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瑞昱半导体股份有限公司专利技术
瑞昱半导体股份有限公司共有3495项专利
具有过电流保护的切换式转换器制造技术
切换式转换器包含第一开关、第二开关、输出电感、输出电容、误差放大器、比较器以及控制电路。该控制电路用来控制该第一开关与该第二开关的开启与关闭。该控制电路包含电容、第一充电泵以及第二充电泵。该电容耦接于该第一开关与该第二开关的控制端。该第...
用于多电压源系统的静电保护装置制造方法及图纸
一种用于多电压源系统的静电保护装置,用来对多个电压源进行静电放电保护。该静电保护装置对于一第一电压源与至少一第二电压源之间进行静电放电保护,且包含一电压总线、一第一静电保护电路配置于第一电压源与电压总线之间、以及一第二静电保护电路,耦接...
多天线系统技术方案
本发明提供一种多天线系统,用以减少布局限制及元件限制,其包括二天线及一隔离单元。该隔离单元位于该二天线之间,并包括耦接成环型的一电感及一电容。其中,该电感及该电容受激发而在与该二天线的操作频率实质上相同的一谐振频率上谐振,以增加该二天线...
调整单元具有两个自由端的单极印刷天线制造技术
一种调整单元具有两个自由端的单极印刷天线。为提供一种尺寸小、便于置入笔记型电脑无线网路卡内的天线,提出本发明,它包括馈线、主要辐射单元、调整单元、接地层及电路板;电路板系由介质材料构成,其具有第一平面及第二平面;接地层系覆盖于电路板部分...
多频率天线框架结构制造技术
一种多频率天线框架结构,该多频率天线包括一馈线,以及一电连接于该馈线的第一辐射组件。一调谐组件电连接于该第一辐射组件,该调谐组件包括至少两个调谐短线,每一个调谐短线皆具有连接于该第一辐射组件的一固定端和相互分离的一自由端。该第一辐射组件...
多重频率天线结构制造技术
一种多重频率天线,包括有由介电材料构成的一电路板,该电路板具有一第一表面和一第二表面,两者分离且本质上互相平行。由导电材料构成的一接地平面层覆盖于该电路板的第一表面的一部分之上,由导电材料构成的一馈送线设置于该电路板的第二表面上,且延伸...
半导体电容结构制造技术
本发明公开了一种半导体电容结构,其包含第一金属层、第二金属层、第一组介电窗插塞、第二组介电窗插塞以及介电层。该第一金属层包含第一区段,多个平行的第二区段,第三区段,及多个平行的第四区段。该第二金属层包含第五区段,多个平行的第六区段,第七...
半导体电容结构及其布局制造技术
本发明公开了一种半导体电容结构及其布局,其提供一种具有多个对称环型区段的金属-氧化层-金属电容结构。本发明的金属-氧化层-金属电容结构不需要使用额外的光掩模,工艺费用较便宜。此外,由于半导体工艺的进步,因此可以迭加数目相当大的金属层,而...
适用于多种封装模式的集成电路制造技术
一种适用于多种封装模式的集成电路包含:核心电路、多个接合垫以及选择模块。其中,选择模块耦接于核心电路及多个接合垫之间,选择模块包含多个选择电路,用以依据控制信号来决定核心电路通过选择模块与多个接合垫之间的导通状态。当控制信号为第一数值时...
集成电感结构制造技术
本发明公开了一种集成电感结构,其包括半导体基底以及设于半导体基底上方的电感金属层。半导体基底与电感金属层之间设有介电层。于电感金属层正下方的半导体基底中,设有阱防护层,包括多个小区块N型离子阱以及多个小区块P型区域,彼此相间重复排列组合...
半导体电容结构制造技术
本发明提供一种由第一电容与第二电容所组成的金属-氧化层-金属电容结构,其具有多个对称分支区段,沿着多个环状轮廓形成相互叉合的结构,具有最佳化的几何对称性,因此能得到优选的电容匹配效果,并具有较高的单位电容值,且在该半导体电容结构中可以根...
集成电路焊线垫片的结构及其形成方法技术
本发明公开了一种集成电路焊线垫片的结构及其形成方法,系设置于一绝缘层中,该集成电路焊线垫片的结构包括有:一下导电层、一复合层结构以及一焊垫导电层。该下导电层设于该绝缘层内适当位置处,并连接至一固定电位,该复合层结构设于该绝缘层之上,该复...
静电放电箝制电路制造技术
一种静电放电箝制电路,包含: 一ESD侦测电路,是电连接于一第一工作电压与一第二工作电压之间,用来侦测前述第一工作电压与前述第二工作电压之间的一静电,并产生一触发电压;以及 一NPN双载子接面晶体管,是电连接于前述第一工作电...
具有深N井区的串接二极管结构及其形成方法技术
一种具有深N井区的串接二极管结构,包含: 一P型基材; 一深N井区,是形成于前述P型基材上; 多个二极管组件,是形成于前述深N井区上;以及 多个导体,藉以串接前述多个二极管组件; 其中前述每个二极管组件包含...
芯片的保护装置与相关方法制造方法及图纸
一种保护装置,位于一芯片内,该装置包括有:一解码电路,解码该密码,并输出一解码信号;以及一保密电路,电连接该解码电路,并依据该解码信号输出一启用信号,该集成电路依据该启用信号实现应有的特性,藉此保护装置达到防止芯片复制的目的。
输出级结构制造技术
本发明涉及一种输出级结构,其包含第一、第二p型金属氧化物半导体晶体管以及第一、第二n型金属氧化物半导体晶体管,其中,该些金属氧化物半导体晶体管是以双阱工艺制作。第一p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接电压源,栅极连接第一电压;第二p型金...
用于抑制电压抖动的电路及其方法技术
一种抑制电压抖动电路及其方法被揭露。该抑制电压抖动电路用以减少集成电路的电压抖动现象,该抑制电压抖动电路包含:接脚;第一接合垫,用以耦接该集成电路内部的电源线;第一打线,耦接于该接脚与该第一接合垫之间,该第一打线具有第一电感;第二接合垫...
多相位布线结构与方法技术
一种布线结构,包含:第一布局层;第二布局层,与该第一布局层实质上互相平行;及 多条走线,每条该走线各传输一信号,该多个信号各具有相位差;其中,设置于该第一布局层与该第二布局层的同一层而相邻的二条该走线之间具有水平耦合电容,设置于该第一布...
芯片式平衡-不平衡变压器制造技术
本发明公开一种成形于N层连续隔离层中的芯片式平衡-不平衡变压器。该变压器包含主绕线以及次绕线。该主绕线包含多个第一半圈线圈、多个第二半圈线圈、多个金属结以及多个第一金属电桥。该次绕线包含多个第三半圈线圈、多个第四半圈线圈以及多个第二金属...
对存储装置进行读取相位校正的方法与装置制造方法及图纸
一种对一存储装置进行读取相位校正的方法,该方法包括步骤:对该存储装置写入至少一预定模式的数据;以多个相位当中的一个相位,读取该存储装置的数据;比较所读取的数据与该预定模式的数据;以及根据该比较结果,在该多个相 ...
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