高功率元件总成制造技术

本发明专利技术是一种高功率元件总成，包含有一基板、一成核层、以及一高功率元件，该基板的材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质，例如金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶或单晶钻石(polycrystalline or single crystalline diamond)、氮化铝陶瓷(AlN ceramic)、碳化硅陶瓷(SiC ceramic)或氧化铍陶瓷(BeO ceramic)，该成核层是为单晶氮化铝(AlN)、单晶氮化铝镓(AlGaN)或单晶氮化镓(GaN)材质且覆盖于该基板的表面；该高功率元件是覆设于该成核层的表面。借此，本发明专利技术可将高功率元件搭配非传统材质基板，以降低成本并扩增应用领域，且可达到商品化的质量要求。且可达到商品化的质量要求。且可达到商品化的质量要求。

【技术实现步骤摘要】
高功率元件总成


[0001]本专利技术与半导体元件有关，特别是指一种高功率元件总成。

技术介绍

[0002]高功率元件例如应用在高频功率的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)，制造过程中磊晶所使用的基板材质主要为单晶硅(Si)、单晶碳化硅(SiC)或单晶蓝宝石(Sapphire)，这些传统材质基板中，硅与氮化镓的晶格常数与热膨胀系数的差异大(17％与54％)，容易让氮化镓产生缺陷，甚至破裂，蓝宝石的散热性不佳，只有单晶碳化硅的晶格常数不匹配度较低且导热性较佳，为磊晶质量较佳的选择，然而，单晶碳化硅基板的价格非常高，特别是高频功率应用的碳化硅磊晶基板必须为半绝缘，以6吋晶圆为例其价格约为硅基板的50倍，因此，业界长期以来有寻找替代材料的需求。
[0003]目前使用非上述传统材质的基板来磊晶成长氮化镓高电子迁移率晶体管的质量均不佳，无法达到商品化的质量需求，导致成本居高不下。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一目的在于提供一种高功率元件总成，可将氮化镓高电子迁移率晶体管等高功率元件搭配非传统材质基板，以降低成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率元件总成，其特征在于，包含有：一基板，其材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质；一成核层，是为单晶氮化铝(AlN)、单晶氮化铝镓(AlGaN)或单晶氮化镓(GaN)材质且覆盖于该基板的表面；以及一高功率元件，是覆设于该成核层的表面。2.根据权利要求1所述的高功率元件总成，其特征在于，该基板的材质为金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶或单晶钻石(polycry...

【专利技术属性】
技术研发人员：何焱腾，陈乃榕，
申请(专利权)人：瑞砻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：