一种用于微型燃料电池的复合双极板，它有基体，其特征是：所述基体上规则排列有若干个三维微沟道，同时在基体的上表面附着导电层，在导电层上附着保护层。

本发明属新能源材料领域，特别是涉及一种具有催化作用的质子交换膜燃料电池用铝合金双极板的制备方法。该方法是以铝合金为基体材料，采用电脑雕刻方法制备流场，通过电沉积镍对铝合金进行表面改性处理，电沉积铂并与镍形成铂合金催化剂。采用该方法制备的...

本发明属新能源材料领域，特别是涉及一种磷酸型燃料电池用双极板及其制备方法。该磷酸型燃料电池用双极板以石墨为导电填料、碳纤维为增强材料、聚苯硫醚树脂和氟树脂混合物为粘结剂，各组分的质量百分比为：石墨４５～５５％，碳纤维５～１０％，聚苯硫醚...

本发明公开了一种对多孔金进行贵金属镀层修饰的方法，是通过腐蚀金银合金制备出纳米多孔金，将纳米多孔金置于一定浓度的含有氯铂酸根离子（或氯亚铂酸根离子、或氯钯酸根离子、或氯亚钯酸根离子、或它们之间的混合）的溶液中，适当时间使其表面吸附一些贵...

本发明涉及一种氧化锡单晶薄膜的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域。采用有机金属化学气相淀积工艺，以四乙基锡［Ｓｎ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［５］）↓［４］］为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件...

本发明涉及一种三维多处理器系统芯片，属于集成电路设计制造技术领域。包括：多个处理器核，多个三维片上网络路由器，和把它们集成在一起的半导体集成电路晶圆芯片；涉及一种利用晶圆堆叠组装三维集成电路制造方法和网络并行数据传输方法。本发明的优点是...

本发明提供了一种用于ＧａＮ外延的衬底的加工方法，包括以下步骤：（１）对切割后的单晶棒进行研磨以去掉晶片的刀痕；（２）对研磨后的晶片进行化学机械抛光以去除研磨造成的损伤层；（３）对化学机械抛光后的晶片进行退火以去除近表面原子的损伤，退火温...

功率器件的气密封装件，即提高功率器件的气密性和耗散功率属于半导体分离器件。利用管帽突筋与管基凹环的配合，使封接电流密度大、热阻大、温升高，达到气密封接。利用减小引线绝缘子的直径、或帖铜方法提高器件的耗散功率。利用加粗集电极引出线的内在部...

选极晶体管即可以选择管基电极的晶体管属于半导体器件类。利用管基与芯片绝缘而使管基可以作为任一电极或悬浮的办法已制造出了可以选择管基电极的晶体管。其主要热流通路仍然是管基。本装置有助于提高晶体管的频率性能、功率容量、可靠性与稳定性和使用上...

大电流半导体器件，属于半导体器件技术领域。由导热载体、电极、芯片、内引线及包封物组成，内引线具有最大的或较大的表面积和截面积，具有最短或较短的大电流电极内引线。在芯片的大电流电极附近的管基上预置导热块平台，以等效地缩短内引线长度。本实用...

本实用新型属于半导体器件技术领域，选用具有高介电常数材料钛酸铋或钛酸铋／二氧化硅复合层或钛酸铋／氧化镁复合层代替传统的二氧化硅作绝缘栅，绝缘栅的厚度为５００－８０００埃，在钛酸铋／二氧化硅或钛酸铋／氧化镁复合绝缘栅中，钛酸铋层厚度为４５...

超高频大功率晶体管的金属气密管壳．是一种高频－－微波，大功率晶体管管壳．管帽是一单一的金属帽．管座是一个浅筒形的金属容器，中心有绝缘导热瓷片，输入．输出引线从容器的侧面引出，其特点是金属封接，气密性好，氧化铍瓷片密封在内．有毒物质不外露...

超Ｆ型晶体管管壳是一种适用于甚高频（ＶＨＦ）频段的大功率晶体管管壳．在Ｆ型管座上装配氧化铍（ＢｅＯ）瓷片，并在瓷片上制作电极涂层，公共端电极涂层与基座连通，输入输出电极层分别与管座上的两个引出线连接．这样制成的Ｆ型管壳公共端引线电感小，...

ＭＯＳ场效应晶体管的一种无损伤筛选方法．本方法将ＭＯＳ晶体管置于高温环境中加以高栅压进行试验．比较试验前后的阈电压值可判知ＭＯＳ管的可靠性．易于剔除性能不稳定，可靠性差的管子，而对优质正品管无损伤．具有参数反映灵敏，试验效率高，周期短，...

钽酸锂单晶晶轴极性快速确定法，属于晶体滤波器等器件加工定向技术领域。根据对ＬＴ晶体生长棱分布与各晶轴关系的实验与研究，归纳为一个判断晶轴极性的关系图，将极化后的ＬＴ晶体置于平面上，与此图对照分析可准确无误地确定各晶轴极性。本发明方法迅速...

共地化半导体器件封装件的制造方法，属于半导体器件零部件制造技术领域。本发明通过引入特定形状的氧化铍，氧化铝瓷片及熔铸云母作绝缘导热片，并在基座上设计了特定的导热片安放位置，实现了封装件的共地化。采用绝缘子与密封圈一体化或半空式绝缘子达到...

选极晶体管即可以选择管基电极的晶体管属于半导体器件类。利用管基与芯片绝缘而使管基可以作为任一电极或悬浮的办法已制造出了可以选择管基电极的晶体管。其主要热流通路仍然是管基。本发明有助于提高晶体管的频率性能、功率容量、可靠性与稳定性和使用上...

一种自屏蔽半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件及其制造工艺。自屏蔽半导体器件采用金属基板、绝缘导热片、芯片叠层面连接的结构形式，使所有电极均不与屏蔽壳层电连接，或其中一个电极与屏蔽壳层电连接。在金属封装的情况下，金属基板接电路公共端或...

一种大功率晶体管的制造方法，属于半导体器件的制造工艺。本发明采用ＡＩＮ、ＡＩＮ加液晶高分子复合材料或莫来石等作为绝缘导热材料，双面金属化后又涂镀易焊金属，同时将晶体管管基上局部涂镀易焊金属，提高绝缘导热瓷片与金属管基和芯片间的有效浸润面...

一种钛酸铋铁电薄膜的制备方法，采用常压有机化学气相沉积工艺将钛源和铋源加热挥发，用氮气为载气携带挥发钛源和铋源通入生长室时，同时氮气和氧气通入生长室内，生长室内放有衬底，在常压加热情况下，在衬底上制得薄膜，该方法工艺简单，方便，薄膜生长...