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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64087项专利
具有带有环绕沟道层的竖直延伸栅极线的集成电路器件制造技术
一种集成电路器件,包括:栅极线,沿第一方向延伸,该第一方向通常垂直于底层衬底的表面;以及介电层,至少部分地围绕栅极线的侧壁。提供了金属层,该金属层至少部分地围绕栅极线的侧壁,并且提供了固定电荷层,该固定电荷层至少部分地围绕栅极线的侧壁。...
用于使用手势移动虚拟对象的可穿戴设备及其方法技术
根据一个实施例的可穿戴设备的处理器能够基于识别出处于用于移动虚拟对象的指定姿势的身体部位,显示沿着相机的FoV内正移动的身体部位的路径进行移动的虚拟对象。处理器能够基于识别出身体部位正在通过FoV边缘的第一位置移动到FoV外,在虚拟空间...
用于管理个人IOT网络服务的方法和系统技术方案
本公开涉及用于支持更高数据发送速率的5G或6G通信系统。本公开描述了用于管理个人IoT网络(PIN)服务的方法和系统。对于PIN服务的注册,该方法包括从PIN的PIN元素(PINE)接收PIN服务注册请求以注册一个或多个新服务。此后,该...
无线通信系统中用于TCI状态指示和更新的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于传输配置指示(TCI)状态指示和更新的方法和装置。一种由用户设备执行的方法包括将TCI状态应用于UE专用控制和数据信道,和经由媒体访问控制(MAC)控制元素(CE)接收多个TC...
电子设备和图像输出方法技术
公开了一种电子装置。电子装置包括:显示器;存储器,用于存储至少一个指令;以及一个或更多个处理器,连接到显示器和存储器,以便控制电子装置。一个或更多个处理器执行至少一个指令,以执行以下操作:当与内容中包括的至少一个图像帧相应的音频信号的大...
用于增强型降低能力的UE的随机接入的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及一种无线通信系统中的用于降低能力(RedCap)的用户设备,该UE包括收发器和可操作地耦合到收发器的处理器,该处理器被配置为接收包括至少一个随机接入(RA)配置和无竞争随...
半导体存储器件制造技术
一种半导体存储器件包括:衬底,包括单元区域和外围电路区域;外围晶体管,在外围电路区域上,并且包括外围沟道图案;多个单元沟道图案,沿第一方向堆叠在单元区域上,第一方向垂直于衬底的上表面;字线,在多个单元沟道图案上,并且字线沿第二方向延伸,...
半导体器件及其制造方法技术
一种半导体器件可以包括:衬底,包括单元阵列区域和外围区域;多条位线,在单元阵列区域中;多个绝缘封盖结构,覆盖多条位线;多个位线间隔物,围绕多条位线;单元焊盘结构,在多条位线中的一对相邻位线之间;着接焊盘,在单元焊盘结构上,并且包括导电阻...
在多无线电接入技术网络环境中接入服务的方法和系统技术方案
一种用于在多无线电接入技术(多RAT)网络中通过用户设备(UE)接入一个或多个服务的方法,所述方法包括:从与UE相关联的应用接收对接入多RAT网络内的服务或切片中的至少一个的请求;基于映射信息和接收的请求,确定RAT和用户永久标识符(S...
用于集成EPIC架构的系统和方法技术方案
一种设备包括光子集成电路、光学解复用器和电子集成电路。电子集成电路安装在光子集成电路上,并且包括光学耦合到光学解复用器的至少一个光检测器。光学解复用器将传入光学信号分离成第一分离的光学信号和第二分离的光学信号。至少一个光检测器具有第一光...
半导体封装件、半导体装置和半导体装置的操作方法制造方法及图纸
公开了半导体封装件、半导体装置和半导体装置的操作方法。所述半导体装置包括接收器和控制器。接收器被配置为响应于第一内部时钟信号对和第二内部时钟信号对的上升沿,对通过数据通道接收的数据信号和跟踪信号进行采样。控制器被配置为:基于跟踪信号的特...
半导体器件以及制造该半导体器件的方法技术
一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法,该半导体器件包括:位线,沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸。第一沟道图案,连接到位线。第一沟道图案垂直于衬底的上表面延伸。栅极绝缘图案设置在第一沟道图案上。字线设置在栅极绝缘图案上,并沿平行于衬...
多模态传感器制造技术
提供了一种多模态传感器,包括:无线电检测和测距(雷达)传感器,包括射频集成电路(RFIC);以及图像传感器,包括传感器阵列,堆叠在雷达传感器的一部分上,图像传感器的至少电路部分与RFIC配置在单个芯片中。
在无线通信系统中管理不连续覆盖场景期间与UE相关联的上下文的装置和方法制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地,本公开提供了一种用于由网络装置在电信网络中在不连续覆盖场景期间管理与UE相关联的上下文的方法。该方法包括检测5G移动管理(5GMM)信令拥塞以执行NAS级拥塞控制。该方法包...
形成集成电路器件的后段制程区域的方法技术
提供了形成集成电路(IC)器件的后段制程(BEOL)区域的方法。一种形成IC器件的BEOL区域的方法包括在下通路上形成金属层。该方法包括在金属层的上部部分中形成光键。该方法包括在光键上形成绝缘材料。此外,该方法包括平坦化绝缘材料和包括光...
纠错码电路、该纠错码电路的操作方法、以及存储设备技术
公开了一种纠错码电路、该纠错码电路的操作方法、以及存储设备。该纠错码电路包括:前向纠错(FEC)解码器,被配置为:基于与伽罗瓦域GF(2m)上具有首项m的本原多项式之中的计算复杂度小于参考值的第一本原多项式相关的第一生成多项式,校正码字...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:位于包括第一区域和第二区域的基板上的外围电路图案;位于该外围电路图案上的位线结构,其电连接到位于该基板的第一区域上的该外围电路图案;位于该位线结构上并电连接到该位线结构的沟道;在该沟道的一侧的字线;位于该沟道上并电连...
半导体封装制造技术
一种半导体封装,包括:封装衬底以及在竖直方向上堆叠在封装衬底上的多个半导体芯片,其中,多个半导体芯片中的每一个包括半导体衬底,该半导体衬底包括第一表面、在第一表面上的下半导体器件、与第一表面相对的第二表面、在第二表面上的上半导体器件、设...
光电转换装置制造方法及图纸
本公开旨在提供一种光电转换装置,所述光电转换装置能够抑制SPAD像素的功耗的增大。例如,一种光电转换装置可包括:像素阵列的每个像素中的雪崩光电二极管,雪崩光电二极管包括阳极和阴极。所述装置可包括:充电器,被配置为每单位曝光时间对阳极或阴...
存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法制造方法及图纸
一种存储器装置,包括:存储器单元阵列,包括第一存储器块;控制逻辑电路,所述控制逻辑电路被配置为从外部控制器接收擦除命令并且响应于所述擦除命令而控制对所述第一存储器块的擦除操作;擦除到编程间隔(EPI)计时器,其被配置为响应于所述擦除命令...
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