同时加工不同结构的同轴线的方法技术

本发明专利技术提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出第一屏蔽线层和第二芯线导体层；对第一屏蔽线层进行部分切割，并切断第二芯线导体层；剥除部分切割后的第一屏蔽线层，并对暴露出的第一内绝缘层和第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于只是对第一屏蔽线层进行了部分切割，并未切断第一屏蔽线层，因此，不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电气
，更具体地说，涉及一种同时加工不同结构的同轴线的方法。
技术介绍
随着电子产品的高度集成化和微型化，极细同轴线的开发应用已经受到越来越高的关注，并且，不同结构的极细同轴线也越来越广泛地应用在电脑主机排线等高精密产品上。极细同轴线一般由多层(4层甚至5层)线体构成，如图1所示，一种4层的极细同轴线从外到内依次包括第1层的外绝缘层1，第2层的屏蔽线层2，第3层的内绝缘层3，第4层的芯线导体层4。由于极细同轴线在制作时多层线体是一致成型，因此，在使用极细同轴线时，必须对其进行剥切加工，以露出进行焊接的屏蔽线层2和芯线导体层4。但是，由于直径小于0.5mm的极细同轴线的每一层结构都极薄，因此，在对极细同轴线进行加工，尤其是在对不同结构的极细同轴线进行同时加工时，如何在切割第2层的屏蔽线层时保证第3层的内绝缘层不被破坏，已经成为当前亟待解决的技术难点之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，以解决现有技术中在切割屏蔽线层时会破坏内绝缘层的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种同时加工不同结构的同轴线的方法，所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层；剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。优选的，所述同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，包括：采用激光切割机切割所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层；采用拉拔工装剥离切割后的所述第一外绝缘层和第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层。优选的，在对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行切割之前，还包括：对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行浸锡处理。优选的，对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层，包括：采用设定为第一参数的激光切割机对所述第一屏蔽线层进行部分切割；采用设定为第二参数的所述激光切割机切断所述第二芯线导体层。优选的，所述第一参数是指所述激光切割机的功率范围为11W～16W，切割速度为80mm/s～110mm/s。优选的，所述第二参数是指所述激光切割机的功率范围为16W～19W，切割速度为8mm/s～14mm/s。优选的，所述对所述第一屏蔽线层进行部分切割包括所述第一屏蔽线层的切割厚度大于或等于所述第一屏蔽线层厚度的二分之一。优选的，所述剥除切割后的所述第一屏蔽线层是指采用拉拔工装剥离所述第一屏蔽线层。优选的，所述对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理，包括：采用激光切割机切断所述第一内绝缘层，并采用拉拔工装剥离所述切割后的第一内绝缘层；对暴露出的所述第一芯线导体层进行浸锡处理，并采用激光切割机切断所述第一芯线导体层。优选的，所述第一同轴线和第二同轴线为直径小于0.5mm的极细同轴线。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的同时加工不同结构的同轴线的方法，同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层后，对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层，然后再剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于本专利技术提供的方法只是对第一屏蔽线层进行了部分切割，并未切断所述第一屏蔽线层，因此，不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏，从而避免了切割屏蔽线层时破坏内绝缘层的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术的一个实施例提供的一种同时加工不同结构的同轴线的方法的流程图；图2为本专利技术的一个实施例提供的第一同轴线和第二同轴线的示意图；图3为本专利技术的一个实施例提供的第一外绝缘层和第二外绝缘层的切割示意图；图4为本专利技术的一个实施例提供的剥离第一外绝缘层和第二外绝缘层后的结构示意图；图5为本专利技术的一个实施例提供的第一屏蔽线层和第二芯线导体层的切割示意图；图6为本专利技术的一个实施例提供的剥离第一屏蔽线层后的结构示意图；图7为本专利技术的一个实施例提供的第一内绝缘层的切割示意图；图8为本专利技术的一个实施例提供的第一芯线导体层的切割示意图；图9为本专利技术的一个实施例提供的加工完成后的第一同轴线和第二同轴线的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的一个实施例提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法，本实施例中的同轴线均为直径小于0.5mm的极细同轴线，其中，所述不同结构的同轴线至少包括一根第一同轴线和一根第二同轴线，所述第一同轴线从外到内至少依次包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线从外到内至少依次包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，当然，所述第一芯线导体层内侧还可包括第一内芯绝缘层，所述第二芯线导体层内侧还可包括第二内绝缘层，本专利技术并不对此进行限定。其中，芯线导体层的作用是传输信号，屏蔽线层的作用是防止芯线导体层在传输信号时产生电磁干扰，在后续焊接时，屏蔽线层与地线板焊接在一起，芯线导体层与待连接部件的连接端子焊接在一起。基于此，在切割的过程中，需保证芯线导体层和屏蔽线层保留一定的长度。下面以包括第一外绝缘层10、第一屏蔽线层11、第一内绝缘层12和第一芯线导体层13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同时加工不同结构的同轴线的方法，其特征在于，所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层；剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。

【技术特征摘要】
1.一种同时加工不同结构的同轴线的方法，其特征在于，所述不同结构
的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线，所述第一同轴线至少包括第一
外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层，所述第二同轴
线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层，所述方法包括：
同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第
二外绝缘层，以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层；
对所述第一屏蔽线层进行部分切割，并切断所述第二芯线导体层；
剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层，并对暴露出的所述第一内绝缘层
和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同时切割并剥除所述
第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层，包括：
采用激光切割机切割所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线
的第二外绝缘层；
采用拉拔工装剥离切割后的所述第一外绝缘层和第二外绝缘层，以暴露
出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述第一屏蔽线层和
所述第二芯线导体层进行切割之前，还包括：
对所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层进行浸锡处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一屏蔽线层进行
部分切割，并切断所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛福成，尹玉田，田跃荣，韩凯，姬常超，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37