瞬态抑制二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体领域的瞬态抑制二极管，包括二极管本体和封装外壳，封装外壳罩盖于二极管本体的外围，二极管本体的顶部设有散热贴片，散热贴片的底部两侧设有安装块，二极管本体的顶部开设有用于安装散热贴片的安装槽，散热贴片通过安装块嵌入安装槽内部，封装外壳的顶部设有散热部，二极管本体两侧为焊接部，采用封装外壳设有的多个散热槽结构使二极管本体设有的散热贴片经空气的流通对二极管本体进行有效的散热，其结构简单，安装便捷，散热结构成本低，适配的瞬态抑制二极管规格型号多样，适合广泛推广。适合广泛推广。适合广泛推广。

【技术实现步骤摘要】
瞬态抑制二极管


[0001]本技术涉及半导体领域，具体为瞬态抑制二极管。

技术介绍

[0002]瞬态抑制二极管又名TVS，瞬态抑制二极管可以在负55度至155度之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从25度到175度，大约线性下降50%雨击穿电压VBR 随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
[0003]现如今的瞬态抑制二极管对于温度的控制要求越来越高，工作温度的稳定对与电压的稳压控制精度也越高，但是二极管采用的封装结构不能达到有效的散热效果，对瞬态抑制二极管采用其他的散热方案结构复杂，不便于安装使用。

技术实现思路

[0004]本技术针对的目的是解决以上缺陷，提供瞬态抑制二极管。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：
[0006]瞬态抑制二极管，包括二极管本体和封装外壳，封装外壳罩盖于二极管本体的外围，二极管本体的顶部设有散热贴片，散热贴片的底部两侧设有安装块，二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.瞬态抑制二极管，包括二极管本体和封装外壳，封装外壳罩盖于二极管本体的外围，其特征在于：所述二极管本体的顶部设有散热贴片，散热贴片的底部两侧设有安装块，二极管本体的顶部开设有用于安装散热贴片的安装槽，散热贴片通过安装块嵌入安装槽内部，封装外壳的顶部设有散热部，二极管本体两侧为焊接部。2.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆亚斌，
申请(专利权)人：深圳傲威半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：