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高功率元件总成制造技术
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文档序号:33631711
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本发明是一种高功率元件总成,包含有一基板、一成核层、以及一高功率元件,该基板的材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质,例如金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶...
该专利属于瑞砻科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过瑞砻科技股份有限公司授权不得商用。
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