极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造技术

本发明专利技术涉及极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。本发明专利技术提供一种在切断屏蔽导体时减轻对内部绝缘体的损伤的极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。本发明专利技术的极细同轴线的末端处理方法包含以下各步骤：切断套管（５）而使屏蔽导体（４）露出的步骤（Ｓ１）；在极细同轴线的长度方向的多个部位切断已露出的屏蔽导体（４）的圆周方向的一部分的步骤（Ｓ２）；以及从距末端最远的末端处理部位拔出末端侧的套管（５）及屏蔽导体（４）而使内部绝缘体（３）露出的步骤（Ｓ３）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在切断屏蔽导体时减轻对内部绝缘体的损伤的极细同轴线末端处理 方法及末端处理构造。
技术介绍
连接笔记本型计算机的主体和液晶显示器的配线或连接医疗用超声波诊断装置 的主体和探头的配线等作为传输高频信号 高速信号而且具有大的挠性的电缆有极细同轴 线。极细同轴线是从中心向外侧依次将中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体以及套管叠 层而成的电缆。极细同轴线与机器直接连接，或者在安装于连接器上时，则要实施使末端部 分的中心导体和屏蔽导体露出的末端处理。 利用图5说明按照现有的末端处理方法对多条极细同轴线进行末端处理的顺序。如图5(a)所示，以所要求的排列间距排列多条极细同轴线1，再用粘结带6固定该 排列状态。如图5(b)所示，在从末端起所要求的距离的处理部位，对粘结带6和极细同轴线 1的套管5通过照射激光而切断粘结带6和极细同轴线1的套管5，从该处理部位同时拔出 位于末端侧的粘结带6和套管5。由此，从该处理部位到末端使屏蔽导体4露出。并且，所 谓切断是指进行切入。如图5(c)所示，在比上述图5(b)的处理部位更靠近末端的处理部位，通过对屏蔽 导体4照射激光而切断屏蔽导体4，将从该处理部位起位于末端侧的屏蔽导体4向末端方向 拔出。由此，使从该处理部位到末端的内部绝缘体3露出。如图5(d)所示，在比上述图5(c)的处理部位更靠近末端的处理部位，通过对内部 绝缘体3照射激光而切断内部绝缘体3，将从该处理部位起位于末端侧的内部绝缘体3向末 端方向拔出。由此，从该处理部位到末端使中心导体2露出。通过依次进行以上的工序，屏蔽导体4、内部绝缘体3及中心导体2分别处于露出 了所要求的长度的状态。然而，在现有的末端处理方法中，在对屏蔽导体4照射激光而切断屏蔽导体4时， 激光在切断了屏蔽导体4之后达到内部绝缘体3，内部绝缘体3吸收激光的能量，产生内部 绝缘体3受到损伤之类的问题。在专利文献1(日本特开2007-290013号公报)中，采取的措施是改变光轴角度而 照射多束激光，对卷绕在内部绝缘体上的全部屏蔽导体均勻地给以激光能量。但是，这种场 合，将多条同轴线排列成阵列状时，在切断其中的一条外部导体时，与其相邻的两条同轴线 产生遮挡激光光轴的情况，存在电缆阵列间距不能设定得狭窄之类的问题。在专利文献2(日本特开2007-20342号公报)中，通过使激光的焦点位置相对照 射对象向垂直方向偏移来降低对内部绝缘体的热影响。即使使激光的焦点位置向垂直方向 偏移，相对于极细同轴线的直径，一般的加工用激光的焦点深度都相当大，在实际效果上，通过小于极细同轴线的直径的程度的焦点位置的偏移来降低热影响的效果很小，仍无法避 免热影响。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于解决上述问题，提供一种在切断屏蔽导体时减轻对内部 绝缘体的损伤的极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。为了达到上述目的，本专利技术的极细同轴线的末端处理方法，在从中心向外侧依次 具有中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体及套管，上述屏蔽导体由导线构成并通过螺旋卷绕或 编织卷绕的任何一种而形成的极细同轴线的末端处理方法中，包含以下各步骤切断上述 套管而使上述屏蔽导体露出的步骤；在上述极细同轴线的长度方向的多个部位切断上述已 露出的屏蔽导体的圆周方向的一部分的步骤；以及从距末端最远的末端处理部位拔出末端 侧的套管及屏蔽导体而使内部绝缘体露出的步骤。另外，优选的方法为，相对于上述屏蔽导体的螺旋卷绕或编织卷绕间距以1/ (2Xη) (η为整数且11 > 2)的间距从上述极细同轴线的两面进行上述屏蔽导体的切断。再有，优选的方法为，相对于上述屏蔽导体的螺旋卷绕或编织卷绕间距以l/m(m 为整数且111 > 2)的间距从上述极细同轴线的单面进行上述屏蔽导体的切断。本专利技术的末端处理构造采用上述任何一种方法加工而成。本专利技术具有如下效果。根据本专利技术，在极细同轴线的末端加工中，尤其是在对阵列化的多条极细同轴线 的末端一起进行加工时，能够降低起因于加工工序对内部绝缘体的损伤，并提高生产率和可靠性。附图说明图1 (a) 图1 (h)是表示利用本专利技术的极细同轴线的末端处理方法对多条极细同 轴线的进行末端处理的顺序的俯视图。图2(a) 图2(c)是表示图1(b) 图1(c)的屏蔽导体的切断原理的图。图3是剥离极细同轴线的套管而使屏蔽导体露出的局部剖视图。图4(a)是图1 (d)的屏蔽导体的剩余部分的放大图，图4(b)是屏蔽导体的剩余部 分的断面示意图。图5(a) 图5(d)是表示利用现有的极细同轴线的末端处理方法对多条极细同轴 线进行的末端处理的顺序的俯视图。图中1-极细同轴线，2-中心导体，3-内部绝缘体，4-屏蔽导体，5-套管，6-粘结带， 7_位于邻接的极细同轴线彼此的间隙中的屏蔽导体露出部，8-激光照射面，9-屏蔽导体的 第一部分，10-屏蔽导体的第二部分，11-屏蔽导体的第三部分。具体实施例方式以下，基于附图对本专利技术的一个实施方式进行详细叙述。如图1(a) 图1(g)所示，本专利技术的极细同轴线1的末端处理方法是，在从中心向外侧依次具有中心导体、内部绝缘体3、屏蔽导体4及套管5，屏蔽导体4由导线构成并通 过螺旋卷绕或编织卷绕的任何一种而形成的极细同轴线1的末端处理方法中，包含以下各 步骤对于以如末端处理部位P1、P2、P3所示的由多个部位构成的末端处理部位，通过从表 里两面对套管5进行激光扫描，从而切断套管5而使屏蔽导体4露出的步骤Sl ；通过从表 里两面对在上述步骤Sl露出了的屏蔽导体4进行激光扫描，从而如Pl P3断面图所示， 在屏蔽导体4中不切断位于邻接的极细同轴线彼此的间隙中的屏蔽导体7，而切断位于激 光照射面8的屏蔽导体4的步骤S2 ；对从距末端T最远的末端处理部位Pl到末端T侧的 套管5及屏蔽导体4进行拔出而使内部绝缘体3露出的步骤S3 ；以及使屏蔽导体4和中心 导体2露出的步骤S4。在图1中，末端处理部位P1、P2、P3相对于屏蔽导体4的螺旋卷绕或编织卷绕间距 为1/6的间距。如图2 (a) 图2 (c)所示，图1 (b)的末端处理部位PI、P2、P3各自的断面构造相 对于末端处理部位P1、P2、P3各自的屏蔽导体4的螺旋卷绕或编织卷绕间距为1/6的间距， 由于屏蔽导体4是连续地卷绕的，因而在各自的断面上，各自的极细同轴线1的屏蔽导体4 成为以1/6周期旋转的构造。S卩，在末端处理部位P1，屏蔽导体的第一部分9露出于激光照射面8(参照图 1 (C))；在末端处理部位P2，屏蔽导体的第二部分10露出于激光照射面8 ；在末端处理部位 P3，屏蔽导体的第三部分11露出于激光照射面8 ；在末端处理部位Pl的屏蔽导体的第一部 分9，在末端处理部位P2的屏蔽导体的第二部分10，在末端处理部位P3的屏蔽导体的第三 部分11成为切断的屏蔽导体；通过切断屏蔽导体的各部分，从而屏蔽导体4的全部可以在 末端处理部位PI、P2、P3的任何部位切断。另外，在只从单面照射激光的场合，由于激光照射面8仅为单面，因而若将末端处 理部位P1、P2、P3设为1/3的间距，则可以全部切断屏蔽导体4。以上，说明了相对于屏蔽导体4的螺旋卷绕或编织卷绕间距以1/6的间距设置末端 处理部位Pl、P2、ra的三个部位，利用激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极细同轴线的末端处理方法，其是在从中心向外侧依次具有中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体、套管，上述屏蔽导体由螺旋卷绕的导线或者编织卷绕的导体构成的极细同轴线的末端处理方法中，其特征在于，包含以下各步骤：切断上述套管而使上述屏蔽导体露出的步骤；在上述极细同轴线的长度方向的多个部位切断上述已露出的屏蔽导体的圆周方向的一部分的步骤；以及从距末端最远的末端处理部位拔出末端侧的套管及屏蔽导体而使内部绝缘体露出的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中康太郎，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]