本文公开的实施例涉及用于传输高速信号的可伸缩电缆和电子设备。为此，该电缆可以包括可伸缩电路板，第一印刷电路板的一端通过第一焊盘构件联接到该可伸缩电路板，并且第二印刷电路板的一端通过第二焊盘构件联接到该可伸缩电路板，并且该可伸缩电路板被配...

本公开涉及一种用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及无线通信系统中的终端和基站的操作，并且具体地涉及一种用于在无线通信系统中发射和接收上行链路参考信号的方法，以及一种能够执行该方法的设备。本公开提供了一种能够在移动通信...

通过近实时（RT）无线电接入网络（RAN）智能控制器（RIC）执行的方法可以包括以下操作：从E2节点接收包括关于与小区相关的切片的信息的指示消息；基于关于切片的信息来识别分配给切片的资源的大小；以及向E2节点发送包括关于资源的大小的信息...

根据一个实施例，一种电子装置包括：多个天线，包括配置为发送和接收对应于第一RAT和第二RAT的RF信号的第一天线和配置为接收对应于第一RAT和第二RAT的RF信号的第二天线；RF电路，其连接到所述多个天线；以及至少一个通信处理器，包括可...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地，公开了一种用于当经由HR会话或LBO会话提供边缘计算服务时，高效地配置和应用与漫游用户设备（UE）相关联的策略的方法和装置。

一种方法包括：获得场景的第一图像帧和第二图像帧。该方法还包括：将第一图像帧作为输入提供给对象分割模型，其中对象分割模型被训练为基于第一图像帧生成针对场景中的对象的第一对象分割预测以及深度或视差图。该方法还包括：基于第二图像帧生成针对场景...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开提供了一种用于终端的缓冲区状态报告（BSR）方法、基站获取BSR的方法，以及与之相关的终端、基站和通信系统。

本发明涉及正极和包括其的锂电池。正极包括：包含锂过渡金属氧化物的正极活性材料；导电材料；和粘合剂，其中所述锂过渡金属氧化物包括镍和除镍之外的过渡金属，其中所述锂过渡金属氧化物具有层状晶体结构，其中镍的含量为30摩尔百分数或更大，基于所述...

制造半导体纳米颗粒的方法、半导体纳米颗粒、包括半导体纳米颗粒的电致发光器件、和显示装置。在实施方式中，实施方式的方法包括：制备包括锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体，其中所述第一半导体纳米晶体的制备包括在反应温度下加热包括在第一有机溶剂中的...

提供了一种墨组合物、其制造方法和由其制备的复合物。所述墨组合物包括添加剂、半导体纳米颗粒和可聚合单体，添加剂包括磷化合物，磷化合物包括磷与氧之间的键，半导体纳米颗粒包括11‑13‑16族化合物（或半导体纳米晶体），所述11‑13‑16族...

提供了用于存储自动驾驶分析数据的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储器装置，包括被配置为存储自动驾驶分析数据的第一存储器区域；以及控制器，被配置为控制存储器装置的存储器操作，其中，控制器包括：管理电路，被配置为：监测与自动驾驶相...

一种图像传感器包括与基底的垫区叠置的垫、以及围绕垫的导电结构。导电结构包括与垫的底表面接触的导电层、以及从导电层的底表面朝向基底的底表面延伸的导电过孔。导电层和导电过孔具有相同的材料。导电过孔的底表面比导电层的底表面靠近基底的底表面。垫...

一种非易失性存储器设备包括：连接到位线的第一存储器块；第二存储器块，所述第二存储器块连接到所述位线并且包括：串选择线；字线；以及连接到所述串选择线和所述字线的单元串；行解码器，所述行解码器被配置为在所述第一存储器块的编程操作期间向所述第...

一种用于操作包括存储装置的存储系统的方法包括：计算分配给与地址映射树的特定节点相对应的逻辑地址区域的扩展的平均长度，地址映射树与存储装置相关联，并且特定节点的映射信息格式是第一格式，并且基于平均长度，将特定节点的映射信息格式从第一格式转...

一种图像传感器包括半导体基板、滤色器组、至少部分地覆盖滤色器组的微透镜层、以及最上平坦化层。半导体基板包括第一表面、与第一表面相反的第二表面、以及像素阵列区，像素阵列区包括中心像素区和在平面图中至少部分地围绕中心像素区的边缘像素区。滤色...

一种存储器设备，包括：存储器单元阵列；输入/输出电路，其基于在写入操作期间从外部设备接收到的写入时钟信号，接收要存储在存储器单元阵列中的数据；以及时钟放大器电路，其通过放大写入时钟信号向输入/输出电路提供内部时钟信号，并且包括放大写入时...

公开了存储器装置、存储器装置的字线桥接检测器和存储器装置的字线桥接检测方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，连接到第一字线和第二字线；地址解码器，被配置为选择第一字线或第二字线；以及字线桥接检测器，被配置为检测在第一字线与第二字线之...

存储控制器包括：多相时钟发生器，生成具有N个不同相位的第一时钟至第N时钟；写入时钟发生器，生成具有与数据模式的位相对应的逻辑状态的监测信号；占空比调节器，调节第一时钟至第N时钟的占空比；偏斜调节器，调节第一时钟至第N时钟中的至少一个的偏...

一种温度测量电路，包括：带隙基准电路，被配置为生成与工作温度无关的固定的带隙基准电压；基准电压生成器电路，被配置为通过调整所述带隙基准电压生成测量基准电压；感测电路，被配置为基于偏置电流生成温变电压，其中，所述温变电压根据所述工作温度变...

提供了一种铁电场效应晶体管、存储器件和神经网络器件。该铁电场效应晶体管包括沟道层、面对沟道层的栅电极、在沟道层和栅电极之间的铁电层、以及在沟道层和铁电层之间的沟道中间层，其中，沟道层和沟道中间层各自包括氧化物半导体材料，沟道中间层中的氧...