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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64267项专利
三维半导体器件以及制造该三维半导体器件的方法技术
一种三维半导体器件可以包括:背面金属层;下沟道图案,在背面金属层上;第一下源/漏图案和第二下源/漏图案,在第一方向上彼此间隔开,下沟道图案介于第一下源/漏图案与第二下源/漏图案之间,第一下源/漏图案连接到下沟道图案;上沟道图案,在下沟道...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置可包括:第一有源图案;第二有源图案,其与第一有源图案间隔开第一距离;第三有源图案,其与第二有源图案间隔开第二距离;第一器件隔离层,其在第一有源图案与第二有源图案之间;第二器件隔离层,其在第二有源图案与第三有源图案之间;第一...
半导体装置制造方法及图纸
提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,包括彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案;第一栅极结构,设置在第一有源图案上;第二栅极结构,设置在第二有源图案上;以及沟道半导体图案,设置在第二有源图案与第二栅极结构之间,其中,第一栅极...
衬垫结构制造技术
一种衬垫结构可以包括衬垫和第一块。所述衬垫可以被构造为布置在反应室的内侧壁上,所述反应室被构造为容纳加热器和衬底。所述第一块可以连接到所述衬垫。所述第一块可以包括与所述衬垫的材料不同的材料。
用于对运动矢量进行编码的装置和方法以及用于对运动矢量进行解码的装置和方法制造方法及图纸
公开了一种用于对运动矢量进行编码的装置和方法以及用于对运动矢量进行解码的装置和方法,具体地,提供了一种对运动矢量进行解码的方法,所述方法包括:确定根据从比特流获得的信息选择的第一邻近块的可用性;当通过使用指示第一邻近块的可用性的信息将第...
半导体器件及其制造方法技术
一种半导体器件可以包括:第一有源图案和第二有源图案,其中每个包括中心部分和边缘部分,第一有源图案的中心部分和第二有源图案的边缘部分彼此相邻;在第一有源图案和第二有源图案之间的器件隔离图案;在第一有源图案的中心部分上的位线节点接触;在位线...
半导体存储器装置制造方法及图纸
提供了半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:位线,其在衬底上;突出绝缘图案,其在位线上并在沟道沟槽中;第一沟道图案和第二沟道图案,其沿着沟道沟槽的侧壁延伸,并且在第一方向上彼此间隔开;沟道界面层,其沿着沟道沟槽的侧壁延伸,并且与第一...
用于控制辐射功率的系统和方法技术方案
一种用于控制辐射功率的系统和方法。在一些实施例中,一种设备包括:第一无线电;第二无线电;以及一个或多个处理器;以及存储指令的存储器,所述指令在由所述一个或多个处理器执行时使得执行以下操作:确定所述第一无线电的第一传输是以大于零且小于第一...
数模转换器制造技术
一种数模转换器(DAC),用于从数字输入产生模拟输出,包括:控制器,被配置为基于数字输入,产生控制信号;以及分段单元电路,包括多个分段单元,多个分段单元基于控制信号而导通或关断,并且分段单元电路被配置为基于多个分段单元的输出,产生模拟输...
电源调制器和包括电源调制器的无线通信装置制造方法及图纸
提供电源调制器和包括电源调制器的无线通信装置。所述电源调制器被配置为提供功率放大器的电源电压。所述电源调制器包括:转换器,被配置为将所述电源电压输出到功率放大器;开关,连接到第一电容器和第二电容器,第一电容器的第一端连接到转换器,第一电...
包括二极管的集成电路器件制造技术
一种集成电路器件,包括:衬底,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;以及二极管结构,包括:上半导体层,设置在衬底的第一表面上,并且包括第一导电类型的第一掺杂剂;下半导体层,设置在衬底的第二表面上,并且包括与第一导电类型不同的第二导电类...
存储装置及其运行方法制造方法及图纸
本公开提供了存储装置及其运行方法。所述存储装置包括:非易失性存储器件,所述非易失性存储器件被配置为存储快速单元信息,所述快速单元信息是从通过针对存储单元的单次编程形成的阈值电压分布获得的;以及存储控制器,所述存储控制器被配置为在引导或初...
三维半导体存储器装置和包括其的电子系统制造方法及图纸
本公开涉及三维(3D)半导体存储器装置和电子系统。示例3D半导体存储器装置包括:包括单元阵列区域和连接区域的基底、其中多个介电层和多个栅电极交替地堆叠在基底上的结构、在连接区域上延伸穿过所述结构的多个虚设垂直结构、以及在连接区域上延伸穿...
由反电动势激活电池供电的清洁器主体的方法和采用该方法的无线清洁器装置制造方法及图纸
公开了作为使无线清洁器中的电力消耗最小化的方法的、通过使用反电动势作为唤醒信号来激活清洁器主体的方法,以及采用该方法的电气装置,在电池与清洁器主体的控制单元断开连接并且在站处的电池充电也停止时,当站侧的灰尘抽吸马达运行时,通过清洁器主体...
存储器装置及其编程方法制造方法及图纸
提供存储器装置及其编程方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括多个单元串;电压生成器,被配置为生成预充电电压、编程电压和负电压;以及控制逻辑电路,被配置为控制编程操作,编程操作用于将被选的存储器单元的阈值电压编程为具有目标状态,其...
集成电路器件及其形成方法技术
本公开提供了集成电路器件及其形成方法。作为一示例,一种集成电路器件可以包括:基板;第一晶体管结构,在基板上;第二晶体管结构,在垂直方向上堆叠在第一晶体管结构上;隔离层,在垂直方向上在第一晶体管结构和第二晶体管结构之间;以及二极管结构,在...
半导体器件制造技术
半导体器件可以包括:背面布线,在第一背面层间绝缘膜中;鳍型图案,在背面布线上;第二背面层间绝缘膜,在鳍型图案和第一背面层间绝缘膜之间;栅电极,在鳍型图案上;第一源/漏图案,在栅电极的一侧上;以及背面源/漏接触件,在由鳍型图案和第二背面层...
支持通信链路改变的通信接口电路及其操作方法技术
一种支持通信链路改变的通信接口电路及其操作方法,该通信接口电路包括:协议层电路,协议层电路基于输入数据来生成分组数据;以及物理层电路,物理层电路对分组数据进行编码以输出发送状态,并且基于发送状态来驱动包括多个三相线链路的数据通道,其中,...
包括修复电路的存储器装置及其操作方法、存储器系统制造方法及图纸
提供了一种包括修复电路的存储器装置、该存储器装置的操作方法和存储器系统。该操作方法包括:基于对故障行地址进行预解码来输出表示经预解码故障行地址的信号;基于对行地址进行预解码来输出表示经预解码行地址的信号;基于将经预解码故障行地址的比特值...
边缘数据网络(EDN)中的用户设备(UE)及其方法技术
本公开涉及一种边缘数据网络(EDN)中的用户设备(UE)及其方法。该方法包括:由边缘使能器客户端EEC从至少一个发现的边缘应用服务器EAS中选择由UE的应用客户端AC使用的EAS;由EEC向边缘使能服务器EES发送指示应用上下文重定位A...
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