提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：传感器基板，包括被配置为感测光的多个像素，该多个像素二维地设置；纳米光子透镜阵列，包括分别与多个像素相对应的多个超颖区域；以及抗反射层，在纳米光子透镜阵列的光入射表面上，该抗反射层被配置为减少反射...

一种图像传感器，包括：衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一光电转换区域；浮置扩散区域；传输栅极，被配置为将第一光电转换区域中生成的电荷移动到浮置扩散区域；第一导电层，电连接到传输栅极，并且与传输栅极竖直地重叠；以及第一竖直...

本公开涉及支持比诸如LTE的4G通信系统更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开实施例的基站的优化QoE的方法可以包括从控制实体（编排器）接收指示一个网络实体将执行QoE优化的第一消息的步骤。根据本公开实施例的基站的优化QoE的...

公开了用于经由存储器设备收集跟踪数据的系统和方法。一种方法可以包括：由存储器设备从计算设备接收命令；由所述存储器设备识别与所述命令相关联的第一数据；由所述存储器设备将所述第一数据存储在所述存储器设备的易失性存储器的第一部分中以供所述计算...

公开了一种执行人工智能(AI)计算的加速器，其包括处理元件和量化器，处理元件通过对从存储器加载的第一激活数据和第一权重数据执行第一计算来生成第一结果数据，量化器通过对第一结果数据执行量化来生成第一输出数据，并且第一激活数据、第一权重数据...

公开了提供电源门控的集成电路和设计其的方法。所述集成电路包括：器件，设置在基底上；第一背侧图案和第二背侧图案，第二背侧图案在第一方向上与第一背侧图案平行地延伸，第一背侧图案和第二背侧图案设置在基底下方的背侧布线层中并且被配置为接收提供给...

提供了安装设备、用于安装设备的吸嘴检查装置和用于安装设备的吸嘴排出装置。吸嘴检查装置包括：吸嘴通量检查部分，配置为对安装设备的吸附吸嘴执行通量检查；异物去除部分，配置为从吸附吸嘴去除异物；以及张力测量部分，配置为测量吸附吸嘴内的弹簧的张力。

公开了多层陶瓷电子组件和包括其的电子装置。多层陶瓷电子组件具有：电容器主体，其包括交替地堆叠的第一内部电极和第二内部电极，并且具有第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面；以及对应地设置在电容器主体的第一侧表面至第四侧表面上的外部...

提供半导体装置和集成电路存储器装置。所述集成电路存储器装置包括位线，位线跨下面的基底在第一方向上纵向延伸并且在其中具有沟槽，沟槽具有相对的第一侧壁和第二侧壁。提供间隔开的第一字线和第二字线，第一字线和第二字线跨下面的基底在与第一方向垂直...

一种集尘片包括：第一电极，沿着从空气流路的上游朝向所述空气流路的下游的第一方向延伸，并包括被施加第一电压的第一电极层和覆盖所述第一电极层的第一电介质层；第二电极，布置在与所述第一方向正交的第二方向上，并包括被施加与所述第一电压不同的第二...

提供了一种图像传感器。图像传感器包括：第一基板；多个光电转换单元，位于第一基板中；第一连接层，设置在第一基板上；多个第一像素焊盘，设置在第一连接层上；多个第一外围焊盘，设置在第一基板上；多个第二像素焊盘，分别位于多个第一像素焊盘上；多个...

公开了一种SoC。与存储器设备通信的SoC包括与存储器设备交换命令和数据的存储器接口，以及通过存储器接口将时钟信号和多个数据信号发送到存储器设备的控制逻辑电路。控制逻辑电路基于预先存储的第一沿码通过存储器接口将具有不同延迟时间的多条第一...

提供了计算存储系统、其操作方法和电子装置。所述计算存储系统包括：存储装置，被配置为存储数据；以及计算装置，包括非易失性存储器快速流控制器（NFC）、加速器和存储器，计算装置被配置为对从存储装置或所述计算存储系统外部的主机装置提供的输入数...

本公开涉及用于管理计算环境中的装置之间的人工智能（AI）数据通信的方法和装置。基于在当前数据帧与先前生成的数据帧之间的对比来检测与当前数据帧相关联的数据值的一个或多个变化集。此外，基于第一编解码技术和第二编解码技术之一来执行更新的数据帧...

公开了一种电子装置和电子装置的控制方法。具体地，根据本公开的电子装置包括：麦克风；显示器；存储器；以及处理器：如果在显示器上显示第一用户界面（UI）屏幕的同时通过麦克风接收到用户语音，则通过将用户语音输入到语音识别模型来获得与用户语音相...

一种存储器设备，包括：包括存储器单元阵列的存储器核心，存储器单元阵列包括多个存储器单元，该存储器单元阵列被划分为多个存储器存储体；内建自测试(BIST)电路，被配置为从多个存储器存储体中选择目标存储器存储体并对目标存储器存储体执行并行测...

公开基于锌的氧化物纳米颗粒、其制备方法、以及包括其的电致发光二极管和显示装置。所述基于锌的氧化物纳米颗粒包括锌和不同于锌的另外的金属，并且在其表面上具有钒(V)的含氧阴离子。

一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在鳍型有源区上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；源/漏区，布置在鳍型有源区上；栅极介电层，设置在栅极线上；源/漏接触部，布置在源/漏区上；过孔接触部，与源...

一种半导体器件包括：第一下层间绝缘层；绝缘图案，在第一下层间绝缘层的顶表面上沿第一水平方向延伸；第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，在第二水平方向延伸并且沿第一水平方向布置；第一源极/漏极区域，在绝缘图案上位于第一栅电极与第二栅电极之间...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的一个实施例，一种基站的方法可以包括以下步骤：向终端发送用于信道状态信息（CSI）测量的配置信息；发送包括信道测量资源（CMR）‑干扰测量资源（IMR）关联规则的消息，该...