本发明提供了一种基于单像素成像的冷镜式水汽浓度、露点检测系统及方法，基于单像素成像的冷镜式水汽浓度检测系统包括镜面制冷模块、检测模块和控制模块，该检测系统在检测镜面状态过程中能够区分相变与污染物，可靠性强，该检测系统使用低成本的单像素探...

本申请提供了一种半导体外延生长参数的反演方法、系统、检测装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请通过基于当前工艺参数和预存气体分子光谱吸收数据库计算气相组分的吸收特性参数，并进一步得到探测光路的气相透射率，对半导体外延生长过程中的...

本发明涉及半导体检测技术领域，提供一种半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统。该方法包括：在发射光路中，向半导体反应腔内的晶圆表面发射入射光束；在主接收光路中，获取晶圆表面反射的主通道信号，主接收光路与发射光路在晶圆表面形成共焦关系；...

本申请涉及一种光电探测装置及单色激光干涉终点检测系统。该光电探测装置包括：光电探测单元、第一驱动单元、第一处理单元、第一阻抗单元、第二阻抗单元和偏压控制单元；其中，光电探测单元将入射光信号转换为光电流信号，第一驱动单元将光电流信号转换为...

本发明涉及半导体检测技术领域，提供一种半导体晶圆翘曲度的检测方法和装置，该方法，包括：向半导体设备反应腔的观察窗发射一束激光；使激光的一部分经观察窗部分反射形成参考反射光束，激光的另一部分透射到半导体设备反应腔中的晶圆的表面，再由晶圆的...

本申请提供了一种半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请实时获取反射光谱数据并解析得到光学特征集，再将光学特征集输入光学传输模型中进行迭代优化，得到预测生长速率；将预测生长速率与目标生长速率进行...

本申请涉及一种工艺终点的检测方法及半导体设备，检测方法包括，向吸收池内吹扫惰性气体，采集惰性气体的惰性气体干涉图得到初始背景光谱，将初始背景光谱作为基准背景光谱；停止惰性气体的吹扫，将半导体设备的尾气排放管路中的待检测气体通入吸收池，采...

本申请提供了一种半导体用光导管的故障诊断方法、系统、检测装置、计算机设备及介质，本申请联合解析第一检测数据和第二检测数据；根据解析结果生成相应的故障诊断结果及维护策略，使工程师能够区分不同故障的紧急状态，不仅可以提前发现光导管污染、机械...

本申请提供了一种电化学气体传感器及其制备方法，其中电化学气体传感器包括：壳体，具有安装槽，且所述安装槽的槽口位于所述壳体的顶部；隔离膜，覆盖所述槽口，化学气体可通过所述隔离膜进入所述安装槽内；复合电极层，设于所述安装槽内，并将所述安装槽...

本发明公开了一种用于半导体工艺气路的监测控制方法及系统，涉及半导体气体浓度检测领域，包括以下步骤：将一测量仪器设置于气体混合器下游且工艺腔室上游；对流道气体进行顺流与逆流时间检测，并对声速和流量补偿，然后浓度反演以获得混合气体的实际浓度...

本发明公开了一种非侵入式超声波气体浓度与流量同步测量装置，涉及气体测量设备领域，包括：气体管道；夹具本体，夹持并包覆于所述气体管道外，所述夹具本体开设有安装空间；换能器组件包括一对超声波换能器，超声波换能器包括声波发生面，声波发生面与气...

本发明公开了一种半导体刻蚀终点的检测方法及多通道检测系统，检测方法，包括以下步骤，输出检测光线；将检测光线展开为连续光谱带；将连续光谱带成像至数字微镜器件的调制面，对应连续光谱带的每个窄带波长建立像素组；对连续光谱带进行空间采样，为每个...

本申请涉及一种气体浓度检测装置及实时检测方法。该气体浓度检测装置，用于实时检测半导体设备的第一气路中的多元混合气体中待测气体的浓度，该装置包括测量腔、参考腔、第一超声波发射换能器、第一超声波接收换能器、第二超声波发射换能器、第二超声波接...

本发明公开了一种气体流速与浓度的超声波检测方法与系统，涉及半导体气体浓度检测领域，包括以下步骤：在待测气体管道上布置第一超声波换能器和第二超声波换能器；控制第一换能器发射超声波，并由第二换能器接收，获得第一飞行时间；控制第二换能器发射超...

本申请提供了一种预测模型构建方法、温度测量方法及其模块、测量装置，涉及半导体检测技术领域，本申请基于倾斜光纤光栅的结构参数和温度场状态参数构建预测模型，使得所构建的预测模型能够在给定温度场分布和结构参数的条件下精确预测倾斜光纤光栅的多级...

本发明公开了一种用于半导体干法工艺的多模态终点检测系统及方法，涉及气体浓度检测领域，包括：光源模块；气体吸收池；参考光路调节单元包括用于调节信号的可调衰减器；第一光电探测器用于检测透射信号；第二光电探测器用于检测参考信号；侧向散射光探测...

本发明提供了一种气体分析仪的馈通组件、钎焊工装及其制备方法，其中馈通组件包括不锈钢基座，具有安装孔，所述不锈钢基座用于密封连接气体分析仪上的传感器主体；不锈钢承载件，安装于所述安装孔内，并与所述不锈钢基座密封连接，所述不锈钢承载件具有通...

本发明公开了一种用于半导体工艺腔室的清洗终点判断方法及系统，清洗终点判断方法包括以下步骤，获取清洗过程中产生的特征气体的光学参数，对光学参数进行数据处理，得到归一化吸收率A；获取清洗过程中产生的特征气体的电气参数V；对光学参数和电气参数...

本发明公开了一种薄膜生长设备腔室的清洁终点判断方法及清洁终点检测系统，其中清洁终点判断方法，包括：获取特征气体峰值浓度C和特征气体到达峰值的时间T；根据特征气体峰值浓度C和时间T标定正式清洁的参数；根据标定的参数对工艺腔室进行正式清洁；...

本发明公开了一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统，刻蚀终点检测方法包括：获取气体浓度信号；对气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T；设定标准值A，将对比数据...