本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了无线通信系统中的方法和设备。从基站接收系统信息。系统信息包括与基站的公钥相关的信息。确定对应于与公钥相关的信息的公钥是否被存储在终端中。在公钥被存储在终端中并且系统信息包括基...

根据本公开的实施例，本公开涉及用于在无线通信系统中有效地更新用于网络切片服务的连续性的终端策略的方法和设备，以及支持网络切片的无线通信系统中的AMF方法，包括以下步骤，其中AMF：从终端接收注册请求消息；选择支持与终端相关的网络切片的重...

用于配置UE以用于无线网络中的多播接收的系统和方法。本文公开的实施例涉及用于配置用户设备（UE）（102）以用于在无线电资源控制（RRC）非活动状态下的新无线电多播和广播服务（NR MBS）接收的系统（100）和方法（400、500、6...

本公开涉及支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种用户设备（UE）的方法，该方法包括：从基站（BS）接收第一信息，第一信息包括针对目标卫星的卫星辅助信息；从BS接收第二信息，第二信息包括定时信息，其中，定时信息包括用于同步操作的开...

提供电子电路和包括其的电子电路系统、以及接收电路系统。所述电子电路包括：第一电感器，连接到输入端子；第二电感器和第三电感器，彼此串联连接并且与第一电感器并联连接；第一开关，连接在第二电感器与第三电感器之间；以及处理器，电连接到第一开关。...

公开了双向计数器和生成输出数据的方法。所述双向计数器可包括：至少一个第一触发器，被配置为基于至少一个第一本地时钟生成至少一个第一位和作为所述至少一个第一位的较高位的第二位，所述至少一个第一位包括输出数据的最低有效位（LSB）；以及本地时...

提供了包括用于隔离的开关的RF电路和包括其的无线通信装置。所述RF电路包括：第一端口和第二端口，接收第一RF信号和第二RF信号；第（1‑1）放大级和第（1‑2）放大级，连接到第一端口和第一地以对第一RF信号进行放大；第（2‑1）放大级和...

本公开涉及一种将IoT技术与5G通信系统融合以支持比4G系统更高的数据传输速率的通信技术以及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务（例如，智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、...

提供了一种用于在存储系统中执行自适应预取的存储系统和方法。该方法包括：接收包括存储在存储设备中的第一数据页的第一地址的第一数据请求，以及使用自适应预取表执行查找操作，以基于接收的第一数据请求确定是否应当执行预取操作。自适应预取表包括对应...

本公开涉及一种用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及一种无线通信系统。具体地，本公开涉及一种基于UE类型处理BWP切换命令的装置和方法。

根据各种实施例的一种电子装置可以包括：第一壳体；第二壳体；铰链装置，其将第一壳体和第二壳体可折叠地彼此连接；以及被设置为由第一壳体和第二壳体支撑的柔性显示器。柔性显示器可以包括：窗口层；堆叠在窗口层下方的显示面板；折弯部分，其在柔性显示...

提供了一种三维场效应晶体管和制造三维场效应晶体管的方法，该三维场效应晶体管包括堆叠在下场效应晶体管上的上场效应晶体管。该方法包括外延生长下场效应晶体管的源极/漏极区，在源极/漏极区的上表面上生长牺牲层，以及在牺牲层上外延生长上场效应晶体...

提供了半导体器件和包括其的电子系统。半导体器件可以包括基板、垂直于基板的上表面的多个单元串、以及连接到单元串中的至少六个的位线。单元串中的每个可以包括在垂直于基板的上表面的方向上彼此串联连接的多个存储单元、在所述多个存储单元和基板之间彼...

本公开涉及半导体封装。示例半导体封装包括第一半导体芯片、第一半导体芯片上的第二半导体芯片、设置在第一半导体芯片的面向第二半导体芯片的第一表面上的第一接合焊盘以及设置在第二半导体芯片的面向第一表面的第二表面上的第二接合焊盘。第二接合焊盘与...

提供了一种包括在双连接中在主节点(MN)中工作的第一节点的装置。该装置能够包括至少一个收发器以及耦接到该至少一个收发器的至少一个处理器。该至少一个处理器能够通过Xn接口从在辅节点(SN)中工作的第二节点接收SN修改要求消息。该SN修改要...

过滤器装置，可以设置在洗衣机的外部上并且可以连接到洗衣机的排水设备，包括：过滤器外壳；过滤器，能够去除地安装在过滤器外壳中；过滤路径，形成在过滤器外壳中，使得当过滤器安装在过滤器外壳中时，水穿过过滤器；旁路路径，形成在过滤器外壳中，使得...

根据本发明一个实施例的可穿戴电子设备包括沿着从用户眼睛侧朝向显示器的光轴对准的至少四个透镜，其中，至少四个透镜包括按照距显示器的距离的顺序布置的第一透镜和第二透镜。第一透镜包括至少一个平面，并且第一四分之一波片(QWP)和第一反射构件设...

提供了一种集成电路器件及制造集成电路器件的方法。集成电路器件包括位于衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构。电容器结构包括下电极、位于下电极上的下界面膜、位于下界面膜上的电容器电介质膜、位于电容器电介质膜上的上界面膜以及位于上界面膜...

一种半导体器件包括：绝缘基体层；多个半导体图案，其堆叠在所述绝缘基体层上并且彼此间隔开；栅极结构，其围绕所述多个半导体图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其设置在所述绝缘基体层上并且分别连接到所述多个半导体图案的两个侧表面；接...

本公开涉及电子装置、存储装置和存储装置操作方法。示例存储装置包括第一存储体、第二存储体、高速缓存控制器和路径选择器。第一存储体包括第一路径组，第一路径组被配置为接收电力并且存储对应于第一地址的第一高速缓存行。第二存储体包括第二路径组，第...