提供成本、量产性、可靠性较好的带镜面的光传输体及其制造方法。在光传输体（２）传输光的光传输层（３）上形成与该光传输层（３）的光传输方向交叉的粗面（Ｒ），紧贴粗面（Ｒ）形成覆盖粗面（Ｒ）的反射辅助层（４），在反射辅助层（４）上形成反射来自...

一种发光元件包括半导体层压结构、在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极、在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由活性层发出的光的导电反射层、在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与所述半导体层压结构欧姆接触的接触部...

本发明提供不使用六价铬，并且耐热性、耐湿性（防锈能力）、与基材的粘接性优异的考虑了环保的印刷电路板用铜箔及其制造方法。该印刷电路板用铜箔具有铜或铜合金箔、以及通过三价铬化学转换处理形成在所述铜或铜合金箔上的由三价铬构成的防锈层，所述防锈...

本发明提供聚萘二甲酸丁二醇酯系树脂组合物以及使用聚萘二甲酸丁二醇酯系树脂组合物的电线，其兼具耐热性、阻燃性、耐加水分解性、耐磨耗性且不含卤素化合物。本发明的聚萘二甲酸丁二醇酯系树脂组合物由１００重量份的（Ａ）聚萘二甲酸丁二醇酯树脂和相对...

本发明提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。本发明中的发光元件１包括具有第一导电型的第一半导体层、与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入第一半导体层和第二半导体层之间的有源层１０５的半导体层压结构１０、设置在半导体层压结构...

本发明提供一种制造成品率高的发光元件。该发光元件具有：半导体层叠结构（１０），其具有第１导电型的第１半导体层、与所述第１导电型不同的第２导电型的第２半导体层、夹持于所述第１半导体层与所述第２半导体层之间的活性层（１０５）；反射层（１３２...

本发明提供一种耐放射线树脂组合物以及耐放射线电缆，其中，该耐放射线树脂组合物不仅能够用作ＢＷＲ用的护套材料以及ＰＷＲ用的护套材料，而且其阻燃性、耐热性、耐放射线性以及耐水性优异，能够适应于利用逆逐次法的试验。本发明的耐放射线树脂组合物具...

本发明提供一种实现了有效地除去由架子内的电子设备产生的热，降低空调机的消耗能量，并能有效地利用集中在热区的热的数据中心。本发明的数据中心隔开间隔使架子列（１５）的背面（Ｒ）彼此相对地配置在地面（１４）上，在架子列（１５）的左右方向的端部...

本发明提供一种不会降低阳端子的向阴端子的插入性且能够使手、手指等的异物难以直接接触阳端子的连接器。本发明的连接器（２）的阳侧连接器部（３）包括橡胶帽（２６）和突出部（２９），该橡胶帽（２６）是用绝缘体覆盖除去将阳端子（５）插入到阴端子（...

本发明提供一种磁导线用铜线及磁导线用铜线的制造方法，能够得到切削性优越、表层剥离加工容易且表层剥离加工时不易诱发夹层等缺陷的磁导线用铜线（粗轧线），同时，通过有效地将所述磁导线用铜线（粗轧线）进行表层剥离加工，能够得到残存于其表面的缺陷...

本发明提供一种电缆，其具有优异的耐弯曲性、拉伸强度以及可靠性。本发明涉及的电缆（１）包括芯（５）、屏蔽层（２０）、增强层（３０）和护套（４０），其中，芯（５）具有由线状的导体（１２）和披覆导体（１２）的绝缘层（１４）构成的绝缘电线（１０...

提供在振动环境下也难产生端子表面磨损所导致的接触电阻的连接器。连接器具有：金属环，其与在导体外周覆盖绝缘体及组合屏蔽而构成的电缆连接；壳，其容纳该金属环并具有与组合屏蔽导通的屏蔽部件；金属环具有：电缆夹紧部，其夹紧电缆且与屏蔽导通；弹簧...

本发明的课题是提供一种在耐久性上表现出色的精细结构转印用压模。为此，本发明的特征是在用于使被形成在基体（１０２）的单面侧的精细图案（１０１）接触到被转印体，将上述精细图案（１０１）转印到上述被转印体表面的树脂层上的精细结构转印用压模（１...

本发明提供一种实现了有效地除去由架子内的电子设备产生的热，并降低空调机的消耗能量的数据中心。本发明的数据中心使在左右方向排列的架子（１２）的背面彼此隔开间隔相对地配置在空调室（１３）内的地面（１４）上，在该相对的架子列（１５）的左右，设...

本发明提供一种铜合金材及其制造方法，该铜合金材具有高强度、高耐力、高导电率和良好的弯曲加工性。本发明的铜合金材具有轧制面，轧制面具有平行于轧制面的多个晶面，多个晶面包括｛０１１｝面、｛１ｎｎ｝面（其中，ｎ为１以上的整数｝、｛１１ｍ｝面（...

本发明提供一种带有压接端子的电缆，提高了其压接部在压接之后的断裂强度，且即使在高温环境下使用，断裂强度的降低也非常少。在通过压接而连接有电缆（１）的导体（２）和压接端子（３）的带有压接端子的电缆（１０）中，电缆（１）具有由树脂材料构成的...

本发明提供一种对光电元件破裂抑制效果很高的太阳电池用引线。通过对带板状导电材料进行冲模加工，形成了上下表面（ａ、ｂ）上具有凹面（２ａ、２ｂ）并且在侧面（ｃ、ｄ）上具有凸面（３ｃ、３ｄ）的凹凸导电材料（４），在凹凸导电材料（４）的凹面（２...

本发明为ＩＩＩ族氮化物半导体自立基板及其制造方法、ＩＩＩ族氮化物半导体装置及其制造方法。所述ＩＩＩ族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的ＩＩＩ族氮化物半导体自立基板...

本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替ＰＺＴ薄膜的具有压电特性的ＫＮＮ压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式（Ｋ１－ＸＮａＸ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）表示...

本发明涉及高速传输用电路板的连接结构。本发明提供一种将高速传输用电路板与其它高速传输用电路板电连接时，阻抗的匹配容易且成本低的高速传输用电路板的连接结构。本发明的高速传输用电路板的连接结构（１）将第一高速传输用电路板（２）和第二高速传输...