本发明属于电力系统继电保护领域，涉及一种降压变压器及其中低压侧母线的继电保护方法。本发明的特征为：通过逻辑比较安装在变压器各侧以及中低压母线各出线处的测量元件的动作状态，快速确定出故障点的位置，以较小的动作时限切除故障设备，实现降压变电...

沿１１０ｋＶ输电线自主行走的机器人及其工作方法，由机器人本体、控制装置、传感器、检测装置和无线图像传输设备组成；控制装置和无线图像传输设备安装在机器人本体中间的控制箱内，位置传感器安装在机器人的各个关节电机的末端，测距传感器和检测障碍用...

本实用新型提供了一种半导体激光器的光纤耦合固定装置，该装置包括封装盒，是在封装盒内设有散热块和挤压块，挤压块与封装盒之间设有挤压螺钉或螺栓。散热块与半导体激光器之间的挤压面上设有定位结构，以利激光器在装配时很好的定位。本实用新型采用加设...

耦合腔自拉曼倍频全固体黄光激光器，包括激光二极管（ＬＤ）泵浦源、谐振腔，谐振腔由后腔镜、耦合镜和输出镜组成，其特征在于谐振腔中的后腔镜和耦合镜中间放置自拉曼晶体和调Ｑ装置，耦合镜和输出镜中放置倍频晶体；自拉曼晶体、调Ｑ装置和倍频晶体均由...

耦合腔式拉曼倍频全固体黄光激光器，包括激光二极管（ＬＤ）泵浦源、谐振腔，谐振腔由后腔镜、耦合镜和输出镜组成，谐振腔中的后腔镜和耦合镜中间放置激光增益介质、调Ｑ装置和拉曼晶体；耦合镜和输出镜中放置倍频晶体；激光增益介质、调Ｑ装置、拉曼晶体...

折叠腔自拉曼倍频全固体黄光激光器，包括激光二极管（ＬＤ）泵浦源、谐振腔，谐振腔由后腔镜、４５度镜和全反镜组成，其特征在于谐振腔的后腔镜和４５度镜中间放置自拉曼晶体和调Ｑ装置，４５度镜和全反镜中放置倍频晶体；自拉曼晶体、调Ｑ装置和倍频晶体...

自拉曼倍频全固体黄光激光器，包括激光二极管ＬＤ泵浦源、谐振腔，谐振腔由后腔镜和输出镜组成，其特征在于谐振腔中放置自拉曼晶体、调Ｑ装置和倍频晶体；自拉曼晶体、调Ｑ装置和倍频晶体均由冷却装置对其进行温度控制。本实用新型激光器与背景技术中的相...

内腔式拉曼倍频全固体黄光激光器，包括激光二极管（ＬＤ）泵浦源、谐振腔，谐振腔由后腔镜和输出镜组成，谐振腔中放置激光增益介质、调Ｑ装置、拉曼晶体和倍频晶体；激光增益介质、调Ｑ装置、拉曼晶体和倍频晶体均由冷却装置对其进行温度控制。本实用新型...

折叠腔式拉曼倍频全固体黄光激光器，包括激光二极管（ＬＤ）泵浦源、谐振腔，谐振腔由后腔镜、４５度镜和全反镜组成，其特征在于谐振腔中的后腔镜和４５度镜中放置激光增益介质、调Ｑ装置和拉曼晶体，４５度镜和全反镜中放置倍频晶体；激光增益介质、调Ｑ...

一种由壳体、晶体组成的普克尔盒，其特征是电极的形状是锥形的，它通过密封圈、电极垫、锥形螺母将锥形电极固定在晶体上并同时把晶体紧紧地固定在壳体内。

基于非对称分布反馈技术的传感器，属传感器领域，包括泵浦源，谐振腔，以及连通泵浦源和非对称分布反馈谐振腔的波分复用耦合器，以及与耦合器相连接的解调电路，其特征在于所述谐振腔是非对称分布反馈谐振腔。本实用新型可以明显改善ＤＦＢ－ＦＬ的输出特...

本发明涉及Ｒｅ↑［３＋］，Ｃｒ↑［５＋］∶ＬｎＶＯ↓［４］晶体和对该类晶体泵浦产生自调制脉冲激光，属于晶体和器件领域。Ｒｅ↑［３＋］，Ｃｒ↑［５＋］∶ＬｎＶＯ↓［４］晶体具有锆英石结构，通式为Ｌｎ↓［１－ｘ］Ｒｅ↓［ｘ］Ｖ↓［１－ｙ］Ｃ...

一种固体黄光激光器，属于固体激光器领域，包括激光二极管ＬＤ端面泵浦源、光纤、耦合透镜、谐振腔、掺钕钇铝石榴石Ｎｄ：ＹＡＧ晶体、声光调Ｑ装置、钒酸钆ＧｄＶＯ↓［４］晶体和磷酸氧钛钾ＫＴＰ晶体，谐振腔由后腔镜和输出镜组成，前端是后腔镜，后端...

固体黄光激光器，属于固体激光器领域，包括激光二极管ＬＤ端面泵浦源、光纤、耦合透镜、谐振腔、掺钕钇铝石榴石Ｎｄ：ＹＡＧ晶体、声光调Ｑ装置、钨酸锶ＳｒＷＯ↓［４］晶体和磷酸氧钛钾ＫＴＰ晶体，谐振腔由后腔镜和输出镜组成，前端是后腔镜，后端是输...

自拉曼倍频固体黄光激光器，属于固体激光器领域，它是利用ＬＤ端面泵浦ｃ切掺钕钒酸钇（Ｎｄ：ＹＶＯ↓［４］）自拉曼晶体产生拉曼光，然后用倍频晶体磷酸氧钛钾（ＫＴＰ）进行腔内倍频，最终产生黄色激光。本实用新型特征在于采用ｃ切掺钕钒酸钇（Ｎｄ：...

砷酸钛氧钾晶体拉曼激光器，属于固体激光器领域，它是利用ＬＤ泵浦掺钕或掺镱的激光晶体产生基频光，基频光经调Ｑ开关调制后，由拉曼晶体砷酸钛氧钾（ＫＴｉＯＡｓＯ↓［４］，ＫＴＡ）转换为拉曼光，并通过输出境输出。该激光器具有体积小、性能稳定、功...

本发明涉及非线性光学材料及其制备方法和用途，具体涉及硫氰酸配合物型晶体及其生长方法，以及作为非线性光学材料的用途。本发明材料的化学通式为：ＡＢ（ＳＣＮ）↓［４］，其中，当Ａ为Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｓｒ等二价金属时，Ｂ为Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ...

本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容就是相对激光波长λ↓［ω］＝１３４０ｎｍ，１０６４ｎｍ，１０５３ｎｍ或９４０ｎｍ确定了硼酸氧钙稀土盐［ＲｅＣｏＢ（Ｒｅ＝Ｇｄ，Ｙ］晶体激光倍频器件的最佳切割方向。例如，λ↓［ω］＝１０６４ｎｍ，...

本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容利用金属有机化合物气相淀积法（ＭＯＣＶＤ）外延生长二极管材料时，在上限制层生长结束后，继续用ＭＯＣＶＤ外延生长工艺进行Ｎ型掺杂氧化锌薄膜的低温生长，取代磷化镓作为发光二极管窗口层，控制窗口层厚度...

本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容是利用金属有机化合物气相淀积（ＭＯＶＣＤ）在ＧａＡｓ衬底上生长高亮度发光二极管为异质结芯片结构，上限制层生长结束时，继续生长磷化镓ＧａＰ窗口层，通过切断和连接镓源及磷源，选用Ｐ型掺杂剂在磷化镓窗...