【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体功率器件领域，具体涉及一种半导体功率器件结构。
技术介绍
1、功率半导体器件又称电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能(功率)处理的核心器件，弱电控制与强电运行间的桥梁。
2、现有的半导体功率器件在进行使用时，由于电阻率受外界条件(如热、光等)的影响很大。温度升高或受光照射时均可使电阻率迅速下降。一些特殊的半导体在电场或磁场的作用下，电阻率也会发生改变，影响使用。
技术实现思路
1、本技术的目的是解决以上缺陷，提供一种半导体功率器件结构。
2、本技术的目的是通过以下方式实现的：一种半导体功率器件结构，包括外壳，外壳的两侧均设有用于连接的引脚，外壳的顶面设有开口，开口内设置有工作组件，开口的上方盖合有衬盖，外壳和衬盖的外侧面包裹有反射板，反射板的内侧面设有隔热块，反射板靠近引脚的位置设有避让位。
3、上述说明中，作为进一步的方案，所述工作组件包括半导块和导体，外壳内侧的底面铺设有金属层，金属层的上方设有外延层，导体设置在外延层的上方。
4、上述说明中，作为进一步的方案，所述导体的顶面的顶端均设有与半导块相匹配的凹槽，半导块固定在凹槽内。
5、上述说明中，作为进一步的方案，所述半导块的顶面分别设有漏极和源极。
6、上述说明中，作为进一步的方案，所述导体的顶面的中部设有栅极，栅极与导体进行连接。
7、本技术所产生的有益效果如下：通过在外壳的外侧面加装反射板，反射板的
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1.一种半导体功率器件结构，包括外壳，外壳的两侧均设有用于连接的引脚，其特征在于：外壳的顶面设有开口，开口内设置有工作组件，开口的上方盖合有衬盖，外壳和衬盖的外侧面包裹有反射板，反射板的内侧面设有隔热块，反射板靠近引脚的位置设有避让位。
2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件结构，其特征在于：所述工作组件包括半导块和导体，外壳内侧的底面铺设有金属层，金属层的上方设有外延层，导体设置在外延层的上方。
3.根据权利要求2所述的一种半导体功率器件结构，其特征在于：所述导体的顶面的顶端均设有与半导块相匹配的凹槽，半导块固定在凹槽内。
4.根据权利要求2所述的一种半导体功率器件结构，其特征在于：所述半导块的顶面分别设有漏极和源极。
5.根据权利要求2所述的一种半导体功率器件结构，其特征在于：所述导体的顶面的中部设有栅极，栅极与导体进行连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件结构，包括外壳，外壳的两侧均设有用于连接的引脚，其特征在于：外壳的顶面设有开口，开口内设置有工作组件，开口的上方盖合有衬盖，外壳和衬盖的外侧面包裹有反射板，反射板的内侧面设有隔热块，反射板靠近引脚的位置设有避让位。
2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件结构，其特征在于：所述工作组件包括半导块和导体，外壳内侧的底面铺设有金属层，金属层的上方设有外延层，导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雪，
申请(专利权)人：深圳傲威半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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