三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64085项专利

  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种在无线通信系统中通过网络控制中继器(NCR)进行通信的方法。该方法包括:激活与NCR相关联的接入层(AS)安全性;以及基于AS安全性被激活,接收用于配置NCR的NCR转发...
  • 该冰箱可以包括:主体;主体内的储藏室;热电模块(TM),被配置为冷却储藏室,热电模块包括热电元件和散热器(HDS),热电元件包括加热部(HP)和吸热部(HAP);以及阻挡部,其被配置为基于散热器超过预定温度来阻挡向热电元件的电流供应。
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种由通信系统中的第一基站执行的方法。该方法包括:从终端接收测量报告;向第二基站传输包括用于传输人工智能(AI)模型的信息的切换请求消息;基于对切换请求的响应消息和先前从终端...
  • 本公开包括头戴式显示装置及其操作方法,所述头戴式显示装置包括相机、显示器、存储至少一个指令的存储器和至少一个处理器,其中,至少一个处理器被配置为执行至少一个指令以使所述头戴式显示装置通过显示器显示第一接口,获得通过相机捕获的用户的图像,...
  • 本公开涉及用于支持更高数据速率的5G或6G通信系统。由通信系统中的SMF执行的方法包括从PCF接收PCC规则,该PCC规则包括指示支持基于PDU集的FEC的协议描述符,向UPF发送分组处理信息,该分组处理信息包括用于区分基于PDU集的F...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种无线通信系统中的会话管理功能(SMF)实体的方法包括:从目标基站接收用于移交的第一消息;标识第一消息是否包括指示目标基站的基于协议数据单元(PDU)集的处理支持的第一指示;以及...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种无线通信系统中由中继用户设备(UE)进行侧链路通信的方法。方法包括以下步骤:从源UE接收用于在源UE与目标UE之间建立侧链路通信链路的直接通信请求(DCR)消息;在将DC...
  • 提供了一种用于在电子装置中执行手势识别的方法和设备,包括:从由电子装置捕获的多个帧中跟踪用户的手的可见轨迹;由电子装置识别用户的手已经离开电子装置的视场(FOV)的第一帧;识别用户的手已经回到FOV中的第二帧;使用人工智能(AI)模型,...
  • 该电子装置,包括:镜子显示器;传感器;存储器,用于存储一个或多个指令;以及一个或多个处理器,连接到镜子显示器、传感器和存储器以控制电子装置。通过执行一个或多个指令,一个或多个处理器被配置为:当在镜子显示器操作在镜子状态下的同时基于通过传...
  • 本公开涉及用于支持较高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种用于NTN管理的系统和方法。提供了一种由无线通信系统中的管理服务(MnS)生产者执行的方法。该方法包括:从MnS消费者接收用于创建接入和移动性管理功能(AMF)信息对象类...
  • 该通过使用生成模型来编辑图像的方法可以包括以下步骤:接收请求包括在输入图像中的至少一个对象的移动的用户输入;在基于对象的移动而确定的方向上扩展输入图像;基于扩展的输入图像确定作为需要生成至少一个对象的部分图像的区域的生成需要区域;通过使...
  • 公开了半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统。所述半导体装置包括:串阵列,包括并联连接到位线的多个单元串;多个地选择晶体管,包括在所述多个单元串的每个中,在第一方向上堆叠并且彼此串联连接;以及多条地选择线,在第二方向上延伸并且被...
  • 公开了用于寄存器重命名的装置、方法和系统。冲突检测器电路被配置为检测第一经解码的指令和第二经解码的指令之间的寄存器冲突。寄存器冲突与第一架构寄存器和对应于第一架构寄存器的第一物理寄存器相关联。映射电路被配置为将第一架构寄存器改变为第二架...
  • 提供了其中电子设备的硬件控制管理器针对拓扑配置管芯到管芯(D2D)约束的方法和设备。硬件控制管理器管理D2D接口。硬件控制管理器基于D2D约束执行D2D同步。硬件控制管理器针对拓扑配置加速器间链路约束。硬件控制管理器管理高速加速器间链路...
  • 一种半导体存储器件,包括:位线,沿第一方向延伸;第一沟道图案,在所述位线的上表面上;第二沟道图案,在所述位线的上表面上;第一字线,沿第二方向延伸;第二字线,沿所述第二方向延伸;第一电容器和第二电容器,分别连接到所述第一沟道图案和所述第二...
  • 提供一种无线通信装置和无线通信装置的操作方法。所述无线通信装置包括:射频集成电路(RFIC);一个或多个处理器,包括处理电路;以及存储器,存储指令。当所述指令由所述一个或多个处理器单独地或共同地执行时,使得所述无线通信装置:经由RFIC...
  • 本发明提供了一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:堆叠结构,该堆叠结构包括交替堆叠在半导体衬底上的字线和层间绝缘图案,字线在平行于半导体衬底的顶表面的第一方向上延伸;沟道图案,与字线交叉并且具有在平行于半导体衬底的顶表面的第二方...
  • 提供了一种包括铁电单元电容器的非易失性存储器件以及该非易失性存储器件的操作方法。非易失性存储器件包括:存储单元阵列,包括第一存储单元和第二存储单元,第一存储单元和第二存储单元连接到多条字线之中的与地址相对应的所选择的字线;第一局部板线驱...
  • 一种半导体封装件包括:第一再分布结构;第一小芯片,所述第一小芯片位于所述第一再分布结构上;第二小芯片,所述第二小芯片位于所述第一再分布结构上并且在与所述第一再分布结构的表面平行的水平方向上邻近所述第一小芯片;第二再分布结构,所述第二再分...
  • 一种半导体装置,包括:晶体管,在基底上,晶体管包括导电图案;第一金属层,在晶体管上,第一金属层包括第一布线线路和在第一布线线路下方的第一过孔;以及蚀刻停止层,在晶体管与第一金属层之间。第一过孔穿透蚀刻停止层,并且第一过孔连接导电图案和第...