【技术实现步骤摘要】
与本公开一致的装置和方法涉及一种衬底处理装置和衬底处理方法，并且更具体地，涉及使用超临界流体的衬底处理装置和衬底处理方法。
技术介绍
1、随着半导体器件要求精细化，提出了使用极短波长的极紫外（euv）光刻方法。通过使用euv光刻，可以形成水平尺寸小且纵横比高的光刻胶图案。为了减少在形成精细光刻胶图案的过程中光刻胶图案的掉落或坍塌，正在使用利用超临界流体的干燥处理，但仍存在需要改善的问题。
技术实现思路
1、一个方面提供了一种衬底处理装置，该衬底处理装置能够通过防止精细图案在衬底边缘处的倾斜现象来提高衬底处理的均匀性。
2、根据一个或多个实施例的一个方面，提供了一种衬底处理装置，包括：处理腔室，包括处理空间；衬底支撑件，被配置为在处理腔室中容纳衬底并支撑衬底；流体供应管，布置在处理腔室的下部；以及流体供应设备，被配置为通过流体供应管将处理流体供应到处理空间。处理腔室包括均在限定处理空间的上表面中的台阶部分和圆形部分，并且从处理腔室的中心到台阶部分的第一水平分离距离大于从处理腔室的...
【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述台阶部分从所述上表面竖直地向上凹陷。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中：
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述台阶部分相对于所述上表面的角度为90°至180°。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述圆形部分的竖直高度在水平方向上远离所述处理腔室的所述中心而减小。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中：
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，从所述处理腔室的上表面到所述衬底的上...
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述台阶部分从所述上表面竖直地向上凹陷。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中：
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述台阶部分相对于所述上表面的角度为90°至180°。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述圆形部分的竖直高度在水平方向上远离所述处理腔室的所述中心而减小。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中：
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，从所述处理腔室的上表面到所述衬底的上表面的距离为2mm至10mm。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述处理流体包括二氧化碳。
9.一种衬底处理装置，包括：
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述台阶部分接触所述圆形部分。
11.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述台阶部分相对于所述上...
【专利技术属性】
技术研发人员：李峻昊，卢星俊，郑志薰，康松润，金兑宪，金伶厚，尹俊皓，李钟元，郑之雄，洪廷和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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