本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为多个串联的二极管，通过调节二极管的工作数量调节TVS管...

本实用新型提供一种Trench MOS工艺半导体器件的版图结构，包括元胞区和终端区，所述终端区设置于所述元胞区的外围，所述元胞区延中心区域凹陷形成触发区，所述元胞区与所述终端区之间设有栅极通道，所述元胞区与所述触发区之间设有栅极电阻区域...

本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且...

本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件的内圈区形成有元胞区、触发区和内圈终端区；元胞区中形成有第一MOS管，触发区中形成有TVS管；内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构；外圈区的基板主体上形成...

本发明提供一种单向平面二极管的TVS器件，包括基板，所述基板被划分为元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区，所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延，所述外延上设置开口向上的沟槽，所述衬底下形...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的异质外延层，所述...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在衬底上的异质外延层，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管；元胞区及元胞区至触发区包...

本发明提供一种可调电压的半导体器件及制造方法，提供一基板，所述基板划分元胞区、终端区，所述元胞区向中心凹陷，凹陷区域定义为触发区，触发区内形成串联的PN结构，在不同的实际应用场景中，通过熔丝技术或短接技术，动态调整TVS结构中的PN结个...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；所述基板主体上形成有...

本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中LDMOS工艺TVS器件包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；基板主体...

本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件的内圈区形成有元胞区、触发区和内圈终端区；元胞区中形成有第一MOS管，触发区中形成有TVS管；内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构；外圈区的基板主体上...

本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为多个串联的二极管，通过调节二极管的工作数量调节...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件的内圈区形成有元胞区、触发区和内圈终端区；元胞区中形成有第一MOS管，触发区中形成有TVS管；内圈区的基板主体上形成有第一栅极电阻、第一栅极结构；外圈区的基板主体上形成有第二MOS管...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为NPN结构或PNP结构；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金...

本发明提供一种SGT工艺的TVS器件及制造方法，通过SGT工艺，在元胞区与终端区设置沟槽，同时在位于元胞区的沟槽中设置堆叠第一多晶硅和第二多晶硅，在位于终端区的两个沟槽之间形成重掺杂第一导电类型的第一掺杂区及第二导电类型的第二掺杂区，以...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述TVS管为二极管结构，所述二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且所...

本发明提供了一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法，包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为NPN结构或PNP结构；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的...

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为多个串联的二极管，通过调节二极管的工作数量调节所述TVS...

本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管；TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且P区...

本发明提供一种TVS器件及制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个自下而上依次包括重掺杂第一导电类型的衬底及轻掺杂第一导电类型的外延的基板；在所述外延形成元胞区沟槽及终端区沟槽；在两个所述终端区沟槽之间的所述外延表面形成重掺杂第一导电类型...