上海北京大学微电子研究院专利技术

上海北京大学微电子研究院共有143项专利

  • 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线方法,其中所述的引入参数的晶体管模块单元,是由若干个晶体管组成测试结构。所述自动化方法,智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法,大规模地降低了新工艺...
  • 本发明涉及一种胶囊式诊疗系统智能化无线供能装置。包括体外发射装置和体内接收装置两部分。体外发射装置主要包括射频接收电路、控制电路、直流电源、电源分配开关、逆变电路、频率跟踪电路、离散式多发射线圈。体内接收装置主要包括三维接收线圈、整流滤...
  • 本发明提供了一种新型全差分多阶增益ADC失调电压和电荷注入消除技术,以提高增益ADC的分辨精度和减小量化误差。其中所述失调电压和电荷注入消除电路,包括多阶增量ADC开关电容积分电路,此外还包括用于控制积分时序的两相不交叠时钟电路,其输出...
  • 本发明提供了一种适用于发光二极管(LED)驱动的原边控制恒流实现电路,以消除传统恒流实现电路中的光藕和分离运算放大器。对于工作于不连续模式的芯片来说,原边控制技术直接在变压器的辅助绕组采样输出电压,用电路采样输出端续流二极管放电的时间和...
  • 本发明提供了一种可以用于交流环境的限压保护电路,以降低系统静态功耗,减小衬底电流,消除闩锁效应。发明中所述的保护电路,包含电压初步检测电路,其静态电流几乎为零;包括一个大电流泄放通路,用以泄放在限幅发生时提供电荷泄放通路;包括两个辅助衬...
  • 本发明提供互连线有源器件测试结构及方法,以减少测试端数量,降低测试成本;该测试结构,包括互连线结构及有源器件结构,所述互连线结构中的互连线和有源器件结构至少共用一个测试端,且共用测试端的互连线未处于回路中。
  • 本发明提出通孔电阻测量结构及方法,以提高测量效率及质量。该结构包括:多条互连线,所述多条互连线相互垂直,分别处于集成电路中互不相同的金属层,且宽度及材质相同,各个互连线上均设置有多个电阻测量点;以及通孔,通孔的顶部和底部分别连接有一条互...
  • 本发明提供互连电阻测量结构及方法,以测量出集成电路中金属层互连结构的各部分电阻,有利于提高集成电路的性能;该结构包括:主测量结构,由通孔、两条弯折互连线及至少两个电阻测量端构成;第一辅助测量结构,由一条所述弯折互连线及至少两个电阻测量端...
  • 本发明提出了一种在不同波长条件下LED漏电流的测试方法,该方法在恒温条件下,将待测LED接入TLP测试系统,通过幅度连续可调的矩形短脉冲进行作用,实现对其漏电流的检测。为提高测试精度,排除不同形状、不同位置光源的影响,在本发明的一个实施...
  • 本发明公开了电流检测方法及电路,以提高检测精度,所述方法包括步骤:获取检测电流;生成基准电流;根据所述检测电流及基准电流,判断检测电流是否达到预定值;该电路包括:检测电流获取模块,用于获取检测电流;基准电流生成模块,用于生成基准电流;检...
  • 本发明提供了用于LED照明模组的电源装置,以此装置同时驱动多个较小功率的LED照明模组,通过配置前级功率因数校正模块的驱动能力和LED照明模组的数量,即可实现不同功率等级的照明需求,该电源装置包括:多个LED照明模组接口,用于接入LED...
  • 本发明提供了LED驱动电源及其功率管的开启方法,以解决EMI等问题,其中LED驱动电源,包括功率管控制器、功率管及压降器,所述压降器与功率管串联,流出功率管的电流流入压降器,其特征在于,所述功率管控制器,具体包括:功率管电流采集模块,用...
  • 本发明提供了多基准电压发生电路,以提高基准电压的稳定性,其中所述基准电压发生电路,包括多基准电压发生结构,此外还包括用于接收外部电源的电压,并输出电压提供给所述发生结构的电源结构;该发生电路还可以包括负反馈电路,其中所述负反馈电路包括:...
  • 本发明提供了多模式频率控制器及开关电源频率控制方法,以简化结构,降低设计难度和制造难度,减小面积及降低功耗等。所述多模式频率控制器,包括电容,还包括:电压电流转换模块,用于将负载反馈电压转换成反馈电流,所述反馈电压与负载值正相关,所述反...
  • 本发明提供了LED驱动芯片及LED电路,以防止现有LED驱动芯片过温会停止工作,导致安全事故等问题。所述LED驱动芯片包括误差放大器,还包括过温识别模块,用于识别出LED驱动芯片过温;电压控制模块,用于在过温识别模块识别出过温的情况下,...
  • 本发明提供了片上MOS管电流检测方法、结构及开关电源,以提高检测精度;该方法包括步骤:采集待检测MOS管的电流;采用片上MOS管检测结构,将采集到的电流进行三级以上缩小,获得检测电流。该结构包括:电流采集模块,用于采集待检测MOS管的电...
  • 本发明公开了DMOS结构及其制造方法,以提高击穿电压,其中该DMOS结构,包括漂移区及位于漂移区中的阱,该阱与漂移区的极型相反,该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤,其中注入的粒子需使得该阱...
  • 本发明公开了高阶补偿带隙基准电压源,包括用于输出基准电压的输出支路,其特征在于,还包括用于充当电阻作用的接地电阻结构和高阶补偿电路,所述高阶补偿电路和输出支路并联,且均连接至接地电阻结构的电流输入端,接地电阻结构的电流输出端接地,以及所...
  • 本发明公开了接收端电源管理装置及无线供能系统,该装置用于无线供能系统,以解决现有无线供能技术无法提供峰值功率的问题,该装置包括:包括储能元件及峰值电流放电回路,所述储能元件包含超级电容;以及所述峰值电流放电回路连接至该超级电容,用于在接...
  • 本发明公开了线性电压调节器,以提高其稳定性,尤其是在轻载情况下稳定性,该调节器包括:相互连接的运算放大器及反馈网络,其特征在于,还包括电压调整结构,连接至所述运算放大器及反馈网络,流经电压调整结构的电流部分流经反馈网络,所述电压调整结构...