三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有56604项专利

  • 提供了一种集成电路装置和电子系统。该集成电路装置包括:半导体衬底上的多条导线,多条导线在水平方向上延伸并且在竖直方向上彼此重叠;多个绝缘层,其与多条导线在竖直方向上交替并且在水平方向上延伸;以及沟道结构,其在竖直方向上延伸穿过多条导线和...
  • 提供光圈驱动模块、相机模块以及光圈驱动模块的操作方法。所述光圈驱动模块包括筒,筒在其中包含第一固定驻极体,并且被配置为支撑光学透镜。提供光圈叶片,光圈叶片被配置为在光圈叶片移动时调整由光学透镜接收的光的量。驱动单元设置有第一驱动驻极体。...
  • 公开了感测放大器、感测放大器的操作方法和存储器装置。感测放大器包括感测放大电路和灵敏度控制电路。感测放大电路包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管。第一MOS晶体管与第一位线和目标存储器单元连接。第二MOS晶体管与第二位线和非目标存储器...
  • 公开了视觉传感器和包括视觉传感器的图像处理装置。视觉传感器的像素包括:光电转换器,被配置为将光信号转换为电流;电流‑电压转换器,被配置为将所述电流转换为第一电压;放大器,被配置为通过放大第一电压的电压电平来生成输出电压;至少一个比较器,...
  • 本文公开了一种包括柔性显示器的电子设备及其方法。该电子设备可以包括柔性显示器和处理器。处理器实现所述方法,包括控制柔性显示器以将显示区域划分为第一区域和第二区域、控制柔性显示器在第一区域中显示与第一应用有关的第一图形元素和在第二区域中显...
  • 一种喷头,包括:内板,包括在第一方向上穿透内板的至少一个气孔;以及外板,至少部分地围绕内板,该外板具有轴线在第一方向上延伸的环形状,其中,外板包括:第一内表面,向下延伸,并与对应于第一方向的线形成锐角;第一底表面,从第一内表面向外延伸;...
  • 提供了无线通信系统中的方法和装置。有关终端的能力信息被发送。能力信息与X分双工(XDD)系统相关联。资源配置信息是基于资源配置信息而接收的。将在其上发送上行链路控制信息(UCI)的资源被确定。UCI在所确定的资源上被发送。XDD系统在同...
  • 可以提供一种集成电路器件,该集成电路器件包括在基板上的第一单元块,该第一单元块包括:第一单元区;第一虚设单元区,在平面图中围绕第一单元区,第一虚设单元区包括在第一虚设单元区的外周边中的第一有源区和第二有源区,每个第一有源区具有第一尺寸,...
  • 公开了用于节能网络的基站不连续接收和发送的设计,具体地,提供了一种由无线通信系统中的至少一个用户设备(UE)执行的方法。所述方法包括:从基站接收指示不连续接收(DRX)或不连续发送(DTX)模式的组下行链路控制信息(DCI)。
  • 本发明公开一种系统,所述系统具有用于远程存储器的接口。在一些实施例中,所述系统包括:接口电路,所述接口电路具有:第一接口,所述第一接口被配置为连接到处理电路;以及第二接口,所述第二接口被配置为连接到存储器,所述第一接口包括高速缓存一致性...
  • 洗碗机可以包括桶、篮筐、喷射洗涤水的喷射装置以及配备为向喷射装置提供洗涤水的集水槽。喷射装置可以包括第一喷射转子,包括第一喷射臂和轴,轴与所述第一喷射臂形成为一体以将从集水槽提供的洗涤水引导至第一喷射臂;第二喷射转子,作为可旋转地结合到...
  • 一种集成电路器件包括:多个布线结构,在基板上并且沿平行于基板的上表面的第一方向延伸,每个布线结构包括在基板上并沿垂直于基板的上表面的方向延伸的布线层、围绕布线层的侧壁并包括第一绝缘材料的绝缘图案、以及在布线层的上表面上并包括导电材料的覆...
  • 一种半导体装置可以包括:有源区域,其在第一方向上延伸;多个沟道层,其位于有源区域上以彼此间隔开;栅极结构,其分别围绕多个沟道层;以及源极/漏极区域,其在栅极结构的至少一侧上位于有源区域上,并且接触多个沟道层,其中,栅极结构可以包括位于多...
  • 一种三维半导体存储器件,包括:衬底上的第一贯通结构,第一贯通结构布置在第一方向上;电极,与第一贯通结构相邻,并且在第一方向上沿第一贯通结构水平地延伸;以及铁电层,介于电极和第一贯通结构之间。第一贯通结构中的每一个包括:第一导电柱和第二导...
  • 一种半导体器件,包括具有单元阵列区和外围电路区的衬底、限定在单元阵列区中的多个第一有源区和限定在外围电路区中的至少一个第二有源区、设置在衬底中的多条位线、多个单元焊盘结构、以及外围电路栅电极,多个单元焊盘结构包括第一导电层、第一中间层和...
  • 描述了一种装置。写入引擎可以处理来自应用的将第一数据写入内存的写入请求。写入请求可以包括第一数据和地址。压缩引擎可以压缩第一数据以产生第一压缩数据。写入模块可以将第一压缩数据存储在内存中。第一数据可以是页的第一部分,该页还可以包括第二数...
  • 提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括:栅极线,在导电层与导电垫之间彼此间隔开;以及沟道结构,延伸穿过栅极线。沟道结构包括:沟道区,限定柱状空间,并且包括与导电垫接触的第一沟道端以及与导电层接触的第...
  • 提供了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该三维半导体存储器装置可包括:衬底;衬底上的外围电路结构;以及外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构可包括:包括交替地堆叠在彼此上的层间绝缘层和导电图案的堆叠件;堆叠件上的源结构;以及在堆...
  • 提供了集成电路器件和形成其的方法。该方法可以包括:提供衬底结构,衬底结构包括衬底、底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区,半导体区在第一方向上延伸;在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构,其中底部绝缘体可以包...
  • 本发明提供一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统,该半导体器件包括:外围电路结构,包括多个电路区;单元阵列结构,包括一对存储单元块,所述一对存储单元块在第一方向上与外围电路结构重叠,并且在垂直于第一方向的第二方向上间隔开,外围电路连...