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日立电线株式会社专利技术
日立电线株式会社共有714项专利
放射线检测器制造技术
本发明提供一种能够以高密度排列、连接可靠性高的放射线检测器。放射线检测器(1)具备:可检测放射线的半导体元件;固定有半导体元件的基板;以及,具有与设置在半导体元件的基板的相反侧的元件用电极连接的连接图案且具有挠性的挠性基板(40),半导...
放射线检测器座制造技术
本发明提供一种能够以高位置精度排列多个放射线检测器(1)的放射线检测器座(6)。本发明的放射线检测器座(6)具备:第一支撑体,以与检测放射线的多个放射线检测器(1)排列的间隔对应的预定间隔排列,并且具有多个放射线检测器(1)插入的多个第...
发光元件制造技术
本发明提供一种发光元件,其能抑制不必要波长的光的放射。本发明所涉及的发光元件(1),其具有:在其上方设置有活性层(220)的半导体基板(10);第1反射层(260),其设置于半导体基板(10)与活性层(220)之间,反射活性层(220)...
覆锡的铝材料制造技术
本发明提供一种不会损失铝所具有的特长(优异的导电性.加工性.轻量性.再循环性等),并且可优选用作电极材料的,锡和铝的密合性优异并且耐腐蚀性优异的覆锡的铝材料。本发明的覆锡的铝材料,是在由铝或铝合金构成的基材外层上,形成防腐蚀层和由锡或锡...
表面处理金属材料及其制造方法技术
本发明提供一种表面处理金属材料及其制造方法,不需要复杂的工序,并不需要使用酸洗用的药液等,对于最外表面具有钝态膜的金属基材的表面即使不实施该钝态膜的酸洗除去,也赋予良好的焊料润湿性和对焊料附着的接合强度。该表面处理金属材料是在金属基材(...
光纤振动传感器制造技术
本发明涉及光纤振动传感器。本发明提供一种检测灵敏度良好的光纤振动传感器。光纤振动传感器包括光源,受光器,光分支耦合部,信号处理单元及由光纤构成的光纤环形部。构成光纤环形部的光纤的一部分设置在光纤振动传感器主体的框体内,构成上述光纤环形部...
挠性基板用导体及其制造方法以及挠性基板技术
本发明提供一种挠性基板用导体及其制造方法以及挠性基板,该挠性基板用导体从导体周围的Sn镀膜表面或焊锡中产生晶须的可能性小或几乎不产生,即便在高温放置环境中,接触电阻也不会增大。在配设于挠性扁平电缆或挠性印刷电路板内部的导体上,在Cu或C...
移动通信用基站天线制造技术
本发明提供一种无需大幅度地增加现有的移动通信用基站天线的设置面积便能够实现空间分割多重存取的移动通信用基站天线。由正交地配置的两个天线元件(3)构成,并具备将两天线元件(3)的偏振波特性相互正交的多个天线元件对(4)配置成阵列状的阵列天...
换热器以及传热管制造技术
本发明提供换热效率高的换热器以及传热管。本发明的换热器(1)具备:具有以螺旋状设置在内周面上的多个槽(12)和位于多个槽(12)之间的多个翅片(14)并且通过螺旋卷绕形成为圆筒的第一传热管;以及与第一传热管邻接地配置的第二传热管,第一传...
传热管及换热器制造技术
本发明涉及传热管及换热器。本发明的目的在于提供一种热交换效率高、能进一步提高传热性能并降低压力损失的传热管及换热器。本发明的传热管(1)具备:具有内周面(10a)及外周面(10b)的主管(10);在外周面(10b)上呈螺旋状设置的波纹槽...
放射线检测器插入拔出器制造技术
本发明提供能单个地插入、拔出放射线检测器的放射线检测器插入拔出器。放射线检测器插入拔出器是放射线检测装置(5)用的放射线检测器插入拔出器,该放射线检测装置(5)具有:检测放射线的多个放射线检测器(1);以及用隔开预先设定的距离设置的多个...
极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造技术
本发明涉及极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。本发明提供一种在切断屏蔽导体时减轻对内部绝缘体的损伤的极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。本发明的极细同轴线的末端处理方法包含以下各步骤:切断套管(5)而使屏蔽导体(4)露出的步骤(...
阴阳连接构造制造技术
本发明提供即使是使用了作用力较大的阳端子保持用的弹簧的场合也能够将阳端子容易地插拔于阴端子的阴阳连接构造。阴阳连接构造(1)具备阴端子(30)和阳端子(10),阴端子具有:与阳端子可电连接的凹窝(36);与凹窝相对地设置且将插入在凹窝上...
运转体的异常检测方法以及异常检测系统技术方案
提供一种异常检测方法以及异常检测系统,其即使在异常程度的进展以及监视信号由于外部的影响而发生变动的情况下,也可以排除外部的影响高精度地进行异常检测。连续收集运转体(1)的数据,检测运转体(1)的事件,将在通过上述事件划分的规定期间内收集...
发光元件制造技术
本发明提供一种高亮度的发光元件。本发明中涉及的发光元件(1)包括半导体层叠结构(10)、多个凸状部和埋入部(150),其中,所述半导体层叠结构(10)具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层和夹在第1半导...
轧制铜箔制造技术
本发明提供一种轧制铜箔,即使在实施了宽温度范围的热处理后,也可以发挥优异的弯曲疲劳寿命特性。本发明的轧制铜箔,含有铜(Cu)和不可避免的杂质、固溶在铜中的第1添加元素、以及第2添加元素,该第2添加元素为铜中所含的与不可避免的杂质之间形成...
多孔板及散热板的制造方法及使用了多孔板的散热板、多层散热板技术
本发明涉及多孔板及散热板的制造方法及使用了多孔板的散热板、多层散热板。本发明的多孔板的制造方法具备:对于断续供给的平板,通过以平板的一个面朝向支撑平板的下刃并从平板的另一个面对压力成形部加压,从而在平板上形成多个切缝的切断工序;通过对多...
碳化硅半导体衬底及其制造方法技术
本发明提供一种能够减少碳化硅外延层中的基底面位错的碳化硅半导体衬底和其制造方法。在形成漂移层的第1半导体层和由碳化硅单晶晶片形成的基底衬底之间,通过外延生长设置由与漂移层为相同传导型的2层以上的半导体层构成的缓冲层,所述漂移层为用于制作...
聚萘二甲酸丁二酯系树脂组合物以及使用该组合物的电线制造技术
本发明提供不仅兼具耐热性、阻燃性、耐水解性、耐磨耗性而且能够达到低发烟性的不含卤素化合物的聚萘二甲酸丁二酯系树脂组合物以及使用聚萘二甲酸丁二酯系树脂组合物的电线。本发明的聚萘二甲酸丁二酯系树脂组合物,由(A)聚萘二甲酸丁二酯树脂100重...
ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法技术
本发明提供一种能够抑制贴合界面的空隙等发生的IIIA族氮化物半导体复合基板、IIIA族氮化物半导体基板和IIIA族氮化物半导体复合基板的制造方法。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体复合基板包括由具有导电性且熔点为1100℃以上的导电性材...
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