本申请公开了一种晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体。封装方法包括：组装处理，将芯片通过银浆烧结工艺焊接到引线框架上，以得到芯片组合件，银浆烧结工艺的烧结温度为140℃‑250℃，银浆烧结工艺的烧结时间为3h‑6h；清洗处理，对...

本申请涉及一种功率模块保护装置及功率模块，功率模块保护装置包括本体部和连接部。本体部包括相背的第一表面和第二表面，本体部设置有由第一表面凹陷向第二表面的凹陷空间。连接部沿本体部的周侧分布，连接部包括凸出部、连接孔以及位于连接孔周侧的限位...

本申请公开了一种覆铜陶瓷结构件及覆铜陶瓷结构件制备方法，覆铜陶瓷结构件，包括：基板本体，基板本体具有引脚座定位孔；多个引脚座，各引脚座分别设于引脚座定位孔内，且引脚座和基板本体固定连接；引脚，和引脚座对应连接。通过在基板本体上额外设置引...