上海北京大学微电子研究院专利技术

上海北京大学微电子研究院共有143项专利

  • 本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法,以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真,在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数,并将仿真结果和实测值进...
  • 本发明提供了一种QFN封装防溢保护方法。塑封时,当塑料填充物流到防溢保护膜下边沿处的激光监测点处时,停止塑料填充物的填充,保证引脚金属完整地裸露在外面。可以改变防溢保护膜相对于引脚框架的外延长度以及激光监测点的位置,实现对不同的封装防溢...
  • 本发明提供了一种封装设计文件全信息保护方法及流程,以解决封装设计文件在不同工具导入导出中出现的信息丢失与不匹配,主要包含输入文件预处理模块和对比失真度模块。
  • 本发明提供了一种集成电路封装设计的电、热以及力学特性的建模方法,用以提高封装设计的灵活性、直观性和通用性,主要包括电学参数提取模块,电学参数自动优化模块;热学参数提取模块,热学参数自动优化模块;力学参数提取模块,力学参数自动优化模块;公...
  • 本发明公开了一种新型的包含考虑电子产品封装的电、热及力学特性的协同环境。与传统的电子产品设计,封装方法和流程相比,极大地降低了设计的复杂度,减小了产品设计周期,提高了一次性设计成功率。其特征在于在集总的设计平台上提供了对电子产品封装的电...
  • 本发明公开了一种集成电路封装的电、热特性协同设计方法与流程。其特征在于在设计阶段充分考虑封装设计的热、电学特性对集成电路性能的影响,同时与核心的集成电路设计进行协同优化,可以根据成本和实现复杂度等因素从封装设计和电路设计两方面优化系统性...
  • 本发明提供了一种高精度LED驱动电路和恒流控制方法,以解决Buck结构驱动电路电流大小对输出电压及电感大小依赖性强的问题。所述驱动电路包括续流二极管D1、功率电感L1、功率管Q1、检测电阻R1以及功率管控制器。功率管控制器检测流过功率管...
  • 本发明公开了一种带有温度反馈的LED驱动电路,以解决LED驱动电路温度过高的问题。不同于现有LED驱动芯片过温会停止工作,导致LED出现闪烁。所述LED驱动芯片包括误差放大器,还包括过温识别模块,用于识别出LED驱动芯片过温;电压控制模...
  • 本发明公开了一种随输出负载可变的频率控制器的新结构。该结构将输出负载的反馈电压转换为反馈电流,并将该电流镜像到电流转化为电压的电路,和另一固定电流一起对固定电容充电,根据充电电流的大小决定电容电压达到设定值的时间,从而决定比较器输出信号...
  • 本发明公开了一种新型多模式PWM控制电路,与传统PWM控制电路相比,特征在于采用多通道多电压的PWM比较器,根据开关电源系统的反馈电压的不同,改变PWM比较器的参考电压的大小。采用这种方法,可以满足不同负载下动态控制流过LED的电流的需...
  • 本发明提出了一种可提供统一测试环境的LED批量抗静电测试基座。通过利用它,可控制测试人员在批量样品静电测试中引入环境因素。该方法在恒温条件下,将待测元件通过基座接入静电测试系统。适用于人体模型,机械模型,TLP模型等各种静电检测终端。可...
  • 本发明公开了一种可为LED显示屏提供出厂前漏电流测试与在线漏电流比较的测控系统。其特征在于,首先在LED显示屏电路中的每颗LED管的正负两极预留检测终端,然后将上述的各个终端引入与漏电流测试仪相连的带多串行扫描功能的测控系统。该测控系统...
  • 本发明提供了一种纳米工艺下提高有源器件性能的设计方法,该方法设计条形衬底(B)并将之位于NMOS器件漏端(D)一侧,与D端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。该方法设计条形衬底(B)并将之位于PMOS器件源端(S)一侧,与S端相隔的...
  • 本发明提供了纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法。其中该结构包括:对于NMOS,栅到源端STI的距离小于栅到漏端STI的距离;对于PMOS,栅到漏端STI的距离小于栅到源端STI的距离。其中该方法包括:对于NMOS,将器件的栅到源端S...
  • 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法,该测试结构包括至少两个子测试结构,所述子测试结构是一条通孔链,所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线,所述通孔连通上下两层相邻的金属层,所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成,且上...
  • 本发明提出了一种生成精确的互连线电阻(R)电容(C)工艺角解析模型的方法。该方法改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量(skew)值,通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式,建立与实际结果相近的更为精确的互连线工艺...
  • 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法,以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括:测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容,测量金属结构combmeander的层内电容,测量平行金属板结构和金属结构comb...
  • 本发明为互连线电阻电容的测量结构和方法,提供了多层互连线测试结构中的层内电容和层内电阻测试方法,以提高测量的精确度,并尽量减小芯片面积,降低生产成本,该结构包括多个子测试结构,所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的combme...
  • 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法,该测试结构包括至少两个子测试结构,所述子测试结构是一条通孔链,所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线,所述通孔连通上下两层相邻的金属层,所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成,且上...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种敏化太阳能电池封装系统和封装方法,该敏化太阳能电池封装系统包括:设置在操作仓内的吸附装置、压力装置、可移动的点胶装置和滴液装置,以及设置在所述操作仓外的控制装置;所述吸附装置包括可移动的上吸附单元...