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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64085项专利
半导体存储器装置制造方法及图纸
一种半导体存储器装置包括衬底、在衬底上在第一方向上堆叠的多条字线、在第一方向上在相邻的字线之间并在第二方向上延伸的沟道区、在沟道区的第一侧的第一源极/漏极区、在沟道区的第二侧的第二源极/漏极区、在衬底上在第一方向上延伸并分别连接到第一源...
用于制造半导体封装的装置以及使用该装置制造半导体封装的方法制造方法及图纸
提供了一种用于制造半导体封装的装置。该装置包括:卡盘,被配置为保持物体,其中,物体包括晶片到晶片接合结构,晶片到晶片接合结构包括边缘区域,并且在晶片之间在边缘区域中限定有间隙;以及供给结构,被配置为在晶片到晶片接合结构被保持在竖直方向上...
满足QoS要求的链路推荐制造技术
用于满足服务质量(QoS)要求的链路推荐的方法和装置。一种由与AP MLD相关联的AP执行的无线通信的方法,该方法包括:从非AP MLD接收QoS要求的指示;确定现有目标唤醒时间(TWT)或现有链路是否足以满足QoS要求;如果现有TWT...
用于处置小数据传输和多播寻呼的方法及其装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开,一种由无线通信系统中的用户设备(UE)执行的方法,该方法包括:从基站接收包括用于无线电资源控制(RRC)非活动状态的第一配置的RRC释放消息,第一配置包括与RRC非活动...
用于成像系统的纹理保持光晕抑制的装置和方法制造方法及图纸
一种方法包括使用电子设备的至少一个处理设备获得包含模糊的输入图像。所述方法还包括使用所述至少一个处理设备,基于所述输入图像生成边缘增强掩模和增益掩模。该方法还包括使用至少一个处理设备基于边缘增强掩模和增益掩模来生成光晕抑制的边缘掩模。另...
堆叠半导体器件及其制造方法技术
提供了一种堆叠半导体器件及其制造方法。该堆叠半导体器件包括:衬底;在衬底上的第一源极/漏极区;以及在第一源极/漏极区的垂直上方的第二源极/漏极区,第二源极/漏极区与第一源极/漏极区的第一部分和第二部分当中的第一部分垂直地重叠,其中衬底的...
使用多波长的LiDAR系统及其操作方法技术方案
提供了一种光检测和测距(LiDAR)系统,包括:信号发生器,被配置为生成具有不同波长的多束光;收发器,包括发射器和接收器,发射器被配置为输出多束光作为发射信号,接收器被配置为通过将第一本振信号与在发射信号从目标反射后入射的接收信号进行混...
存储器设备及存储器设备的操作方法技术
提供了一种存储器设备,其包括:存储器单元阵列,其包括多个单元区域;以及控制逻辑,其被配置为响应于对所述单元区域的读取操作中发生错误,基于搜索阈值电压分布的谷值来控制对合适的读取电平的计算操作。基于对通过使用多个读取电平读取的数据的计数操...
包括线圈基板的感应加热装置制造方法及图纸
该感应加热装置可包括用于驱动加热线圈的逆变器电路。该感应加热装置可包括线圈基板,线圈基板包括多个图案层,加热线圈被印刷在多个图案层上以形成线圈图案。分别形成在多个图案层上的线圈图案彼此电连接,并且线圈图案中的每一个的第一端可被连接到输入...
图像传感器制造技术
一种图像传感器包括:像素,其被配置为在读出周期期间在高转换增益模式和低转换增益模式下操作,并且依次输出低转换增益复位信号、高转换增益复位信号、高转换增益图像信号和低转换增益图像信号作为像素电压;相关双采样电路,其被配置为将斜坡信号与从像...
电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置制造方法及图纸
提供了电容器结构、电容器阵列和电子装置。电容器结构包括半导体基底、第一阱、第二阱、第一电极、第二电极、第一扼流圈阻抗元件和第二扼流圈阻抗元件。半导体基底包括具有第一导电类型的外阱。第一阱设置在外阱中并且具有第二导电类型。第二阱设置在第一...
电子组件嵌入式基底和制造电子组件嵌入式基底的方法技术
提供了电子组件嵌入式基底和制造电子组件嵌入式基底的方法。所述电子组件嵌入式基底可包括:至少一个电子组件,包括第一端子表面和第一端子电极,第一端子电极在第一端子表面上;第一导电层,面对第一端子表面;绝缘层,在第一导电层与第一端子表面之间,...
半导体器件制造技术
半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、在第二方向上延伸并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面的模结构、以及在位线上并且分别在模结构的第一侧表面和第二侧表面上的第一垂直半导体图案和第二垂直半导体图案。模结构的第一侧表面和第二...
实时值生成模块、其操作方法以及电子设备技术
提供了一种电子设备。该电子设备包括:时钟信号生成电路,被配置为生成第一周期的第一时钟信号以及第二周期的第二时钟信号,并且选择性地输出所述第一时钟信号及所述第二时钟信号中的一个;时间计数电路,被配置为响应于所述第一时钟信号而增加时间格雷码...
半导体封装及其形成方法技术
半导体封装包括衬底、设置在衬底上的第一半导体管芯、堆叠在第一半导体管芯上并在彼此垂直的第一方向和第二方向上从第一半导体管芯偏移的第二半导体管芯、以及堆叠在第一半导体管芯和第二半导体管芯上并在第一方向上从第一半导体管芯和第二半导体管芯偏移...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括有源图案,其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案彼此连接以及将所述第二...
堆叠式存储器模块的处理元件中的程序执行的系统和方法技术方案
提供了处理元件(PE)中的程序执行的系统、方法和装置。在一个或多个示例中,所述系统、设备和方法包括:在堆叠式存储器模块的处理元件(PE)处执行软件代码;经由所述PE的调度器将所述软件代码的第一命令从提交队列推送到第一调度队列,所述PE包...
片上系统和包括该片上系统的计算设备技术方案
提供了片上系统(SoC)和包括SoC的计算设备。SoC可以被配置为控制外部主存储器,并可以包括:存储器控制器,被配置为为A字节数据生成B字节奇偶校验信息并使用B字节奇偶校验信息来检测A字节数据中的错误,数据高速缓存存储器,被配置为仅将A...
半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统制造方法及图纸
提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括:衬底;堆叠结构,其包括在衬底上在竖直方向上交替地堆叠的层间绝缘层和水平电极;竖直柱,其与衬底间隔开并且设置在穿过堆叠结构的孔中;以及突出部分,其设置在竖直柱与水平电极之间,并且在...
用于控制无线通信系统中的服务质量的方法技术方案
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据实施例,一种用于在支持集成感测和通信(ISAC)的通信系统中运行感测网络功能的方法可以包括:接收针对感测服务的第一请求消息;基于第一请求消息,发送用于请求感测策略数据的第二请求...
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