一种微电子技术领域的硅基多层螺旋差分电感。本发明包括：衬底、六层二氧化硅层、六层金属螺旋线圈、连接通孔、金属导体和端口，第一层二氧化硅层设置在硅衬底上，六层金属螺旋线圈分别对应设置在六层二氧化硅层上，端口与第六层金属螺旋圈处在一个平面上...

本发明涉及一种简支梁型微电子机械系统探卡及其制备方法，采用ＵＶ－ＬＩＧＡ多次光刻、电镀工艺在基片上制备弹性金属探针，在探针结构上采用简支梁代替目前的悬臂梁，以承受和产生更大的刺穿氧化膜应力，并通过设计简支梁的厚度来调节探针的位移。本发明...

一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：（１）确定探测器类型为探测中心波长在６０微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；（２）...

一种半导体光刻技术领域的基于多传感器数据融合的硅片预定位系统。本发明中，传感器模块将检测到的硅片信息连接到信号调理模块，信号调理模块对硅片信息进行调理，调理后的信号连接到数据采集模块，数据采集模块将信号调理模块调理后的信号转换成数据，并...

本发明涉及的是一种半导体材料技术领域的量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法。包括如下步骤：①用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模...

本发明涉及一种人造视网膜神经柔性阵列微电极芯片及其制造方法，以聚对二甲苯为柔性基底，采用微机电系统加工工艺，制备出由若干个微电极敏感元排列构成的微电极阵列，并将微电极阵列与微电缆引线、引线接点、转接口等部分合成，构成一个人造视网膜神经柔...

一种全局互连铜镂空结构的制造方法，属于集成电路金属互连多层结构的制造方法。包括如下步骤：（１）形成图形化的阻挡层，溅射种子层，光刻，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子；（２）刻蚀底膜，填充牺牲层，研磨抛光，溅射种子层，光刻电镀，去胶，刻蚀底膜...

本发明涉及一种在Ｓｉ基板上制备高度（１１０）取向铁电薄膜的方法，包括：粘结层材料的选择，（１１０）取向Ｐｔ的制备以及高度（１１０）取向钙钛矿型铁电薄膜的制备。使用氧化物电极作为ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ基板的缓冲层，并在氧化物缓冲层上通过物理...

本发明提供了一种带有弹性导电凸块的微电子元件，包括半导体芯片和设置于该半导体芯片表面焊垫上的导电凸块，其特征在于所述导电凸块包括一导电层和一弹性导电层，所述导电层与所述半导体芯片表面焊垫电连接，所述弹性导电层与所述导电层冶金连接。同时提...

一种属于微细加工技术领域的刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法。具体包括如下步骤：（１）沉积氮化铝薄膜；（２）制备微掩模图形；（３）对氮化铝薄膜进行图形化：置入等离子体刻蚀真空腔中，产生氟基混合气体等离子体，利用物理轰击、化学反应或者两者综合作用...

一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Ｓｉ元素部分取代Ｔｅ↓［ａ］Ｇｅ↓［ｂ］Ｓｂ↓［１００－（ａ＋ｂ）］合金中的Ｇｅ元素形成的Ｔｅ↓［ａ］Ｇｅ↓［ｂ－ｃ］Ｓｉ↓［ｃ］Ｓｂ↓［１００－（ａ＋ｂ）］合金薄膜，其...

一种微电子技术领域的基于镓掺杂Ｇａ↓［３］Ｓｂ↓［８］Ｔｅ↓［１］相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括：硅衬底、上下电极、加热层、相变材料和绝缘介质层，所述相变材料为硫系化合物Ｇａ↓［３］Ｓｂ↓［８］Ｔｅ↓［１］。方法如下：在...

本发明涉及的是测量技术领域的膜基结合性能的背面穿透式的测量方法。本发明采用顶杆穿透待测部件基底体系，载荷加载于顶杆下端，推动顶杆使薄膜发生挠曲变形，以静载荷形式加载时，薄膜的挠度和载荷大小由相应传感器分别获得，通过板壳理论公式计算出静载...

一种微电子技术领域的用于相变存储器的ＳｉＳｂ基相变薄膜材料，其组分为（Ｓｉ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｍ↓［ｙ］，其中元素Ｍ是Ｏ元素或Ｎ元素或它们的混合物，掺杂元素Ｍ的含量ｙ是０－１５％原子百分比，Ｓｉ含量ｘ为５－９０％原子百...

一种光电技术领域的背照式光门型ＣＭＯＳ图像传感器，其中：由光门栅极、二氧化硅和硅体而形成光门结构位于硅体背向入射光线的一侧，用于收集扩散而来的信号电子。信号电子转移栅极、信号电子转移源极区和悬浮扩散区与硅体和二氧化硅层构成一ＮＭＯＳ晶体...

本发明涉及一种测量技术领域的测量硅基体与膜基结合强度的方法。本发明方法为：在硅基底背面使用刻蚀法制作带窗口的图案，在窗口中预留部分基体作为加载的平台，基底正面的薄膜暴露在背面的窗口中，当预留下的基体受压穿透基体并带动薄膜脱离基体时，记录...

一种发光材料技术领域的紫外光激发的白光发光二极管用单一相荧光粉，结构式为：Ｌｉ↓［１＋ｘ］Ａ↓［３－２ｘ］Ｅ↓［ｘ］ＤＶ↓［３］Ｏ↓［１２］，其中：Ａ为Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ中一种，Ｅ为Ｅｕ、Ｄｙ、Ｓｍ、Ｅｒ中一种，Ｄ为Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ...

一种微电子技术领域的悬空结构射频微电感及其制作方法。所述悬空结构射频微电感中，金属螺旋型线圈与衬底间设有支撑体，支撑体一端与金属螺旋型线圈连接，支撑体另一端与衬底连接，在金属螺旋型线圈与引线连接处设有连接体，连接体两端分别与金属螺旋型线...

一种集成电路技术领域的基于氮化铝导热层的无线全局互联线组件，包括：互联穿孔、硅基片、金属隔离层、氮化铝导热层、散热片以及馈电缝隙。互联穿孔一端与金属隔离层相连，另一端深入氮化铝导热层。金属隔离层中刻蚀馈电缝隙。本发明通过调节互联穿孔的间...

一种硅基介质阻挡型一维纳米电极结构，属于微型电子器件领域。本发明由上部和下部两个硅基片键合而成，下部硅基片局部有凹坑结构，凹坑中布置有图形化的一维纳米材料膜，一维纳米材料膜的下部布置有图形化的金属导电层。本发明应用于基于气体放电的电子器...