器件领域，具体涉及一种半导体功率器件结构，包括外壳，外壳的两侧均设有用于连接的引脚，外壳的顶面设有开口，开口内设置有工作组件，开口的上方盖合有衬盖，外壳和衬盖的外侧面包裹有反射板，反射板的内侧面设有隔热块，反射板靠近...

本技术涉及半导体领域，具体涉及一种半导体散热结构，包括外壳和工作组件，外壳的两侧均分布有引脚，外壳的顶面设有置物槽，工作组件固定在置物槽的内侧且与引脚进行连接，置物槽的上方盖合有保护盖，保护盖的顶面分布有散热片，置物槽的底面分布有出热孔...

本发明提出一种低导通电阻分离栅MOSFET芯片及其制造方法，该MOSFET芯片的栅极多晶硅罩覆于分离栅多晶硅外部，使使分离栅多晶硅与栅极多晶硅之间的隔离氧化层形成倒扣碗型结构，该MOSFET芯片为了克服常规分离栅MOSFET结构中的缺陷...

本发明提出一种具有防静电结构的MOSFET器件，包括MOSFET器件本体，还包括ESD防护芯片，ESD防护芯片连接于MOSFET器件本体的源极和栅极之间，由ESD防护芯片对MOSFET器件本体进行静电防护。该MOSFET器件采用多芯片封...

本实用新型提出一种双向硅控整流器，包括衬底外延晶体、硅控整流器区域及触发区域，硅控整流器区域及触发区域位于衬底外延晶体上，硅控整流器一端通过金属连接至输入端IO1，另一端通过金属连接至输出端IO2，形成IO1

本发明涉及刮边设备技术领域，尤其是一种用于场效应晶体管生产的刮边装置及其刮边方法，包括底架，所述底架的顶部开设有滑动口，所述滑动口的内壁上滑动连接有安装块，所述滑动口内设有驱动机构，所述驱动机构用于带动安装块沿着滑动口的内壁往复进行移动...

本发明涉及电子产品加工设备技术领域，尤其是一种用于MOS管生产用的涂胶设备及其涂胶方法，包括加工台，加工台的顶部固定连接有安装板，安装板的顶部固定连接有多个支撑架，支撑架顶部转动连接有转动盘，转动盘的底部连接有用于驱动转动盘旋转的驱动机...

本实用新型涉及电器领域的电源管理控制器，包括壳体、显示器、电流控制器和电源开关，所述电流控制器位于壳体的内部，显示器位于壳体的表面，壳体的一端设有可调控电流的调节按钮，调节按钮的下方设有电源连接口，壳体的内部设有散热座，壳体靠近散热座的...

本发明提出一种双向硅控整流器，包括衬底外延晶体、硅控整流器区域及触发区域，硅控整流器区域及触发区域位于衬底外延晶体上，硅控整流器一端通过金属连接至输入端IO1，另一端通过金属连接至输出端IO2，形成IO1

本实用新型涉及传送技术领域的电子器件封装框架加工用的间歇传送设备，包括壳体、控制箱、入料机构、出料机构和间歇机构，入料机构安装在壳体左端，出料机构安装在壳体右端，间歇机构安装在壳体中部，控制箱安装在壳体顶面，间歇机构包括间歇外壳、支架、...

本实用新型涉及灯具领域的可熄灯充电的应急负载装置，包括壳体、电池和电灯条，所述壳体包括前壳和后盖，前壳和后盖可活动连接，电池置于前壳的内部，电池的一端设有直流驱动板，电灯条位于后盖的一端，后盖和前壳相反的一端设有感应红外灯，所述后盖的内...

本实用新型涉及半导体领域的瞬态抑制二极管，包括二极管本体和封装外壳，封装外壳罩盖于二极管本体的外围，二极管本体的顶部设有散热贴片，散热贴片的底部两侧设有安装块，二极管本体的顶部开设有用于安装散热贴片的安装槽，散热贴片通过安装块嵌入安装槽...

本实用新型提出一种瞬态电压抑制器，包括芯片本体，该芯片本体的电极从芯片本体的背面引出，芯片本体正面具有玻璃面板，玻璃面板与芯片本体相互键合。芯片本体背面刻蚀有深槽及深孔，深槽及深孔贯穿芯片本体，金属通过深槽深孔与焊盘相连。芯片本体背面还...

本实用新型提出一种骤回型瞬态电压抑制器，包括衬底，衬底上具有外延层，外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱，N型隔离阱中具有P型重掺杂极，P型隔离阱中具有N型重掺杂极。N型隔离阱与P型隔离阱相互分隔，P型重掺杂极与N型重掺杂极相互隔离。该骤...

本实用新型提出一种具有VCC端口的低电容瞬态电压抑制器，包括衬底，衬底上具有与之类型相反的外延层，外延层上具有VCC端口与I/O端口，其中，VCC端口与I/O端口之间相互隔离；衬底为P型衬底，外延层为N型外延层，衬底的电阻率为10～50...

本实用新型提出一种双向骤回型瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上具有N型外延层，N型外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱，N型隔离阱与P型隔离阱间隔设置，其中，N型隔离阱与P型隔离阱之间设有P+隔离阱。P型衬底的电阻率为10～50MΩ...

本实用新型提出一种纵向结构双向低电容瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体上具有I/O端口，I/O端口到芯片本体背面有两条支路，两条支路用深槽隔离开，其中一条支路由P+、N‑epi、BN、P‑sub组成，BN与P‑sub形成TVS管，P...

本实用新型提出一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面...

本发明公开了一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。上述结构可以在不改变产品尺寸和工艺条件增加浪涌功率，使...

本实用新型公开了一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。上述结构可以在不改变产品尺寸和工艺条件增加浪涌功率...