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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64267项专利
集成电路器件制造技术
提供一种集成电路器件,该集成电路器件包括:第一电力线和第二电力线,在衬底上在相对衬底的竖直方向上与第一单元区、单元间分离区和第二单元区重叠;第一电力分接单元,穿透衬底,并且从第一电力线接收第一电压;第二电力分接单元,穿透衬底,并且从第二...
包括驱动电机的电子装置制造方法及图纸
根据各种实施例,一种电子装置可以包括:第一壳体;第二壳体,可滑动地联接到第一壳体;柔性显示器,具有基于第二壳体的滑入或滑出而改变的显示区域;驱动电机,设置在第二壳体中并且包括小齿轮;齿条,联接并且固定至第一壳体并且包括通过齿轮联接到小齿...
检测通电复位信号中的错误的储存装置及其操作方法制造方法及图纸
公开了一种储存装置及其操作方法。该储存装置包括:存储器装置;电源端口,其从主机装置接收第一外部电力电压;电源电路,其从电源端口接收第一外部电力电压并且基于第一外部电力电压生成第一内部电力电压;监视电路,其从电源端口接收第一外部电力电压并...
半导体封装件制造技术
一种半导体封装件,包括:多个第一半导体芯片,多个第一半导体芯片沿垂直方向顺序地堆叠,并且经由多个第一贯通电极彼此连接,多个第一半导体芯片中的每个第一半导体芯片在水平方向上具有第一宽度;第二半导体芯片,第二半导体芯片位于多个第一半导体芯片...
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统技术方案
提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统,该半导体器件可以包括:外围电路结构,其包括连接到位于半导体衬底上的外围电路的第一键合焊盘;以及单元阵列结构,其包括键合到所述第一键合焊盘的第二键合焊盘。单元阵列结构可以包括:分隔结构...
电子设备制造技术
一种电子设备可包括:裸片,包括至少一个电路,所述至少一个电路被配置为:使用裸片上接口的第一通道来接收第一信息,使用裸片上接口的第二通道来接收第二信息,生成包括第一信息和第二信息的一个或多个事务单元,并且使用至少一个裸片到裸片系统发送所述...
存储器设备、存储器系统和存储器设备的操作方法技术方案
一种存储器设备包括被配置为存储至少一个位的多个存储器单元,该存储器设备包括第一字线和第二字线。存储器设备被配置为对处于较高状态的多个存储器单元上的第一字线执行第一编程操作,较高状态是指其中多个存储器单元具有在特定电压以上的阈值电压的状态...
用于优化半导体特性的电子设备及其操作方法技术
一种电子设备包括Plackett‑Burman设计(PBD)执行电路、遗传算法(GA)执行电路和控制电路。PBD执行电路被配置为生成初始实验设计(DOE)集,该DOE集包括关于外部设备的存储器设备的半导体特性的多个初始案例。GA执行电路...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:基板;位线,在基板上在第一水平方向上延伸;在位线上的第一模层,其中第一模层包括暴露位线的上表面的一部分的模开口部分并在第二水平方向上延伸;布置在位线上的沟道层;字线,布置在模开口部分内并在第二水平方向上延伸;栅极绝缘...
用于通过早期反馈的调度和仲裁QOS改进的装置和方法制造方法及图纸
本公开涉及用于通过早期反馈的调度和仲裁QOS改进的装置和方法。其中,一种设备包括:一个或多个内部队列;以及处理电路,被配置为:从主机设备的一个或多个提交队列取回数据,从一个或多个内部队列接收第一反馈信息,基于第一反馈信息控制数据从一个或...
用于防止重放攻击的通用闪存设备、其操作方法以及通用闪存系统技术方案
提供了一种用于防止重放攻击的通用闪存(UFS)设备、其操作方法以及UFS系统。UFS设备包括:存储器,包括重放保护存储块(RPMB)区域,该RPMB区域包括存储第二写入失败索引的一个或多个索引字段;以及存储器控制器,包括存储一个或多个指...
存储设备和存储设备的操作方法技术
提供了一种存储设备和该存储设备的操作方法。所述存储设备包括非易失性存储器,所述非易失性存储器包括虚拟块,所述虚拟块包括存储逻辑页面编号(LPN)和物理页面编号(PPN)的对(LPN‑PPN对)的L2P对区域和存储寻址到所述PPN的数据的...
处理设备及其数据处理方法、训练图卷积网络模型的方法技术
本公开的实施例描述了处理设备及其数据处理方法、训练图卷积网络模型的方法。所述处理设备可获得将要添加到图的第一节点的嵌入信息以及所述图与第一节点之间的连接信息,接收与所述图对应的压缩图的超节点的超节点信息,其中,超节点包括来自所述图的多个...
基于单元块的半导体器件制造技术
提供了一种基于单元块的半导体器件,其可以包括:第一单元,包括第一下部有源区和在第三方向上位于第一下部有源区上方的第一上部有源区,二者均在第一方向上延伸;第二单元,包括第二下部有源区和在第三方向上位于第二下部有源区上方的第二上部有源区,二...
存储装置、存储数据的方法和非暂时性存储介质制造方法及图纸
公开了存储装置、存储数据的方法和非暂时性存储介质。接口可从应用接收用于存储数据的写入请求。第一存储装置可用作高速缓存。第一存储装置可包括与第一寿命数据相关联的第一存储单元。第二存储装置可用作持久性存储设备。第二存储装置可包括与第一放置数...
半导体器件制造技术
一种半导体器件,包括:位于衬底上的位线、位于位线上的沟道、位于沟道的第一侧壁上的第一栅极结构、位于位线与沟道之间的接触结构、以及位于沟道上并电连接到沟道的电容器,其中,接触结构接触位线和沟道,接触结构包括第一接触和位于第一接触上的第二接...
包括行解码器电路的存储器装置制造方法及图纸
公开了一种存储器装置。所述存储器装置包括连接到多个存储器块中的每个的多条字线的行解码器。行解码器包括:主字线驱动器电路,公共连接到所述多个存储器块,并且被配置为基于行地址信号生成第一主字线驱动信号、第二主字线驱动信号和子字线驱动信号;以...
磁隧道结元件和包括磁隧道结元件的存储器件制造技术
提供了磁隧道结元件和包括磁隧道结元件的存储器件。磁隧道结元件包括:彼此面对的钉扎层和自由层;在钉扎层上的缓冲层;在缓冲层上的辅助层;在辅助层和自由层之间的极化增强层;以及在极化增强层和自由层之间的隧道阻挡层,其中缓冲层为非晶态并且包括C...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:基底,具有在单元阵列区域中的部分和在外围电路区域中的部分;外围电路结构,包括外围电路和连接到外围电路的外围电路布线;以及单元阵列结构,其中,单元阵列区域中的单元阵列结构包括:多条位线,在第一方向上延伸;多条字线,在所...
用于无线通信系统中的路径切换的测量报告方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的第5代(5G)或第6代(6G)通信系统。提供了一种由无线通信系统中的基站(BS)执行的方法。该方法包括通过直接路径或经由中继用户设备(UE)的间接路径向UE发送包括测量配置信息的无线电资源控制(RRC...
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