一种半导体器件微型散热器，属于半导体微电子技术领域。本发明由一层或一层以上的金属层构成，所述的金属层包括单金属层或合金层，所述的单金属是Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ中的一种，所述的合金由上述任意两种或...

一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅...

一种纳米材料键合在金属电极上的方法，属于纳米技术领域。本发明将准一维纳米材料连接于芯片上的金属电极之间，使准一维纳米材料的端部搭在金属电极的上表面或被压在金属电极下表面，使用加有超声的超声键合头挤压准一维纳米材料与金属电极的接触局部，使...

一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，...

一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，包括３种类型，其一是Ｔｅ↓［ａ］Ｓｉ↓［ｂ］Ｓｂ↓［１００－（ａ＋ｂ）］合金薄膜，其二是Ｓｉ掺杂进入Ｇｅ－Ｓｂ－Ｔｅ合金之中形成的（Ｔｅ↓［ａ］Ｇｅ↓［ｂ］Ｓｂ↓［１００...

一种降低相变存储器编程电流的单元结构，属于微电子领域。本发明包括：集成电路衬底、下电极、硫族化物合金相变层、加热层、上电极、绝缘介质层，在集成电路衬底上设有下电极，上电极设在硫族化物合金相变层上，硫族化物合金相变层和加热层设在绝缘介质层...

一种可实现多位存储的单元结构，属于微电子技术领域。本发明包括：基底、下电极、相变层、加热层、阻挡层、上电极、绝缘侧壁，基底设在最下层，在基底的上面设有下电极，上电极设在最上层，在下电极和上电极之间设有至少三层相变层，上电极与相变层之间、...

一种高介电常数栅介质ＴｉＯ↓［２］／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］堆栈结构薄膜，由Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］缓冲层、ＴｉＯ↓［２］层组成，ＴｉＯ↓［２］层沉积在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］缓冲层上，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］缓冲层厚度为１～３ｎｍ，ＴｉＯ↓［...

一种微电子技术领域的空芯结构射频螺线管微电感的制作方法，采用微机电系统技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准－ＬＩＧＡ技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具；采用电镀工艺和抛光技术...

一种微电子技术领域的基于微机电系统的射频螺线管微电感，包括：玻璃衬底、引脚、线圈、平面波导线、绝缘材料，绝缘材料、平面波导线和引脚设置在玻璃衬底上，在引脚之间设置线圈，引脚分别与线圈的两个端点相连接，在玻璃衬底的平面上设置底层线圈、平面...

一种微电子技术领域的基于微机电系统的射频螺线管微电感的制作方法，采用微机电系统技术，对清洗干净的玻璃衬底进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准－ＬＩＧＡ技术和厚光刻胶工艺制备线圈和连接导体的光刻胶模具；采用电镀工...

一种大面积轻量化太阳能电池的封装方法，属于能源技术领域。本发明包括以下步骤：（１）将要封装的太阳能电池硅晶片串联或并联连接成排；（２）自上而下依照以下顺序相叠：ＥＶＡ、太阳能电池、ＥＶＡ、ＰＶＦ膜、ＦＲ－４环氧玻璃纤维基板；（３）层压５...

一种适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构，属于传感器和电子光学器件领域。本发明包括：基片和碳纳米管侧壁电极，基片表面支撑和排列碳纳米管侧壁电极，所述的基片由一种或多种导电材料、半导体材料和绝缘材料组合而成，基层为单层或者多层，基层或...

本发明涉及一种锐钛矿型纳米晶ＴｉＯ↓［２］太阳能电池材料的制备方法，首先将钛酸酯水解得到沉淀物，然后将沉淀物洗净转入有机季铵碱水溶液中，加热回流进行溶胶，溶胶完成后，在１９０～２３０℃的聚四氟乙烯密封容器中保温，得到锐钛矿二氧化钛纳米晶...

一种材料技术领域的高介电常数栅介质ＰｒＡｌ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］薄膜，包含的组分及重量百分比为：Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］１％～２４％，其余为Ｐｒ↓［２］Ｏ↓［３］。当Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］重量百分比为１２％时，ＰｒＡｌ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］与硅的...

一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，包括如下步骤：（１）衬底的清洗，（２）底电极层的制备，（３）金属支柱层的制备，（４）金属顶电极层的制备，（５）去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金...

一种传感器技术领域的使用一维纳米材料的微型气体传感器。本发明包括：衬底、金属底电极层、一维纳米材料层、金属支柱层、金属顶电极层。其中，金属底电极层设置在衬底上，一维纳米材料层设置在金属底电极层之上，金属支柱层设置在衬底之上，顶电极设置在...

一种半导体技术领域的二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、ｎ型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与ｎ型...

本发明涉及一种微电极防短路隔离胶结构，属于微电子技术领域。本发明包括：嵌入微电极间隙的基座部分和高于微电极的凸出部分，基座部分将微电极间隙完全填充，长度为微电极长度，宽度为微电极间隙距离，高度为微电极高度；凸出部分的长度为微电极长度，宽...

一种微细加工技术领域的基于多层加工技术的微针制备方法，步骤为：１）沉积钛薄膜，并作氧化处理；２）甩ＳＵ－８负胶，前烘好后进行曝光，中烘、显影、电镀及机械研磨与抛光，得到第一层所需厚度的金属结构；３）抛光后的表面作金属活化处理；４）重复第...