本发明涉及一种套迭式晶体管电极及其制造技术，适于大电流下晶体管电极之用。该电极一改传统电极管脚和周围绝缘物直接气密连接的结构方式，而是在管脚芯线外面加芯套将其套入连接，且芯线材料可选导电散热性能优良的铜等纯金属，从而解决了大电流下晶体管...

一种塑封半导体器件的制造方法，采用不同厚度的金属板，分别冲制金属引线框架的散热片和引线，成型后，将其拼接成一边厚一边薄的框架，然后焊接芯片及内引线，再注塑、切筋。该发明方法既解决了制作金属引线框架所用异形铜板成本高的问题，又有利于不同规...

本发明属于传感、磁存储技术领域。本发明的主要内容就是将Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］、ＭｎＯ↓［２］、Ｎｉ↓［２］Ｏ↓［３］、ＣａＣＯ↓［３］按Ｌａ↓［１－ｘ］Ｃａ↓［ｘ］Ｍｎ↓［１－ｙ］Ｎｉ↓［ｙ］Ｏ↓［３］分子式的原子配比称量，混合均匀，粉...

纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术，先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料，然后，进行真空退火热处理，把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的...

控制晶体管结温的稳态工作寿命试验方法属半导体器件技术领域。根据晶体管发射结正向压降与结温的近似线性关系，利用试验过程中工作电流有规律的瞬间断开时间间隔，通过在一定测试电流下测量发射结正向压降来计算出试验样管的结温，利用半导体制冷器作散热...

本发明涉及一种ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＰ双异质结晶体三极管以及金属有机化学气相沉积技术制备三极管材料的方法。本发明晶体三极管由以下三部分组成：集电区、基区和发射区，衬底采用半绝缘的ＩｎＰ单晶片，集电区由生长在衬底之上的Ｎ↑［＋］－ＩｎＧａＡｓ...

本发明涉及一种巨磁阻抗效应复合丝材料及其制备方法，属于交流传感技术、磁存储技术的领域。本发明的主要内容就是采用电沉积法，在导电金属丝Ａ的外层电沉积Ｎｉ＃－［１００－ｘ］Ｆｅ＃－［ｘ］磁性镀层，复合丝材料成分为Ｎｉ＃－［１００－ｘ］Ｆｅ＃...

本发明涉及一种Ｐ型氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电材料与器件技术领域。本发明的主内容选用蓝宝石或硅作为衬底材料，用掺入５ｗｔ％的Ｐ＃－［２］Ｏ＃－［５］和０．２ｗｔ％的Ｇａ＃－［２］Ｏ＃－［３］的ＺｎＯ烧结陶瓷靶作为源材料，在合适的...

亚纳米复合法制备ＺｎＯ基半导体材料的方法，其特征在于，用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ＺｎＯ宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，其中过渡金属选自Ｃｏ、Ｆｅ、...

本发明公开了一种利用液相化学法制备硫族化合物热电薄膜的方法，该方法以铋、锑、锡或铅的盐，及硒和碲的无机物为原料，制备前驱体溶液，采用甩膜方法制备前驱体薄膜，经干燥后采用共还原法将前驱体薄膜还原并经热处理制成硫族化合物及其复合掺杂的热电薄...

大直径高硬度６Ｈ－ＳｉＣ单晶片的表面抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。将表面经过研磨的碳化硅晶片，进行粗抛光和精抛光两次抛光。粗抛光是在保证平整度的条件下，快速去除研磨造成的表面损伤层，并降低表面粗糙度；精抛光采用机械和化学抛光相结合...

本发明提供了一种在ＳｉＣ衬底上制备的发光二极管，其结构自上而下依次包括ｐ型ＡｌＩｎＧａＮ层、发光层、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮ层和衬底，在ｐ型ＡｌＩｎＧａＮ层设有正极，在ｎ型ＡｌＩｎＧａＮ层设有负极，衬底为透明的ＳｉＣ单晶晶片，该衬底在可见光范...

本发明涉及一种钛酸钡基压电陶瓷材料，是以二氧化钛、碳酸钡为初始原料，通过磨球和预烧固相反应制备颗粒平均尺寸在亚微米级别、结晶结构为四方相的钛酸钡基微粉，再烧结制得具有微观结构中晶粒粒径平均尺寸在０．２～７．５μｍ、压电性能指标ｄ↓［３３...

本发明涉及一种高亮度、高效率的Λ－型超格斯碱（Ｔｒ＊ｇｅｒ’ｓ　　ｂａｓｅ，简称ＴＢ）衍生物类有机电致发光材料，属于有机电致发光材料技术领域。一种Λ－型超格斯碱衍生物类有机电致发光化合物，其特征是具有Λ－型超格斯碱骨架，结构通式如上，其...

本发明涉及一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法。该镓铟氧化物薄膜具有通式Ｇａ↓［２（１－Ｘ）］Ｉｎ↓［２Ｘ］Ｏ↓［３］，式中ｘ＝０．１－０．９；随着铟含量ｘ从０．９减少到０．１，该薄膜材料的带隙宽度从３．７２增大到４．５８ｅＶ...

本发明涉及改性钛酸钡基压电材料及其电气电子产品方面的应用。改性钛酸钡基压电材料组分式为Ｂａ（Ｔｉ↓［１－ｘ］［Ａ↓［ｚ］Ｂ↓［１－ｚ］］↓［ｘ］）Ｏ↓［３］.ｙ　ＣｕＯ；其中，Ａ、Ｂ分别为Ｚｒ和Ｓｎ元素，ｘ＝０．００１～０．１０、ｙ＝０...

本实用新型公开了一种用于断路器的快速推力机构，本实用新型是由导磁铁芯、筒状永磁体、连杆、动触头、可动线圈以及双稳弹簧保持机构组成，其特征在于，筒状永磁体设置在导磁铁芯的空腔中，穿过筒状永磁体的连杆顶端连接有动触头，双稳弹簧保持机构连接在...

银基压敏复合陶瓷电接触材料，属于中低压电器中的触头材料技术领域。材料组分（重量百分比）：银８０－９５％，压敏复合陶瓷１－１５％，金属和金属氧化物０．５－５％。本发明的材料具有电阻率低，导热、导电性好，抗电烧蚀和抗熔焊能力强，机械加工性好...

一种铜基复合电接触材料，其特征是，组分如下：导电陶瓷１～１５％，石墨０．１～３％，Ｍｏ、Ｗ之一或者其组合１～１０％，Ｎｉ０．２～４％，铜余量，均为重量百分比。

本发明公开了一指套式键盘输入装置。它解决了现有键盘在使用方式上的局限导致人们在使用时较为麻烦的问题，具有结构简单，使用灵活，改变传统键盘使用方式等优点，其结构为：它包括按照键盘布局排列的按键，按键与信号发送装置连接，信号发送装置与主机接...