一种氮化镓功率元件，包含介质基板、介质基板上依序设置有过渡层、缓冲层、通道层、障壁层，以与栅极堆叠。介质基板包含硅基板以及形成于硅基板上的3C‑SiC层。缓冲层包含经掺杂的氮化镓材料，通道层包含氮化镓材料。二维电气子(2DEG)通道形成...

本实用新型是一种智能基板，由一单晶板体

本发明是一种高功率元件总成制造方法，包含有以下步骤：(a)于一第一基板上形成一剥离层，该剥离层的材质为二维材料；(b)于该剥离层上形成一成核层；(c)于该成核层上成长一高功率元件；(d)取一支撑板通过一接合层与该高功率元件接合；(e)移...

本发明是一种智能基板，由一单晶板体、一剥离层与一接合层所组成，其中，该剥离层的材质是二维材料且沉积于该单晶板体的表面，该剥离层包含有多个二维材料的单层，该接合层的材质是三族氮化物且沉积于该剥离层的表面。借此，可于该智能基板上形成三族氮化...

本实用新型是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半...

本发明涉及一种低温磊晶成长的化学气相沉积仪，包括：一阳离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阳离子；一阴离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阴离子；一气相沉积室，具有一顶部、一底部以及一中空作用腔，该气相沉积室更形成有至少一导通上述阳离子预裂解腔...

本发明是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体...

本发明提供一种III族氮化物半导体元件的接触电阻的欧姆接触的制作方法。主要是使用氟化物气体等离子体进行蚀刻与表面处理，并进行退火处理以实现超低接触电阻的欧姆接触。此制造方法不会造成半导体通道表面损伤，整体制程相对简单，且制造出的III族...

本发明公开了一种具有铝酸镧系介电层的III

本实用新型是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所...

一种增强型III

本实用新型是一种用于化学气相沉积的气态前躯物的热裂解装置，包含有一腔体、一导气管以及一加热装置，该导气管位于该腔体的容室内且具有一入口与一出口，通过该导气管的弯曲迂回状，使该气态前躯物能充分热裂解成离子(或原子)态前躯物，不仅可增加裂解...

本发明是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成...

本实用新型是一种二维半导体材料化学气相沉积装置，包含有一反应腔、至少一导气管以及一基板承载装置，该反应腔具有至少一入气口，该导气管位于该反应腔内且与该入气口连通，该导气管呈弯曲迂回状且具有一出气口，该基板承载装置位于该反应腔内且邻近该导...

一种常闭式晶体管，是为III

本发明是一种用于化学气相沉积的气态前躯物的热裂解方法及其装置，该装置包含有一腔体、一导气管以及一加热装置，该导气管位于该腔体的容室内且具有一入口与一出口，据以执行如后的方法：步骤(a)，加热该腔体至250℃～650℃，且将该导气管抽气至...

本发明是一种二维半导体材料化学气相沉积方法及其装置，其中，该装置包含有一反应腔、至少一导气管以及一基板承载装置，借此执行的方法包括以下步骤：(a)将反应腔抽气至真空并加热至250℃～650℃；(b)使通入呈弯曲迂回状的该导气管中的气态二...

本发明是一种高功率元件总成，包含有一基板、一成核层、以及一高功率元件，该基板的材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质，例如金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、...

本发明是一种二维材料半导体元件，包含有一基板、一第一层以及一第二层，该第一层是由第一二维材料所组成且覆盖于该基板的表面，该第二层是由第二二维材料所组成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维材料的能隙小于该第一二维材料的能隙。借此，可作出无表...

本发明是一种半导体元件，包含有一通道层以及二金属层，该通道层是由二维材料所形成，该通道层中具有二互相间隔的掺杂区、以及一未掺杂区介于该二掺杂区之间，该二金属层是覆设于该二掺杂区。借此，能有效降低二维材料与金属之间的接触电阻，使该二维材料...