三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64087项专利

  • 用于Wi‑Fi网络中的联合传输操作的方法和装置。一种由第一接入点(AP)执行的无线通信的方法包括识别多个AP中的第一AP和第二AP想要和与第一AP和第二AP相关联的站执行联合传输(JTX)。该方法还包括发起JTX过程,该JTX过程包括与...
  • 提供了一种空气调节器及其控制方法。空气调节器包括:壳体,包括基底;第一热交换器,设置在壳体内部并且被配置为与室外空气交换热量;第二热交换器,设置在壳体内部并且被配置为与室内空气交换热量;压缩机,被配置为压缩用于由第一热交换器和第二热交换...
  • 提供了使用生成式模型的方法和电子装置。所述方法包括:通过一个或多个第一处理器在第一解码阶段中执行一个或多个变换器层来生成第一输出词法单元,第一输出词法单元基于包括第一输入词法单元的第一输入序列;以及通过所述一个或多个第一处理器在第二解码...
  • 一种半导体发光装置包括第一发光层叠件,第一发光层叠件包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层和第一台面区域,在第一台面区域中边界至少部分地由蚀刻区域划定。该半导体发光装置还包括在蚀刻区域内的第一电极、与第二导电类型半导体层...
  • 本公开涉及用于支持较高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种通信系统中的网络控制中继器(NCR)执行的方法。该方法包括经由无线资源控制信息(RRC)消息从基站接收用于接入链路的一组或多组转发资源的配置,以及从基站接收媒体接入控制元...
  • 一种三维半导体装置包括:背侧金属层;下沟道图案和上沟道图案,顺序地设置在背侧金属层上;栅电极,在第一方向上与下沟道图案和上沟道图案相交,并且包括在第一方向上彼此临近的第一栅电极和第二栅电极;分离绝缘图案,在第一栅电极与第二栅电极之间;以...
  • 一种半导体器件,包括:第一半导体图案和第二半导体图案,逐一地交替堆叠在衬底的上表面上;栅电极,在第一半导体图案和第二半导体图案中的最上方半导体图案上,栅电极在第一横向方向上延伸;第一源/漏图案和第二源/漏图案,在与第一横向方向相交的第二...
  • 该微型LED芯片包括:第一半导体层,掺杂有N型掺杂剂;第二半导体层,设置在第一半导体层下方,并掺杂有P型掺杂剂;有源层,布置在第一半导体层和第二半导体层之间以生成光;以及电极焊盘,布置在第二半导体层的下表面上,其中,每个电极焊盘具有凹入...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的第五代(5G)或第六代(6G)通信系统。提供了由执行侧链路(SL)通信的第一用户设备(UE)通过使用定位参考信号(PRS)来识别位置的方法,包括:确定第一PRS和第二PRS的传输资源,通过使用所确定的...
  • 提供稠环化合物、包括其的发光器件、和包括所述发光器件的电子设备。所述稠环化合物不含金属并且包括稠环核心,所述稠环核心包括彼此稠合的第一稠合环和第二稠合环,所述稠环核心进一步包括与第一稠合环稠合并且不与第二稠合环稠合的第三稠合环。第一稠合...
  • 一种集成电路器件包括:后绝缘层;纳米片堆叠结构,布置在后绝缘层上并包括多个纳米片;一对源极/漏极区,分别位于纳米片堆叠结构的在第一水平方向上的两侧;栅电极,在纳米片堆叠结构上,在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸;接触插塞,连接到所...
  • 提供稠环化合物、包括其的发光器件、和包括所述发光器件的电子设备,所述稠环化合物由下式1表示。对于式1的描述,参考本说明书中提供的描述。式1
  • 一种用于实现双向仅选择器存储器SOM单元的读取操作的存储器件。存储器件包括多个存储单元,多个存储单元中的每一个包括材料膜、访问电路和感测电路。材料膜的逻辑状态是基于材料膜是处于结晶状态还是非结晶状态而进行编程的。访问电路向多个存储单元之...
  • 根据本公开的实施例的电子装置可以包括:用于存储指令的存储器;第一壳体;设置为能够相对于第一壳体在第一方向或第二方向上移动的第二壳体,第二壳体与第一壳体的至少一部分重叠;至少部分地安装在第二壳体的表面上,使得其外部暴露的区域的至少一部分基...
  • 根据实施例的可穿戴装置的处理器可以基于使用相机获得的图像中的第一对象来识别外部电子装置。处理器可以基于该识别经由通信电路从外部电子装置请求用于显示经由外部电子装置提供的多媒体内容的信息。处理器可以响应于经由通信电路接收到从外部电子装置传...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种用于周期性地发送和接收数据的方法和装置。终端的方法包括:从基站接收关于CG的配置;基于配置,识别周期内的多个CG PUSCH;基于CG PUSCH在周期内的顺序,识别多个...
  • 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括下电极、在下电极上并且包括氧化物半导体的沟道、在沟道上并且包括钨或钼的上电极、在下电极和沟道之间的第一中间层以及在沟道和上电极之间的第二中间层,其中沟道具有在垂直方向上从下电极...
  • 提供一种存储控制器、存储装置和该存储装置的操作方法。存储控制器包括:写后处理模块,其被配置为响应于写完成来输出缓存更新请求;缓存处理模块,其被配置为基于缓存更新请求来输出缓存更新响应并且释放缓存存储器和缓冲存储器中的至少一个;以及元数据...
  • 公开了包括辅助电源的存储设备和用于监测辅助电源的方法。该存储设备包括辅助电源、充电电路、主系统和监测电路。辅助电源包括电容器,基于充电电压被充电,并且生成内部供电电压。充电电路基于外部供电电压生成充电电压。主系统基于外部供电电压或内部供...
  • 提供了存储器件、存储器件的操作方法以及包括存储器件的存储器系统。所述存储器件包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括设置成多行的多个存储单元;擦除检测器,所述擦除检测器存储易受攻击行数据,所述易受攻击行数据包括与所述多行中的易受攻击行相...