【技术实现步骤摘要】
一种超快恢复二极管
[0001]本技术属于二极管
,具体为一种超快恢复二极管。
技术介绍
[0002]二极管是用半导体材料制成的一种电子器件,它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。
[0003]外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿,引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压,电击穿时二极管失去单向导电性,此时二极管本体内部会较热,如果该热量过热并超过二极管承受温度,则二极管会单向导电性能并永久损坏。
[0004]可是,现有的二极管在针对电击穿产生的热量不能够快速导热排出,进而大大降低了二极管的恢复速度,另外,当二极管电击穿而内腔过热时,由于内外温差,二极管的内腔中会产生一定的蒸汽,蒸汽会长时间停留在二极管的内腔中而造成内部触丝或者晶片潮湿影响正常使用,进而降低了二极管的使用寿命。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种超快恢复二极管,以解决现有技术中二极管在针对电击穿产生的热量不能够快速导热排出而降低恢复速度、电击穿内外 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超快恢复二极管,包括二极管本体(1),其特征在于:所述二极管本体(1)上设有支架(11)、晶片(12)、触丝(13)、引脚(14),所述二极管本体(1)的外壳外壁开设有插槽(2)、锁止卡槽(21)、填充槽(22),所述二极管本体(1)的外壳内壁上开设有干燥槽(6),所述插槽(2)内插设有微型散热片(4),所述微型散热片(4)上设有排热孔(41)、软卡块(5),所述软卡块(5)与锁止卡槽(21)卡接,所述填充槽(22)内设有导热硅脂层(3),所述干燥槽(6)内设有干燥颗粒层(7)、软质隔网(8)。2.根据权利要求1所述的一种超快恢复二极管,其特征在于:所述插槽(2)、锁止卡槽(21)、填充槽(22)为一组并与干燥槽(6)沿着二极管本体(1)的壳体交错排列设置。3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟平权,
申请(专利权)人:东莞市通科电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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