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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64087项专利
半导体模块制造技术
一种半导体模块包括模块基板、安装在模块基板的表面上的控制器器件和存储器器件、以及在模块基板的一侧的多个接线片。模块基板具有垂直地延伸穿过模块基板的第一通孔。第一通孔在控制器器件和存储器器件之间。第一通孔在第一方向上延伸。第一通孔沿着第一...
衬底处理装置和衬底处理方法制造方法及图纸
一种衬底处理装置包括:处理腔室,包括处理空间;衬底支撑件,在处理腔室中容纳衬底并支撑衬底;流体供应管,布置在处理腔室的下部;以及流体供应设备,通过流体供应管将处理流体供应到处理空间。处理腔室包括均在限定处理空间的上表面中的台阶部分和圆形...
用于在下一代移动通信系统中更新飞行路径的方法和设备技术方案
本公开涉及一种用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地,本公开提供了一种用于更新飞行路径的方法和设备。根据本公开的实施例,一种由终端执行的方法包括以下步骤:向基站发射用户辅助信息(UAI)消息,该UAI消息包括指示存在飞行路...
包括栅极分离区的半导体器件制造技术
提供了一种包括栅极分离区的半导体器件。所述半导体器件包括:有源区之间的隔离区;所述隔离区上的层间绝缘层;与所述有源区重叠的栅极线结构,所述栅极线结构位于所述隔离区上并具有彼此相对的端部;以及所述隔离区上的栅极分离区,所述栅极分离区位于所...
聚焦环、衬底处理装置及衬底处理方法制造方法及图纸
提供了聚焦环、衬底处理装置及衬底处理方法。聚焦环包括具有在第一方向上延伸的轴的环体。环体包括顶表面、从顶表面向下延伸的内侧表面和从内侧表面的下端向外延伸的底表面。内侧表面包括从顶表面向下延伸的第一内侧表面和从第一内侧表面的下端向下延伸的...
电容器结构和包括该电容器结构的半导体封装件制造技术
提供了一种电容器结构和一种半导体封装件。该电容器结构包括:基底衬底;穿通过孔件,其在竖直方向上从基底衬底的顶表面延伸到基底衬底的底表面;第一子电容器结构,其设置在基底衬底的底表面上并且包括电连接到穿通过孔件的第一端的第一下电极、第一上电...
高分辨率成像系统中的色调映射技术方案
一种方法,包括:获得使用至少一个成像传感器捕获的多个图像帧。所述方法还包括:基于所述多个图像帧中的至少一个图像帧和所述至少一个成像传感器的一个或更多个参数生成局部色调图、全局色调图查找表(LUT)和一个或更多个对比度增强LUT。所述方法...
电子装置和电子装置的操作方法制造方法及图纸
公开了电子装置和电子装置的操作方法。所述电子装置包括:多个天线;天线索引缓冲器,被配置为存储被使用天线索引,被使用天线索引指示所述多个天线之中的在多个窗口中的每个中使用的至少一个天线;被使用功率缓冲器,被配置为存储与被使用天线索引对应的...
可变电阻存储器器件和包括其的电子设备制造技术
提供可变电阻存储器器件和包括其的电子设备。可变电阻存储器器件包括具有根据施加的电压而变化的电阻特性的电阻变化层、设置在所述电阻变化层上的沟道层、和设置在所述沟道层上的栅电极。所述电阻变化层包括金属氮化物或金属氧氮化物。
电子设备及其控制方法技术
第一电子设备包括:第一收发器;至少一个第一处理器;以及第一存储器,被配置为存储至少一个指令,该至少一个指令在由至少一个第一处理器执行时使得第一电子设备:向第二电子设备发送动作帧,其中,动作帧包括对由第二电子设备发起的任何DL TXOP以...
材料合成装置、材料合成平台及操作材料合成装置的方法制造方法及图纸
提供了一种材料合成装置,其包括至少一个处理器,至少一个处理器被配置为被实现为配方转换器,配方转换器被配置为基于分析化学合成配方,生成图形形式的脚本,脚本表示对应于化学合成配方的目标操作之间的先行‑后续关系,以及图形调度器,其被配置为监测...
具有信息存储结构的半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括具有导电区域的下结构和电连接到导电区域的信息存储结构。信息存储结构包括电连接到导电区域的下电极、下电极上的介电层和介电层上的上电极。下电极包括第一电极材料层、第二电极材料层和第三电极材料层。第一电极材料层至少在第三电极...
存储器设备制造技术
根据实施例的一种存储器设备,包括:存储器单元阵列,用于存储数据;数据线,用于传输数据;路径改变开关,连接到数据线;以及控制器,用于从存储器控制器接收作为条选择信号的第一选择信号和第二选择信号。控制器基于第一选择信号和第二选择信号来控制路...
半导体封装制造技术
一种半导体封装,包括:封装基板;芯片单元,包括第一半导体芯片和第二半导体芯片;第一芯片堆叠结构和第二芯片堆叠结构,其中第一半导体芯片包括第一芯片主体、左侧第一芯片焊盘和右侧第一芯片焊盘,其中第二半导体芯片包括第二芯片主体、左侧第二芯片焊...
包括电阻-电容(RC)结构的半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:多个标准单元,其设置在基底的前侧上,并且分别包括至少一个栅极结构和至少一个有源区域;前侧缓冲器单元,前侧缓冲器单元设置在基底的前侧上并且在多个标准单元中的至少一些标准单元之间,并且包括穿透基底的至少一个穿硅通孔(TS...
半导体存储器装置制造方法及图纸
提供了半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:外围栅极结构,基底上;位线;有源图案,包括彼此相对的第一表面和第二表面、以及彼此相对的第一侧壁和第二侧壁,并且有源图案的第一表面接触位线。所述半导体存储器装置包括:字线,在有源图案的第一...
存储装置和测试存储装置的方法制造方法及图纸
提供一种存储装置和测试存储装置的方法。存储装置包括:非易失性存储器;以及控制器,被配置为控制非易失性存储器,其中,控制器被配置:获取用于访问外部存储器的权限,其中,外部存储器由外部主机装置分配;从外部主机装置接收包括多个命令的测试场景;...
显示装置及其控制方法制造方法及图纸
公开了一种显示装置。该显示装置包括:显示面板,配置为以第一帧率驱动第一分辨率的帧;通信接口,包括配置为接收内容的电路;以及处理器,配置为基于接收到的内容的帧率大于第一帧率而将接收到的内容调整为第二分辨率、以及控制显示面板以第二帧率显示第...
输出驱动器以及包括输出驱动器的输出缓冲器电路制造技术
一种输出驱动器和包括输出驱动器的输出缓冲器电路,该输出驱动器包括:驱动电路,所述驱动电路电连接到焊盘,并且包括彼此串联连接的至少两个晶体管;以及防泄漏电路,所述防泄漏电路被配置为阻断所述驱动电路的漏电流。所述至少两个晶体管的栅极彼此电连...
在非易失性存储器装置中执行回拷操作的方法以及执行该方法的非易失性存储器装置和存储装置制造方法及图纸
提供了一种在非易失性存储器装置中执行回拷操作的方法以及执行该方法的非易失性存储器装置和存储装置。在执行回拷操作时,接收针对基于第一电压电平编程在源区域中的目标数据的回拷命令。基于回拷命令对目标数据执行硬数据读取操作和软数据读取操作。基于...
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