一种半导体存储器件，包括：衬底；布置在衬底上的隔离绝缘层；布置在衬底上以在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此分开的多个字线；在隔离绝缘层上在垂直方向上延伸的位线；在与第一水平方向正交的第二水平方向上从位线延伸并且在垂直方向上彼此分开...

提供自选择存储(SSM)材料、存储器件、以及包括存储器件的电子设备。所述SSM材料可具有双向阈值开关(OTS)特性，可配置为根据所施加的电压的极性和强度改变阈值电压，并且可包括Ge、Sb、和S。

提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：具有各自在第一水平方向上延伸的第一背侧线和第二背侧线的背侧布线层；在背侧布线层上并且包括下源极/漏极区的第一FET；在第一FET上并且包括上源极/漏极区的第二FET；以及具有在垂直于第一水平方向的第二...

提供了一种用于向外部设备发送第一数据并从外部设备接收第二数据的设备。该设备包括：电压模式驱动器，连接到第一节点，电压模式驱动器包括上拉电阻器电路和下拉电阻器电路，上拉电阻器电路包括多个上拉电阻器，并且下拉电阻器电路包括多个下拉电阻器；电...

提供了一种半导体器件及其制造方法。示例半导体器件包括：衬底；沟道层，沟道层设置在衬底上；栅极结构，栅极结构围绕沟道层；源极/漏极图案，源极/漏极图案与沟道层的两侧连接；下布线结构，下布线结构设置在衬底下方；和绝缘图案，绝缘图案延伸穿过衬...

半导体封装可以包括：封装基板；第一中介层，在封装基板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在第一中介层上；第二中介层，在第一半导体芯片上；第三半导体芯片，在第二中介层上；以及第一通孔，延伸到第一半导体芯片中并且在第一中介层和第二中介层之间。

公开了用于提供半导体存储器装置的故障标志的方法和半导体存储器装置。所述用于提供半导体存储器装置的故障标志的方法包括：将半导体存储器装置的操作模式从元模式改变为可靠性、可用性和可服务性（RAS）模式；收集半导体存储器装置的故障标志；将故障...

一种半导体器件，包括：在位线结构上的第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案之间的单元栅极结构；以及在位线结构和单元栅极结构之间的分离结构。单元栅极结构包括：分别与第一有源图案和第二有源图案相邻的第一栅电极和第二栅电极；...

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一层，包括第一子单元阵列，第一子单元阵列包括存储器单元；第二层，包括第二子单元阵列；以及第三层，包括子字线驱动器和感测放大器，其中，第一层、第二层和第三层在与第一层垂直的第一方向上...

根据本文公开的实施例，相机模块和/或包括该相机模块的电子装置可包括：第一反射构件，包括形成在一个表面上的容纳槽和设置在由容纳槽提供的区域中的第一光学表面；第二反射构件，包括从一个表面突出并且至少部分地被容纳在容纳槽中的突起和被设置在突起...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地，本公开涉及一种用于处理无线网络中的LTM的方法。该方法包括由UE从网络装置接收LTM配置，LTM配置包括多个候选小区中的至少一个候选小区的LTM候选配置、以及LTM参考配置...

关于根据实施例的电子装置和操作电子装置的方法，电子装置可包括通信处理器。电子装置可包括应用处理器。电子装置可包括电连接到通信处理器并且被配置为执行第一通信的第一通信电路。电子装置可包括电连接到应用处理器并且被配置为执行第二通信的第二通信...

本公开涉及支持更高数据传输速率的第五代（5G）或第六代（6G）通信系统。本公开提供一种由无线通信系统中的发送端终端执行的方法，所述方法包括：从基站接收侧链路系统信息块（SIB）；向基站请求用于与接收终端进行侧链路通信的传输资源；通过物理...

一种缓存管理系统和方法。在一些实施例中，一种系统包括：下级缓存；第一上级缓存；以及第二上级缓存，所述下级缓存、所述第一上级缓存和所述第二上级缓存被配置为：将缓存行的第一元数据存储在所述第一上级缓存中，所述第一元数据指示所述缓存行处于部分...

一种半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域以及限定在单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，设置在衬底中，并且隔离单元区域和外围区域；第一单元栅极结构，设置在单元区域和单元区域隔离膜中，并且包括在第一方向上延伸的第一单元栅电极；以及第一...

本公开提供了一种半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统。半导体器件可以包括：导电层；堆叠结构，堆叠结构位于第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的延伸区域中，并且包括沿第一方向顺序地堆叠在导电层上且彼此间隔开的多个栅电极，多...

一种半导体器件包括：位线，在衬底上在第一方向上延伸；栅极隔离绝缘层，设置在位线上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸且在第三方向上直立；沟道层，沿栅极隔离绝缘层的侧表面以及栅极隔离绝缘层和相邻栅极隔离绝缘层之间的位线的顶表面延伸；覆盖...

本公开涉及用于支持高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开实施例可以公开一种在5G系统中用于支持每个群组的最大数据速率的方法，并且该方法可以包括以下方法：在GBR的情况下将MBR与剩余群组MBR进行比较，或者在非GBR的情况下将会话A...

一种半导体装置，可包括：位线，其在第一方向上延伸；栅极结构，其包括位于位线上并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅电极和位于栅电极在第一方向上的侧壁上的栅极绝缘图案；沟道，其位于位线上，沟道在栅极结构在第一方向上的侧壁上在垂直于由第一方...

一种图像传感器，包括：形成在衬底中的多个单光子雪崩二极管（SPAD）元件。多个SPAD元件中的每一个包括：沟槽，将一个SPAD元件与另一SPAD元件分离；第一导电类型半导体层，形成在沟槽的侧壁上；绝缘膜，形成在沟槽内部并且覆盖第一半导体...