清华大学专利技术

清华大学共有54700项专利

  • 本发明涉及一种基于溶液的凝固堆积成形方法及装置,首先形成一个温度均匀的成形环境,然后使液体成型材料在一定压力下,沿所需成形的物理原型的轨迹从喷头喷出,与已成形部分粘结,逐层有序堆积,得到本发明的物理原型。本发明的成形装置,由扫描机构、成...
  • 本发明涉及一种高分子及其复合材料的纺丝方法,用于解决现有技术中纺丝方法操作复杂、所得丝线纤度有限且连续性差的问题。本发明提供的一种纺丝方法,包括步骤:将一高分子材料与一用于稀释和分散的溶剂混合以形成一混合液;提供一含极性分子且与该混合液...
  • 一种电纺丝发生和收集的装置及方法,属于一维纳米材料制备领域,本发明所述装置主要包括喷射装置、液体供给装置、高压电源和收集装置四个部分,利用两根或两组正对的分别连接正、负极性高电压的喷嘴作为喷射系统,喷嘴喷出的带相反电荷的纤维在空中互相吸...
  • 本发明属于棉花加工机械的自动控制技术领域,本发明提出在剥绒机工作箱压板上固接一个带有可滑动重锤的水平标尺,在机架上安装一个检测压板摆角的角度传感器,通过压板角度变化去控制调速电机及其调速控制器、减速器等部件的密度控制仪,完成棉籽卷密度自...
  • 厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底,用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极,在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg↓[4]I↓[5]银离子导电薄膜,并使其...
  • 一种制备面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列的方法,属于纳米材料制备技术领域。该方法以玻璃为基底,首先在玻璃基底两端同时沉积两片Ag膜作为阴极和阳极,其Ag膜厚度为微米量级,再沉积RbAg↓[4]I↓[5]银离子导电膜,使得银离子导电膜...
  • 一种碳纳米管生长装置,该碳纳米管生长装置包括一激光照射装置及一工作台;其中,上述的碳纳米管生长装置进一步包括一观测装置和一光照明装置。该观测装置包括一观测筒、一设置于观测筒顶端的观测窗、一呈45°设置于观测筒内第一半反射半透镜及一呈45...
  • 本实用新型涉及一种专用于制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置,属陶瓷材料制备技术领域。该装置由高温炉、化学反应器、尾气通道、尾气接收系统和氨气净化系统组成。化学反应器放置在高温炉内,尾气通道将反应器与尾气接收系统相联,经净化的氨气通过流量计后...
  • 本实用新型是关于直拉单晶硅用的坩埚,其特点是在坩埚基体上涂敷了一层Si3N4涂层采用常压化学气相淀积法制备。坩埚基体材料既可是石英(SiO2)玻璃,也可是石墨。Si3N4具有优良的物理机械性能,并不与熔硅起反应,它把熔硅和石英隔开,避免...
  • 本发明涉及2H相碳化硅(分子式为SiC)晶须的制造方法,这是一种碳化硅的单晶体的、短纤维状的无机材料,主要用于高温陶瓷的增强增韧剂,也可用于补强金属和塑料,属于以陶瓷为主的复合材料领域。本发明用含硅化合物为原料,将原料混合物放在石墨坩埚...
  • 本发明涉及一种用于增韧高温结构陶瓷、金属和塑料的高纯莫来石晶须的制备方法,属于材料研究领域,尤其是以陶瓷为主的新型复合材料领域。莫来石晶须的制备过程是将铝盐溶解在醇溶液中,按SiO↓[2]∶Al↓[2]O↓[3]=2∶3的摩尔比缓慢滴加...
  • 本发明涉及一种制备无缺陷氮化硅的方法,属陶瓷材料技术领域。本发明是用四氯化硅为硅源,氨气为氮源,二者在室温下,在氧化铝反应管中进行反应。然后把反应管放在高温炉中加热,并逐渐升温至1100℃以上。产物氨基化物脱氨后生成氮化硅超细粉。最后升...
  • 本发明涉及一种氧化锌晶须的制备方法及其装置,属陶瓷材料技术领域。该制备方法是将锌粉放入一端开口的反应管中,反应管伸入加热炉内,管子开口的一端通大气,然后以一定升温速度将管内温度升至500~850℃,保温0. 5~2小时即可制得氧化锌晶须...
  • 本发明涉及一种采用碳纳米管制备氮化物纳米晶须的方法,该方法是将与生成的不同类氮化物晶须相对应的原料置于气氛炉内,气氛炉可以是石英玻璃管炉,氧化铝管炉或碳阻式气氛炉,原料置于反应舟内,碳纳米管置于其上或与之混合,抽真空后用氮气或氨气置换数...
  • 本发明涉及一种利用河沙制备碳化硅晶须的方法,首先选用河沙为原料,用稀盐酸对原料进行酸洗,用去离子水洗去盐酸。将河沙与碳黑粉末混合,加入水,常温下球磨,烘干,在氮气气氛下烧结,最后利用浮选法,分离出SiC,即得本发明的SiC晶须。使用本发...
  • 一种合成二氧化锰一维单晶纳米线的方法,涉及一种纳米材料的制备方法。本发明以二价锰盐与过硫酸铵(高锰酸钾、次氯酸钠)为原料,以硫酸铵为原料添加剂,在密闭反应器中,于100~220℃的温度下进行水热反应,通过控制反应温度、反应时间和原料,可...
  • 一种气化氧化法制备不同形貌氧化锌晶须的工艺方法,属于无机材料制备工艺技术领域。本发明以锌粉为原料,在700℃~1200℃温度范围内,气化氧化金属锌,充分利用了锌金属的低沸点性,并且创造性的引入活性生长点控制法,通过不同的控制方式,如控制...
  • 一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法,属于固体电解质材料领域。本发明提供了一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法,该材料的化学式为Rb#-[0.5]Cs#-[0.5]Ag#-[4]I#-[5],且在室温下具有立方晶体结构,晶格...
  • 一种利用高温熔盐反应制备一维纳米线、纳米管的有序阵列新工艺,其特征在于:所述工艺过程是将前驱体材料与熔盐介质按照重量比混合均匀后在管式炉中加热到熔盐的熔点以上,或放在附有催化剂的基底上,在高温炉中加热至熔盐熔点以上,控制反应器内的气氛,...
  • 本发明公开了属于无机化工材料制备领域的一种水合碱式硫酸镁晶须的制备方法。本发明以海湖盐化工企业副产的镁盐资源为原料,首先通过常温快速混合方式制备溶解性强、分散度高的纳米级氢氧化镁前驱体,然后将其加入含有硫酸盐、氢氧化镁增溶剂和分散剂的水...