一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银单晶纳米线的制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气气氛中，通过改变银离子导电薄膜Ｍ↓［ｘ］↑［Ⅰ］Ｍ↓［１－ｘ］↑［Ⅱ］Ａ...

本发明涉及一种生长碳纳米管的方法，其包括步骤：ａ）选取金属基底，ｂ）提供碳源气体，ｃ）将所述金属基底表面氧化形成一氧化层，ｄ）在氧化层上形成催化剂层，ｅ）通入碳源气体，以ＣＶＤ法生长碳纳米管，同时产生氢气将所述氧化层还原。本发明方法在金...

一种氧化锌三维光子晶体的自组装制备方法，属于光子晶体制备技术领域。为了在纳米颗粒间获得较强的合适的相互作用力，使得制备出的光子晶体具有较好的机械强度和稳定性，便于再加工并降低工艺成本，本发明公开了一种氧化锌三维光子晶体的自组装制备方法，...

本发明涉及一种Ｂ↓［６］Ｏ纳米线和晶须结构及其制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域。采用固相反应方法和化学气相沉积方法，制备中选取ⅡＡ族金属氧化物、硼粉和过渡族金属或其金属氧化物作为起始原料。其中过渡族金属或其金属氧化物的质量比控制在２０...

一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法属于无机非金属材料领域。其主要内容是利用氢氧化锌作前驱物，用氨水作矿化剂，在高压釜中加热来生长氧化锌晶体。加热方式可以是微波加热，也可以是电阻丝加热；长出的晶体可以是氧化锌纳米纤维，也可以是大块氧化锌单...

一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法，该方法首先按照Ｐｂ↓［１－ｘ］Ｌａ↓［ｘ］（Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［ｚ］Ｓｎ↓［１－ｙ－ｚ］）Ｏ↓［３］（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１）化学式确定ｘ，ｙ，ｚ值后，按一定比例将锆钛锡酸铅镧原...

本发明提供一种硅纳米线结构及其生长方法，属于纳米线技术领域。所述硅纳米线结构包括：一硅晶片基底，其包括一晶面，多根硅纳米线生长在所述晶面；所述硅纳米线沿所述晶面的外延〈１１１〉方向形成。所述晶面包括（１００）、（１１０）以及（１１１）晶...

一种制备单壁或双壁碳纳米管的负载型催化剂的制备方法属于碳纳米管的催化剂制备技术领域。其特征在于，是将负载型催化剂进行进一步高温煅烧或水热处理，得到金属在载体上均匀分散的负载型催化剂，煅烧温度范围为８００℃～１１００℃，时间长度为２ｈ～２...

本发明涉及一种氧化锌定向纳米棒或线薄膜及其制备方法，属于低维纳米材料薄膜技术领域。所述方法采用水热沉积法，将摩尔浓度为１～２５ｍＭ的锌盐溶液和胺类表面活性剂溶液均匀混合后，放入聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，同时将预置有ＺｎＯ定向织构晶...

单晶Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米带和微米带的制备方法，属材料制备技术领域。本发明采用有机前驱体热解合成单晶Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米带和微米带，含有步骤（１）低温交联固化：初始原料采用聚硅氮莞，在氮气或氨气中２４０－２９０℃保温交联固化，...

本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上生长铁纳米线的方法。所用方法为直接蒸发法，原料为铁丝。制备时，首先将铁丝和洁净的硅基底置于真空钟罩中，使钟罩内气压达到１０Ｐａ以下。随后给铁丝通电加热，使之蒸发，几分钟后停止通电，此过...

本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为二茂铁和二甲苯。制备时，首先将洁净的硅基底置于石英真空管式炉中，使炉管内气压达到４０Ｐａ以下，并使炉温升至碳纳米管沉...

本发明涉及一种硼酸镁晶须的水热合成制备方法，属于化工工艺技术领域。其特征在于，该方法以可溶性无机镁盐、硼酸盐及无机碱为主要原料，首先在１０－９０℃将无机碱注入含有混合镁盐和硼酸盐的混合溶液，然后在１００～３００℃下对常温产物水热处理，通...

本发明涉及用阳极氧化方法制备ＴｉＯ↓［２］纳米管阵列的方法，属于光电功能薄膜技术领域。所述方法以二甲基甲酰胺和氢氟酸为主要原料配制成有机电解液，通过阳极氧化反应在钛箔片上生长出管长超过２０微米，管径超过１００纳米，长径比可以达到２００以...

本发明涉及一种利用多步阳极氧化法制备梯度ＴｉＯ↓［２］纳米管阵列薄膜的方法。该方法是以磷酸、氢氟酸、氟化铵、甘油、去离子水等为主要原料，分别配制成水基电解液和有机电解液，通过将钛箔片与铂片构成的两电极系统在水基电解液和有机电解液中反复进...

本发明涉及一种利用水热法原位制备ＰｂＴｉＯ↓［３］纳米管阵列薄膜的方法。该方法是以磷酸、氢氟酸、乙酸铅、去离子水等为主要原料，首先通过阳极氧化法在钛箔片上制备出ＴｉＯ↓［２］纳米管阵列薄膜，而后在以摩尔浓度为０．００００１～１０摩尔／升...

干性粘结聚噻吩微米管阵列复合膜及制备方法和应用，涉及功能材料制备技术领域。该复合膜是由聚噻吩微米管阵列和致密的导电高分子层复合而成。其制备方法是在室温下采用一室三电极法聚合得到聚噻吩微米管阵列膜，再在聚噻吩微米管阵列膜的背面聚合得到致密...

微米级片状钛酸铋钠晶体及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。所述微米级片状钛酸铋钠晶体为长方形外形，长宽１０～１５μｍ，厚度为０．５μｍ。制备方法包括按三氧化二铋、二氧化钛摩尔比２∶３为原料与等总质量的ＮａＣｌ和ＫＣｌ的混合物球磨保温，制...

本发明涉及一种金属氧化物纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将０．１克至１克的金属硝酸盐放入１０毫升的十八胺溶剂中，在搅拌的状态下加温反应１至６０分钟；冷却后，将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到金属氧化物纳米晶。或者包括以下步骤：将０．...

一种无孔高结晶硼酸镁晶须的低温熔盐热转化制备方法，属于无机化工工艺技术领域。本方法以水热产物碱式硼酸镁晶须为前驱物，在微量无机熔盐辅助下于６００～７５０↑［℃］空气氛围中焙烧１～５小时，最后经洗涤、过滤、干燥后制得长度０．５～２０μｍ、...